技术总结
本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种集成电路以及形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法。
技术研发人员：徐咏恩;蔡冠智;郑国裕;陈耕佑;陈世雄;陈少宇;蔡维恭;叶玉隆
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610769963
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.03.08