1.一种掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在锆的醇盐中加入铌的醇盐、钛的醇盐、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后将混合液沉积到含有底电极的衬底上，再退火处理，以在含有底电极的衬底上生成掺杂的氧化锆薄膜。
2.根据权利要求1所述的掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，退火温度为250~350℃，退火时间为20~40min。
3.根据权利要求1所述的掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，掺杂元素占掺杂元素与锆元素之和的摩尔百分比为0.5-10%，其中掺杂元素为铌、钛或氮。
4.一种掺杂的氧化锆薄膜，其特征在于，采用如权利要求1所述的制备方法制成。
5.根据权利要求4所述的掺杂的氧化锆薄膜，其特征在于，所述氧化锆薄膜厚度为30~40nm。
6.一种QLED的制备方法，其特征在于，包括：
A、在锆的醇盐中加入铌的醇盐、钛的醇盐、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后将混合液沉积到含有底电极的衬底上，再退火处理，以在含有底电极的衬底上生成掺杂的氧化锆薄膜；
B、在氧化锆薄膜表面沉积量子点发光层；
C、在量子点发光层表面沉积空穴传输层；
D、在空穴传输层上制作顶电极。
7.一种QLED，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、底电极、氧化锆薄膜、量子点发光层、空穴传输层和顶电极，其中所述的氧化锆薄膜为如权利要求4或5所述的氧化锆薄膜。
8.根据权利要求7所述的QLED，其特征在于，所述量子点发光层的材料为红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点、黄色量子点、红外光量子点和紫外光量子点中的一种或多种。
9.根据权利要求7所述的QLED，其特征在于，所述空穴传输层的材料为TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS中的一种或多种。
10.根据权利要求7所述的QLED，其特征在于，所述顶电极为Ag、Al、Cu、Au或合金电极。