技术特征：
技术总结
根据本发明的一方面，一种形成具有改善的台阶覆盖的SiC功率半导体的沟槽的方法，包括：通过在高浓度半导体基板层之上形成的外延层之上注入第一杂质离子而形成第二浓度层；在所述第二浓度层之上形成SiO2层；在所述SiO2层之上形成PR掩模图案，所述PR掩模图案具有为沟槽的形成而设计的图案；利用所述PR掩模图案通过蚀刻所述SiO2层形成SiO2掩模图案；移除蚀刻所述SiO2层之后残留的所述PR掩模图案；和利用所述SiO2掩模图案通过干法蚀刻包括所述第二浓度层的所述外延层而形成所述沟槽。
技术研发人员：郑垠植;金禹泽;杨昌宪;朴兌洙;金起贤;尹胜腹;朴镕浦
受保护的技术使用者：美普森半导体公司（股）
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.08.11