1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上依次形成n型层、发光层、p型层；
采用刻蚀工艺在所述p型层上开设延伸至所述n型层的凹槽；
采用激光或刀具在芯片的边缘位置划出延伸至所述衬底的开口；
在所述开口内、以及所述凹槽的侧壁、所述n型层和所述p型层上沉积绝缘介质；
在p型层上设置穿过所述绝缘介质的p型电极，在所述n型层上设置穿过所述绝缘介质的n型电极；
沿所述开口劈裂衬底，形成若干相互独立的发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用激光在芯片的边缘位置划出延伸至所述衬底的开口，包括：
采用激光在所述芯片的边缘位置灼烧出延伸至所述衬底的开口；
采用腐蚀溶液去除所述开口内激光灼伤的表层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述腐蚀溶液为硫酸和磷酸的混合溶液。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述腐蚀溶液的温度为200～300℃。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述腐蚀溶液的处理时间为5～50min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质为SiO2。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质的沉积速率为8埃/s。
8.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述开口的最大宽度为10um。
9.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型层、发光层、p型层，所述p型层上开设有延伸至所述n型层的凹槽，所述发光二极管芯片的边缘位置设有延伸至所述衬底的开口，所述开口内、以及所述凹槽的侧壁、所述n型层和所述p型层上沉积有绝缘介质，p型电极穿过所述绝缘介质设置在所述p型层上，n型电极穿过所述绝缘介质设置在所述n型层上。
10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述开口的最大宽度为10um。