技术总结
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：在衬底上依次形成n型层、发光层、p型层；采用刻蚀工艺在p型层上开设延伸至n型层的凹槽；采用激光或刀具在芯片的边缘位置划出延伸至衬底的开口；在开口内、以及凹槽的侧壁、n型层和p型层上沉积绝缘介质；在p型层上设置穿过绝缘介质的p型电极，在n型层上设置穿过绝缘介质的n型电极；沿开口劈裂衬底，形成若干相互独立的发光二极管芯片。本发明避免在芯片的边缘区域也设置凹槽，发光区的边缘即为芯片的边缘，显著节省芯片占用的面积，并且芯片的侧面受到与之前一样的保护，芯片的可靠性没有影响。
技术研发人员：罗红波
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201610861701
技术研发日：2016.09.29
技术公布日：2017.02.22