一种薄膜晶体管结构的制作方法与流程

本发明涉及液晶显示面板领域，尤其涉及一种薄膜晶体管结构的制作方法。

背景技术：

显示面板中的薄膜晶体管是关键器件，但是薄膜晶体管所在区域不透光，当显示面板中有多个薄膜晶体管时，多个薄膜晶体管在整个显示面板中所占区域的面积大小会对显示面板的显示有一定的影响。

例如，越来越多的显示面板都利用栅线集成驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)技术，将栅极开关电路集成在显示面板中的薄膜晶体管结构上以形成对显示面板的扫描驱动，从而可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本，这种集成在薄膜晶体管结构上的栅极开关电路称作栅线集成驱动电路，在栅线集成驱动电路中通常形成多个薄膜晶体管，会造成栅线集成驱动电路在整个显示面板中所占区域的面积较大，造成显示面板的边框较宽，不利于窄边框设计。

因此，如何保证在多个薄膜晶体管器件正常工作的前提下，减小薄膜晶体管在整个显示面板中所占区域的面积，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现要素：

本发明的目的在意提供一种薄膜晶体管结构的制作方法，以解决现有的薄膜晶体管结构在显示面板中所占区域过大，降低像素开口率的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种薄膜晶体管结构的制作方法，其包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极；

形成第一薄膜晶体管的过程具体为：

在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；

对第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的导电沟道；

在第一有机半导体层上形成第一绝缘层；

对第一绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；

在第一绝缘层上形成第一金属层；

对第一金属层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极，其中，第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过第一通孔以及第二通孔与第一薄膜晶体管的导电沟道连接；

在第一金属层上形成第二绝缘层；

形成第二薄膜晶体管的过程具体为：

在第二绝缘层上形成第二有机半导体层；

对第二有机半导体层进行蚀刻工艺，以形成第二薄膜晶体管的导电沟道；

在第二有机半导体层上形成第三绝缘层；

对第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；

在第三绝缘层上形成第二金属层；

对第二金属层进行刻蚀工艺，以形成第二薄膜晶体管的源极以及漏极，其中，第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过第三通孔以及第四通孔与第二薄膜晶体管的导电沟道连接；

在第二金属层上形成第四绝缘层；

在第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；第一像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接，第二像素电极与第二薄膜晶体管的漏极连接。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第二薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域内。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第二薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域内。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第一薄膜晶体管的第一有机半导体层和第二薄膜晶体管的第二有机半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。

本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极；

形成第一薄膜晶体管的过程具体为：

在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；

对第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的导电沟道；

在第一有机半导体层上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成第一金属层；

对第一金属层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的栅极；

在第一金属层上形成第二绝缘层；

对第一绝缘层以及第二绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；

在第一绝缘保护层上形成第二金属层；

对第二金属层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的源、漏极以及第二薄膜晶体管的导电沟道区域，其中，第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过第一通孔以及第二通孔与第一薄膜晶体管的导电沟道连接；

形成第二薄膜晶体管的过程具体为：

在导电沟道区域上形成第二有机半导体层，以形成第二薄膜晶体管的导电沟道；

在第二金属层以及第二有机半导体层上形成第三绝缘层；

对第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；

在第三绝缘层上形成第三金属层；

对第三金属层进行刻蚀工艺，以形成第二薄膜晶体管的源、漏极，其中，第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过第三通孔以及第四通孔与第二薄膜晶体管的导电沟道连接；

在第三金属层上形成第四绝缘层；

在第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；第一像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接，第二像素电极与第二薄膜晶体管的漏极连接。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第二薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域内。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第二薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域内。

在本发明的薄膜晶体管结构的制作方法中，第一薄膜晶体管的第一有机半导体层和第二薄膜晶体管的第二有机半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。

本发明的薄膜晶体管的制作方法包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，增大像素开口率。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明薄膜晶体管结构的制作方法的第一优选实施例的流程示意图；

图2A-2G为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第一优选实施例的第一薄膜晶体管制作的工艺流程图；

图3A-3H为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第一优选实施例的第二薄膜晶体管制作的工艺流程图；

图4为本发明薄膜晶体管结构的制作方法的第二优选实施例的流程示意图；

图5A-5I为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第二优选实施例的第一薄膜晶体管制作的工艺流程图；

图6A-6G为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第二优选实施例的第二薄膜晶体管制作的工艺流程图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

参阅图1，图1为本发明薄膜晶体管结构的制作方法的第一优选实施例的流程示意图；

本优选实施例的薄膜晶体管结构的制作方法，其包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极；

形成第一薄膜晶体管的过程具体为：

步骤S101，在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；

步骤S102，对第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的导电沟道；

步骤S103，在第一有机半导体层上形成第一绝缘层；

步骤S104，对第一绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；

步骤S105，在第一绝缘层上形成第一金属层；

步骤S106,，对第一金属层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极，其中，第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过第一通孔以及第二通孔与第一薄膜晶体管的导电沟道连接；

步骤S107，在第一金属层上形成第二绝缘层；

形成第二薄膜晶体管的过程具体为：

步骤S201，在第二绝缘层上形成第二有机半导体层；

步骤202，对第二有机半导体层进行蚀刻工艺，以形成第二薄膜晶体管的导电沟道；

步骤S203，在第二有机半导体层上形成第三绝缘层；

步骤S204，对第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；

步骤S205，在第三绝缘层上形成第二金属层；

步骤S206，对第二金属层进行刻蚀工艺，以形成第二薄膜晶体管的源极以及漏极，其中，第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过第三通孔以及第四通孔与第二薄膜晶体管的导电沟道连接；

步骤S207，在第二金属层上形成第四绝缘层；

步骤S208，在第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；第一像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接，第二像素电极与第二薄膜晶体管的漏极连接。

具体地，参阅图2A-2G，图2A-2G为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第一优选实施例的第一薄膜晶体管制作的工艺流程图；

如图2A所示，首先提供一基板101，在基板101上依次形成缓冲层102以及第一有机半导体层103，其中，第一有机半导体层103的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。

接着，如图2B所示，对第一有机半导体层103进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的导电沟道104。

接着，如图2C所示，在第一有机半导体层103上形成第一绝缘层105。

接着，如图2D所示，对第一绝缘层105进行刻蚀工艺，以形成第一通孔1051以及第二通孔1052。

接着，如图2E所示，在第一绝缘层105上形成第一金属层106。

接着，如图2F所示，对第一金属层106进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的源极1061、漏极1063以及栅极1062，其中，第一薄膜晶体管的源1061、漏极1063分别通过第一通孔1051以及第二通孔1052与第一薄膜晶体管的导电沟道104连接；

最后，如图2G所示，在第一金属层106上形成第二绝缘层107。

参阅图3A-3H，图3A-3H为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第一优选实施例的第二薄膜晶体管制作的工艺流程图；

如图3A所示，首先，在制得的第一薄膜晶体管的第二绝缘层107上形成第二有机半导体层108。

接着，如图3B所示，对第二有机半导体层108进行蚀刻工艺，以形成第二薄膜晶体管的导电沟道109，其中，第二有机半导体层108的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。；

接着，如图3C所示，在第二有机半导体层108上形成第三绝缘层110；

接着，如图3D所示，，对第三绝缘层110进行刻蚀工艺，以形成第三通孔1101以及第四通孔1102；

接着，如图3E所示，在第三绝缘层110上形成第二金属层111；

接着，如图3F所示，对第二金属层111进行刻蚀工艺，以形成第二薄膜晶体管的源极1112以及漏极1111，其中，第二薄膜晶体管的源1112、漏极1111分别通过第三通孔1102以及第四通孔1101与第二薄膜晶体管的导电沟道109连接；

接着，如图3G所示，在第二金属层111上形成第四绝缘层112；

最后，如图3H所示，在第四绝缘层112上形成第一像素电极114以及第二像素电极113；第一像素电极114与第一薄膜晶体管的漏极连接，第二像素电极113与第二薄膜晶体管的漏极连接。

需要说明的是，第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

第二薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域内。

第二薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域内。

本优选实施例的薄膜晶体管的制作方法包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，增大像素开口率。

参阅图4，图4为本发明薄膜晶体管结构的制作方法的第二优选实施例的流程示意图；

本优选实施例的薄膜晶体管结构的制作方法，其包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极；

形成第一薄膜晶体管的过程具体为：

步骤S301，在基板上依次形成缓冲层以及第一有机半导体层；

步骤S302，对第一有机半导体层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的导电沟道；

步骤S303，在第一有机半导体层上形成第一绝缘层；

步骤S304，在第一绝缘层上形成第一金属层；

步骤S305，对第一金属层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的栅极；

步骤S306，在第一金属层上形成第二绝缘层；

步骤S307，对第一绝缘层以及第二绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第一通孔以及第二通孔；

步骤S308，在第一绝缘保护层上形成第二金属层；

步骤S309，对第二金属层进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的源、漏极以及第二薄膜晶体管的导电沟道区域，其中，第一薄膜晶体管的源、漏极分别通过第一通孔以及第二通孔与第一薄膜晶体管的导电沟道连接；

形成第二薄膜晶体管的过程具体为：

步骤S401，在导电沟道区域上形成第二有机半导体层，以形成第二薄膜晶体管的导电沟道；

步骤S402，在第二金属层以及第二有机半导体层上形成第三绝缘层；

步骤S403，对第三绝缘层进行刻蚀工艺，以形成第三通孔以及第四通孔；

步骤S404，在第三绝缘层上形成第三金属层；

步骤S405，对第三金属层进行刻蚀工艺，以形成第二薄膜晶体管的源、漏极，其中，第二薄膜晶体管的源、漏极分别通过第三通孔以及第四通孔与第二薄膜晶体管的导电沟道连接；

步骤S406，在第三金属层上形成第四绝缘层；

步骤S407，在第四绝缘层上形成第一像素电极以及第二像素电极；第一像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接，第二像素电极与第二薄膜晶体管的漏极连接。

具体地，参阅图5A-5I，图5A-5I为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第二优选实施例的第一薄膜晶体管制作的工艺流程图；

如图5A所示，首先提供一基板501，在基板501上依次形成缓冲层502以及第一有机半导体层503，其中，第一有机半导体层503的材料为非晶硅、多晶硅或半导体氧化物。

接着，如图5B所示，对第一有机半导体层503进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的导电沟道504。

接着，如图5C所示，在第一有机半导体层503上形成第一绝缘层505。

接着，如图5D所示，在第一绝缘层505上形成第一金属层506；

接着，如图5E所示，对第一金属层506进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的栅极507；

接着，如图5F所示，在第一金属层506上形成第二绝缘层508；

接着，如图5G所示，对第一绝缘层505以及第二绝缘层508进行刻蚀工艺，以形成第一通孔5081以及第二通孔5082；

接着，如图5H所示，在第二绝缘层508上形成第二金属层509；

最后，如图5I所示，对第二金属层509进行刻蚀工艺，以形成第一薄膜晶体管的源5091、漏极5092以及第二薄膜晶体管的导电沟道区域5093，其中，第一薄膜晶体管的源5091、漏极5092分别通过第一通孔5081以及第二通孔5082与第一薄膜晶体管的导电沟道504连接；

参阅图6A-6G，图6A-6G为本发明的薄膜晶体管结构的制作方法的第二优选实施例的第二薄膜晶体管制作的工艺流程图；

如图6A所示，首先，在导电沟道区域上形成第二有机半导体层，以形成第二薄膜晶体管的导电沟道5094；

接着，如图6B所示，在第二金属层509以及第二有机半导体层上形成第三绝缘层510；

接着，如图6C所示，对第三绝缘层510进行刻蚀工艺，以形成第三通孔5101以及第四通孔5102；

接着，如图6D所示，在第三绝缘层510上形成第三金属层511；

接着，如图6E所示，对第三金属层511进行刻蚀工艺，以形成第二薄膜晶体管的源5111、漏极5112，其中，第二薄膜晶体管的源5111、漏极5112分别通过第三通孔5101以及第四通孔5102与第二薄膜晶体管的导电沟道5094连接；

接着，如图6F所示，在第三金属层511上形成第四绝缘层512；

最后，如图6G所示，在第四绝缘层512上形成第一像素电极514以及第二像素电极513；第一像素电极514与第一薄膜晶体管的漏极连接，第二像素电极513与第二薄膜晶体管的漏极连接。

需要说明的是，第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

第二薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的源、漏极在基板上的投影区域内。

第二薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域位于第一薄膜晶体管的导电沟道在基板上的投影区域内。

本优选实施例的薄膜晶体管的制作方法包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，增大像素开口率。

本发明的薄膜晶体管的制作方法包括在基板上形成层叠设置的第一薄膜晶体管的过程以及第二薄膜晶体管的过程，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，增大像素开口率。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。