一种OLED器件及其制作方法与流程

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种OLED器件及其制作方法。

背景技术：

有源矩阵有机发光(Active Matrix Organic Light Emitting Display，AMOLED)显示器，具有更薄更轻、主动发光而不需要背光源、无视角问题、高清晰、高亮度、响应快速、能耗低、使用温度范围广、抗震能力强、可实现柔软显示等特点，从而使得AMOLED显示器而成为显示行业的发展重点。

为了实现AMOLED的高像素密度，现有的一种做法是：采用白色OLED(WOLED)与彩色滤光片来实现高像素密度的AMOLED，采用这种技术需要使用三色滤光片，这样就导致了很大程度的光损伤，从而大大增加了器件的功耗。现有技术的另一种做法是：采用RGB并列式AMOLED来实现高像素密度的AMOLED，采用这种技术需要多个金属掩膜板(FMM)来精细掩模全彩色图案，大量的FMM制造工艺十分复杂，从而提高了生产成本。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED器件及其制作方法，能够以较低生产成本、较低功耗实现高像素密度的OLED器件。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种OLED器件，该器件包括基板、设置于基板上的OLED器件本体、以及封装OLED器件本体的封装结构，该封装结构设置有单色滤光片；OLED器件本体包括多个发光层，多个发光层中的一个发光层分别与另外两个发光层部分重叠设置；其中，相互重叠区域中的一者形成一子像素，相互重叠区域中的另一者经过单色滤光片后形成另一子像素。

其中，多个发光层包括第一发光层、第二发光层、第三发光层和第四发光层，第二发光层和第一发光层部分重叠设置，第二发光层未与第一发光层重叠的区域与第三发光层重叠设置；其中，第一发光层和第二发光层的重叠区域形成第一子像素，第一发光层的未重叠区域形成第二子像素，第二发光层和第三发光层重叠区域经过单色滤光片滤除第二发光层后形成第三子像素，第三发光层形成第四子像素。

其中，第一发光层为蓝色发光层，第二发光层为黄色发光层，第三发光层为红色发光层，第四发光层为绿色发光层，第一子像素为白色子像素，第二子像素为蓝色子像素，第三子像素为红色子像素，第四子像素为绿色子像素。

其中，封装结构包括层叠设置的第一无机层、第一有机层、单色滤光片、第二有机层和第二无机层；其中，第一无机层覆盖OLED器件本体，单色滤光片与第二发光层和第三发光层的重叠区域对应设置。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED器件的制作方法，该制作方法包括：提供一基板；在基板上形成OLED器件本体，其中，OLED器件本体包括多个发光层，多个发光层中的一个发光层分别与另外两个发光层部分重叠设置；在OLED器件主体上形成封装OLED器件主体的封装结构，其中，该封装结构设置有单色滤光片，单色滤光片与相互重叠区域中的一者对应设置；其中，相互重叠区域中的一者形成一子像素，相互重叠区域中的另一者经过单色滤光片后形成另一子像素。

其中，多个发光层包括第一发光层、第二发光层、第三发光层和第四发光层，第二发光层和第一发光层部分重叠设置，第二发光层未与第一发光层重叠的部分与第三发光层重叠设置；其中，第一发光层和第二发光层的重叠区域形成第一子像素，第一发光层的未重叠区域形成第二子像素，第二发光层和第三发光层的重叠区域经过单色滤光片滤光处理后形成第三子像素，第三发光层形成第四子像素。

其中，第一发光层为蓝色发光层，第二发光层为黄色发光层，第三发光层为红色发光层，第四发光层为绿色发光层，第一子像素为白色子像素，第二子像素为蓝色子像素，第三子像素为红色子像素，第四子像素为绿色子像素。

其中，在基板上形成OLED器件本体的步骤包括：利用公用金属掩模板形成OLED器件主体的空穴注入层、空穴传送层、电子传送层、电子注入层和阴极；分别利用第一金属掩模板、第二金属掩模板、第三金属掩模板和第四金属掩模板形成OLED器件主体的第一发光层、第二发光层、第三发光层和第四发光层；其中，第一金属掩模板、第二金属掩模板的开口大于第三金属掩模板、第四金属掩模板的开口。

其中，在OLED器件主体上形成封装OLED器件主体的单色滤光片的步骤包括：在OLED器件主体上沉积覆盖OLED器件主体的第一无机层；在第一无机层上沉积覆盖第一有机层；在第一有机层上形成单色滤光片，其中单色滤光片与第二发光层和第三发光层重叠的区域对应设置；在单色滤光片上沉积第二有机层；在第二有机层上沉积第二无机层。

其中，在第一有机层上形成单色滤光片的步骤包括：在第一有机层上涂布负性光阻层；对负性光阻层进行曝光显影以形成对应于第三子像素的曝光区；在曝光区沉积单色滤光片；剥离剩下的负性光阻层以在第一有机层上形成单色滤光片。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED器件及其制作方法通过将单色滤光片制备在OLED器件中，同时通过将发光层重叠设置以减少金属掩膜板的使用，从而可以以较低的生产成本、较低的功耗实现高像素密度的OLED器件。

附图说明

图1本发明实施例的OLED器件的制作方法的流程图；

图1A是图1所示制作方法在制作过程中的OLED器件中像素点的分布示意图；

图1B是图1所示制作方法在制作过程中使用的公用金属掩模板、第一金属掩膜板、第二金属掩膜板、第三金属掩膜板的开口示意图；

图2是图1中的在OLED器件主体上形成封装OLED器件主体的封装结构的子流程图；

图2A-2G是图1所示制作方法在制作过程中的OLED器件的结构示意图；

图3是图1所示制作方法制得的OLED器件的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明实施例的OLED器件的制作方法的流程图。如图1所示，该制作方法包括步骤：

步骤S11：提供一基板。

步骤S12：在基板上形成OLED器件本体，其中，OLED器件本体包括多个发光层，多个发光层中的一个发光层分别与另外两个发光层部分重叠设置。

在步骤S12中，多个发光层包括第一发光层、第二发光层、第三发光层和第四发光层，第二发光层和第一发光层部分重叠设置，第二发光层未与第一发光层重叠的部分与第三发光层重叠设置。

其中，在基板上形成OLED器件本体的步骤具体包括：利用公用金属掩模板形成OLED器件主体的空穴注入层、空穴传送层、电子传送层、电子注入层和阴极；分别利用第一金属掩模板、第二金属掩模板、第三金属掩模板和第四金属掩模板形成OLED器件主体的第一发光层、第二发光层、第三发光层和第四发光层；其中，第一金属掩模板、第二金属掩模板的开口大于第三金属掩模板、第四金属掩模板的开口。

本领域的技术人员可以理解，由于第一金属掩模板、第二金属掩模板的开口较大，从而可以降低金属掩膜板的精度要求，从而降低生产工艺的复杂程度，进而节省生产成本。

在本实施例中，第二发光层和第一发光层部分重叠设置，第二发光层未与第一发光层重叠的区域与第三发光层重叠设置。

在本实施例中，第一发光层和第二发光层的重叠区域形成第一子像素，第一发光层的未重叠区域形成第二子像素，第二发光层和第三发光层重叠的区域经过后续形成的单色滤光片过滤掉第二发光层后形成第三子像素，第三发光层形成第四子像素。其中，第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素呈上下左右对称设置，其分布在一矩形区域的四个角落位置。

在本实施例中，第一发光层为蓝色发光层，第二发光层为黄色发光层，第三发光层为红色发光层，第四发光层为绿色发光层，第一子像素为白色子像素，第二子像素为蓝色子像素，第三子像素为红色子像素，第四子像素为绿色子像素。

请一并参考图1A，图1A是图1所示制作方法在制作过程中的OLED器件中像素点的分布示意图。如图1A所示，OLED器件主体中的每一像素点包括四色子像素，四色子像素分布在一矩形区域的四个角落位置，分别为位于左上角的白色子像素W、左下角的蓝色子像素B、右上角的红色子像素R和右小角的绿色子像素G。

请一并参考图1B，图1B是图1B是图1所示制作方法在制作过程中使用的公用金属掩模板、第一金属掩膜板、第二金属掩膜板、第三金属掩膜板的开口示意图。如图1B所示，公用金属掩模板的开口10最大，其覆盖四色子像素。第一金属掩膜板的开口20呈竖直设置，覆盖白色子像素W和蓝色子像素B。第二金属掩膜板的开口30呈水平设置，覆盖白色子像素W和红色子像素R。第三金属掩膜板的开口40最小，覆盖绿色子像素G。另外，第四金属掩膜板的开口和第三金属掩膜板的开口大小类似，为简单起见，不再描述。

步骤S13：在OLED器件主体上形成封装OLED器件主体的封装结构，其中，该封装结构设置有单色滤光片，单色滤光片与相互重叠区域中的一者对应设置。

在步骤S13中，单色滤光片与第二发光层和第三发光层的重叠区域对应设置。

请一并参考图2，图2是图1中的在OLED器件主体上形成封装OLED器件主体的封装结构的子流程图。如图2所示，在OLED器件主体上形成封装OLED器件主体的封装结构具体包括如下步骤：

步骤S131：在OLED器件主体上沉积覆盖OLED器件主体的第一无机层。

在步骤S131中，利用PECVD、ALD、PLD或Sputter工艺在OLED器件主体上沉积第一无机层，其中，第一无机层覆盖且封装OLED器件主体。优选地，第一无机层的厚度为0.5～1μm，第一无机层的材料优选为Al₂O₃、TiO₂、SiNx、SiCNx、SiOx中的至少一种。本领域的技术人员可以理解，第一无机层的引入，可以增强OLED器件的防水防氧的效果。

请一并参考图2A，图2A为形成有第一无机层的基板的剖面结构示意图。如图2A所示，OLED器件主体201设置在基板101上，第一无机层301覆盖OLED器件主体201。

步骤S132：在第一无机层上沉积第一有机层。

在步骤S132中，利用IJP、PECVD、或slot coating工艺在第一无机层上沉积第一有机层。优选地，第一有机层的厚度为4～8μm，第一有机层的材料优选为Acrylate、HMDSO、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。本领域的技术人员可以理解，第一有机层的引入，可以减缓OLED器件在弯曲、折叠时的应力，同时可以防止颗粒污染物进入OLED器件内。

请一并参考图2B，图2B为形成有第一有机层的基板的剖面结构示意图。如图2B所示，第一有机层401设置在第一无机层301上。优选地，第一有机层401与OLED器件主体201对应设置。

步骤S133：在第一有机层上涂布负性光阻层。

在步骤S133中，利用IJP或Slot coating工艺在第一有机层上涂布一层负性光阻层。优选地，负性光阻层优选为含氟类负性光阻层。

请一并参考图2C，图2C为形成有负性光阻层的基板的剖面结构示意图。如图2C所示，负性光阻层601设置在第一有机层401上。

步骤S134：对负性光阻层进行曝光显影以形成对应于第二发光层和第三发光层的重叠区域的曝光区。

请一并参考图2D，图2D为对负性光阻层进行曝光显影后的基板的剖面结构示意图。如图2D所示，负性光阻层601设置在第一有机层401上，其中，负性光阻层601包括对应于第二发光层和第三发光层的重叠区域的曝光区602。

步骤S135：在曝光区沉积单色滤光片；

在步骤S135中，在曝光区涂布用于过滤第二发光层的油墨。优选地，该油墨为具有很强的疏水性的油墨，同时该油墨为低温固化型或UV固化型油墨。其中，当油墨固化后，在曝光区形成单色滤光片。

请一并参考图2E，图2E为形成有单色滤光片和负性光阻层的剖面结构示意图。如图2E所示，单色滤光片501设置在负性光阻层601的曝光区602。

步骤S136：剥离剩下的负性光阻层以在第一有机层上形成单色滤光片；

请一并参考图2F，图2F为形成有单色滤光片的剖面结构示意图。如图2E所示，单色滤光片501设置在第一有机层401上，单色滤光片501与第二发光层和第三发光层的重叠区域对应设置。

步骤S137：在单色滤光片上沉积第二有机层；

在步骤S137中，利用IJP、PECVD、或slot coating工艺在单色滤光片上沉积第二有机层。优选地，第二有机层的厚度为4～8μm，第二有机层的材料优选为Acrylate、HMDSO、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。其中，第二有机层和第一有机层的功能相同。

在本实施例中，第二有机层和第一有机层的厚度相同、材料相同。在其它实施例中，第二有机层和第一有机层也可以厚度相同、材料不相同或者厚度不相同、材料相同或者厚度、材料均不相同。

请一并参考图2G，图2G为形成有第二有机层的剖面结构示意图。如图2G所示，第二有机层402设置在单色滤光片501上。

步骤S138：在第二有机层上沉积第二无机层。

在步骤S138中，利用PECVD、ALD、PLD或Sputter工艺在第二有机层上沉积第二无机层。优选地，其中，第二无机层覆盖第二有机层且封装第一无机层，第二无机层的厚度为0.5～1μm，第二无机层的材料优选为Al₂O₃、TiO₂、SiNx、SiCNx、SiOx中的至少一种。其中，第二无机层和第一无机层的功能相同

在本实施例中，第二无机层和第一无机层的厚度相同、材料相同。在其它实施例中，第二无机层和第一无机层也可以厚度相同、材料不相同或者厚度不相同、材料相同或者厚度、材料均不相同。

自此，OLED器件制作完毕。

请一并参考图3，图3是图1所示制作方法制得的OLED器件的结构示意图。如图3所示，OLED器件包括基板101、OLED器件本体201和封装结构11。

OLED器件本体201设置在基板101上，封装结构11设置在OLED器件本体201上且封装OLED器件本体201以形成OLED器件。换个角度来说，本发明中的封装结构11制备在OLED器件中。

其中，OLED器件本体201包括第一发光层、第二发光层、第三发光层和第四发光层，第二发光层和第一发光层部分重叠设置，第二发光层未与第一发光层重叠的区域与第三发光层重叠设置。

其中，封装结构11包括第一无机层301、第一有机层401、单色滤光片501、第二有机层402和第二无机层302。

具体来说，第一无机层301覆盖OLED器件本体201。第一有机层401设置在第一无机层301上。单色滤光片501设置在第一有机层401上，其中，单色滤光片501与第二发光层和第三发光层重叠的区域对应设置，用于滤除第二发光层。第二有机层402设置在单色滤光片501上。第二无机层302设置在第二有机层402上且覆盖第一无机层301。

其中，第一发光层和第二发光层的重叠区域形成第一子像素，第一发光层的未重叠区域形成第二子像素，第二发光层和第三发光层重叠的区域经过封装结构11中的单色滤光片501滤光处理后形成第三子像素，第三发光层形成第四子像素。

其中，形成第一发光层的第一金属掩模板、形成第二发光层的第二金属掩模板的开口大于形成第三发光层的第三金属掩模板、形成第四发光层的第四金属掩模板的开口。

在本实施例中，第一发光层为蓝色发光层，第二发光层为黄色发光层，第三发光层为红色发光层，第四发光层为绿色发光层，第一子像素为白色子像素，第二子像素为蓝色子像素，第三子像素为红色子像素，第四子像素为绿色子像素。

本领域的技术人员可以理解，在本实施例中，白色子像素由蓝色发光层和黄色发光层叠加后形成，红色子像素由红色发光层和黄色发光层叠加后由封装结构11中的单色滤光片501也即红色滤光片过滤掉黄色发光层后实现红色发光层发光。也就是说，本发明的OLED器件本体201在制作的过程中，比起传统使用三色滤光片的AMOLED器件，由于只需要对一种颜色也即红色进行滤光，能够减少光的损耗，进而降低器件的功耗。

换个角度来说，白色子像素中的蓝光和蓝色子像素共用一个金属掩膜板也即第一金属掩膜板，白色子像素中的黄光和红色子像素共用一个金属掩膜板也即第二金属掩膜板。也就是说，本发明的OLED器件本体201在制作的过程中，比起传统的RGB并列式AMOLED，可以减少金属掩膜板的使用数量，进而可以减少生产成本。

本领域的技术人员可以理解，本实施例是以OLED器件本体包括四个发光层为例进行说明的，本发明不以此为限，只要满足多个发光层中的一个发光层分别与另外两个发光层部分重叠设置，相互重叠区域中的一者形成一子像素，相互重叠区域中的另一者经过封装结构中的单色滤光片后形成另一子像素均在本发明的保护范围内。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED器件及其制作方法通过将单色滤光片制备在OLED器件中，同时通过将发光层重叠设置来实现四色子像素以减少金属掩膜板的使用，从而可以以较低的生产成本、较低的功耗实现高像素密度的OLED器件。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。