技术特征：
技术总结
本发明公开一种高压半导体组件以及其制作方法，利用于半导体基底中形成凹陷，再于凹陷中形成栅极介电层以及主栅极结构。因此，以本发明制作方法形成的高压半导体组件可包括主栅极结构低于半导体基底中的隔离结构的上表面，由此可避免因高压半导体组件所需厚度较厚的栅极介电层所导致的栅极结构高度过高而影响与其他半导体组件之间的制作工艺整合问题。
技术研发人员：萧世楹;刘冠良;杨庆忠;江品宏
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2016.10.21
技术公布日：2018.05.01