电子封装件及其制法的制作方法

本发明有关一种封装技术，尤指一种具电磁屏蔽的电子封装件及其制法。

背景技术：

随着半导体技术的演进，半导体产品已开发出不同封装产品型态，而为提升电性品质，多种半导体产品具有屏蔽的功能，以防止电磁干扰(electromagneticinterference，emi)产生。

图1a至图1c为悉知具有屏蔽功能的半导体封装件1的制法的剖面示意图。

如图1a所示，于一承载件10上置放多个半导体元件11与金属板12，该些半导体元件11电性连接该承载件10，且该金属板12位于两相邻的半导体元件11之间。接着，形成一封装胶体14于该承载件10上，以包覆该半导体元件11与该金属板12。

如图1b所示，于该封装胶体14上以激光形成开孔140，以预计外露该金属板12。惟于实际制作上，当进行激光形成该开孔140的制程时，并无任何对位件或标志可供该激光对位，故只能以该承载件10的边缘或其它辅助基准进行对位。

如图1c所示，形成一金属层15于该封装胶体14上及该承载件10的侧表面上，且该金属层15延伸至该开孔140中，冀望令该金属层15电性连接该金属板12，使该金属层15与该金属板12构成屏蔽结构。

然而，于利用激光形成该开孔140时，该激光的对位精准度容易受到其它制程的影响而遭破坏，因而降低准确度。例如，于形成该封装胶体14的过程中，该金属板12很容易受到胶材的流动冲击而偏移，或该承载件10的边缘受到裁切刀具精度的影响而影响裁切之后的形状尺寸位置，进而造成对位失准，故会产生如图1b所示的情况，即激光欲烧开的位置(即该开孔140的位置)无法对准该金属板12的位置，致使如图1c所示，该金属层15无法接触该金属板12，造成两者无法电性导通，因而容易产生制作不良或品质不易控制等问题，并衍生许多产品不良的问题，例如，该半导体元件11容易遭受到外界的电磁干扰(emi)，导致该半导体元件11的电性运作功能不正常，因而影响整体该半导体封装件1的电性效能。

因此，如何克服上述悉知技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现要素：

为了克服悉知技术的缺失，本发明提供一种电子封装件及其制法，故能避免悉知电磁屏蔽结构无法电性导通所衍生的问题。

本发明的电子封装件包括：承载结构；电子元件，其设于该承载结构上；挡件，其形成于该承载结构上；以及包覆层，其形成于该承载结构上，以令该包覆层包覆该电子元件与该挡件的至少部分表面。

本发明还提供一种电子封装件的制法，其包括：设置电子元件与挡件于一承载结构上；形成包覆层于该承载结构上，以包覆该电子元件与该挡件的至少部分表面；移除该挡件，以形成凹部于该包覆层上；以及形成金属层于该包覆层上及该凹部中。

前述的制法中，该包覆层包覆该挡件的上表面。还包括移除部分该包覆层，以外露出该挡件的上表面。

前述的电子封装件及其制法中，该承载结构上设有多个该电子元件，且该挡件位于相邻二该电子元件之间。

于前述的电子封装件及其制法中，该挡件的部分表面外露出该包覆层，例如该挡件的上表面齐平该包覆层的上表面，或于该包覆层形成外露出该挡件的开孔。抑或，该挡件贯穿该包覆层。

前述的电子封装件及其制法中，该挡件为热消失材料。

由上可知，本发明的电子封装件及其制法，主要藉由先将该挡件设于后续为形成该金属层的位置上，故只需移除该挡件，以于该包覆层中形成对应的凹部，即可将该金属层形成于包覆层上及该凹部中，使该金属层有效形成电磁屏蔽隔间，故能避免悉知电磁屏蔽结构无法电性导通所衍生的问题。

附图说明

图1a至图1c为悉知具有屏蔽功能的半导体封装件的制法的剖面示意图；以及

图2a至图2d为本发明的电子封装件及其制法的剖面示意图；其中，图2b’为图2b的另一实施例。

符号说明

1半导体封装件

10承载件

11半导体元件

12金属板

14封装胶体

140开孔

15,25,250金属层

2电子封装件

20承载结构

20a第一侧

20b第二侧

20c侧表面

200绝缘层

201线路层

202接地部

21,21’,21”电子元件

21a作用面

21b非作用面

210导电凸块

210’焊线

22挡件

22a外露表面

24包覆层

24a第一表面

24b,24b’第二表面

24c侧面

240凹部

26导电元件

260凸块底下金属层

l切割路径。

具体实施方式

以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“一”及“下”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。

图2a至图2d为本发明的电子封装件2的制法的剖面示意图。于本实施例中，所述的电子封装件2可发出电磁波者，例如为射频(radiofrequency，简称rf)模组。

如图2a所示，提供一承载结构20，其具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且于该承载结构20的第一侧20a上设有相互分隔的多个电子元件21,21’,21”与至少一挡件22，且该挡件22位于各该电子元件21,21’之间。

于本实施例中，该承载结构20为具有核心层的线路结构或无核心层(coreless)的线路结构，其包含至少一绝缘层200与设于该绝缘层200上并具有接地部202的线路层201，如扇出(fanout)型重布线路层(redistributionlayer，简称rdl)，且形成该线路层201的材质为铜，而形成该绝缘层200的材质为如聚对二唑苯(polybenzoxazole，简称pbo)、聚酰亚胺(polyimide，简称pi)、预浸材(prepreg，简称pp)等的介电材。应可理解地，该承载结构20也可为其它承载芯片的承载件，如晶圆(wafer)、或其他具有金属布线(routing)的载板，并不限于上述。

此外，该电子元件21,21’,21”为主动元件、被动元件或其二者组合等，其中，该主动元件例如为半导体芯片，且该被动元件例如为电阻、电容及电感。具体地，该电子元件21,21’为射频芯片(例如：蓝牙芯片或wi-fi芯片)，但也可为其它无影响电磁波干扰的电子元件21”。例如，该电子元件21具有相对的作用面21a及非作用面21b，该作用面21a具有多个电极垫(图略)，其藉由多个如焊锡材料的导电凸块210以覆晶方式设于该线路层201上并电性连接该线路层201；或者，该电子元件21’可藉由多个焊线210’以打线方式电性连接该线路层201。然而，有关该电子元件电性连接该承载结构的方式不限于上述。

又，该挡件22为如聚合材料的绝缘板体，例如，正、负型感光光阻、热融性聚合材料、热消失材料或易腐蚀材料等，其立设于该线路层201上且位于各该电子元件21,21’周围；若该挡件22为热消失材料，其可为石蜡、聚苯乙烯(polystyrene)或其它可加热消失的材料。应可理解地，该挡件22的形状并无限制，如不规则状或任意几何形状。

如图2b所示，形成一包覆层24于该承载结构20的第一侧20a上，以令该包覆层24包覆该些电子元件21,21’,21”与该些挡件22，以形成本发明的电子封装件2，且令该挡件22的部分表面外露于该包覆层24，而各该电子元件21,21’,21”并未外露于该包覆层24。接着，形成多个如焊球的导电元件26于该承载结构20的第二侧20b的线路层201上，俾供后续接置如另一封装件、电路板或芯片等电子装置(图略)。

于本实施例中，该包覆层24为绝缘材，如聚酰亚胺(polyimide，简称pi)、干膜(dryfilm)、环氧树脂(expoxy)或封装材(moldingcompound)，其可用压合(lamination)或模压(molding)的方式形成于该承载结构20的第一侧20a上。例如，若该挡件22为热消失材料，该包覆层24可为模压用的封装材，其配合热消失材料并调整其作业温度；或者，该包覆层24也可为非受热影响材料。

此外，该包覆层24具有相对的第一表面24a与第二表面24b，使该包覆层24的第一表面24a结合至该承载结构20的第一侧20a上。

又，于该承载结构20的第二侧20b的最外层的线路层201上可形成一凸块底下金属层(underbumpmetallurgy，简称ubm)260，以利于结合该导电元件26。

另外，该挡件22的外露表面22a齐平该包覆层24的第二表面24b，以令该挡件22的端部外露于该包覆层24的第二表面24b。具体地，于形成该包覆层24时，可直接令该挡件22的上表面(外露表面22a)齐平该包覆层24的上表面(第二表面24b)；或者，如第2b’图所示，可先令该包覆层24的第二表面24b’覆盖该挡件22，再藉由如研磨或激光等方式移除该包覆层24的第二表面24b’的部分材质(视需求可移除该挡件22的部分材质)，使该挡件22的部分表面以齐平或开孔等方式外露出该包覆层24的第二表面24b。

如图2c所示，移除该挡件22，以形成至少一如板状的凹部240于该包覆层24的第二表面24b上，且使该线路层201(或接地部202)外露于该凹部240。

于本实施例中，藉由uv光照射、加热、夹持、剥除或化学溶剂等方式移除该挡件22，以形成贯穿该包覆层24的凹部240。

此外，若使用热消失模方式制作该包覆层24及其凹部240，则无需后续钻孔加工，因而能降低机械加工成本，且便于取模，又该包覆层24的凹部240不会有缺陷(例如该凹部240的壁面无飞边毛刺)，而该凹部240的形成位置及形状均不受制模、分模、取模等因素的限制，另可依据该该挡件22的熔化能力而完成任意大小的凹部240。

如图2d所示，以例如电镀的方式形成一金属层25于该包覆层24的第二表面24b与侧面24c上及该承载结构20的侧表面20c上，同时于该凹部240中也形成有金属层250(即该金属层25,250为一体成形)，使该金属层250接触该线路层201(或接地部202)，以令该金属层25,250电性连接该线路层201(或接地部202)，供作为电磁屏蔽隔间(emipartition)，以形成另一电子封装结构。

于本实施例中，形成该金属层25,250的材质如金、银、铜(cu)、镍(ni)、铁(fe)、铝(al)、不锈钢(sus)等。

此外，也可藉由涂布(coating)、溅镀(sputtering)、化镀、无电镀或蒸镀等方式形成该金属层25,250。

另外，于其它实施例中，该金属层25电性连接该承载结构20外露于该侧表面20c的线路层201(或接地部202)。

因此，本发明的电子封装件2的制法藉由先将该挡件22设于后续该金属层250的位置上，且该挡件22的高度等于该包覆层24的高度，故于形成该包覆层24后，该挡件22已外露于该包覆层24，此时只需移除该挡件22，以于该包覆层24中形成对应该挡件22的凹部40，后续即可将该金属层25,250形成于该包覆层24上及该凹部240中，使该金属层25,250有效形成电磁屏蔽隔间，故能避免悉知金属层15与金属板12无法电性导通所衍生的问题。

此外，藉由该些电子元件21,21’,21”外围覆盖有该金属层25,250，故该电子封装件2于运作时，该些电子元件21,21’,21”不会遭受外界的电磁干扰(emi)，且也藉由该金属层250作为电磁波屏障，使该些电子元件21,21’之间不会相互电磁干扰(例如，防止蓝牙芯片与wi-fi芯片之间的讯号相互干扰)，因而该电子封装件2的电性运作功能得以正常，避免影响整体该电子封装件2的电性效能。

本发明也提供一种电子封装件2，其包括：一承载结构20、至少一电子元件21,21’,21”、一包覆层24以及一挡件22。

所述的电子元件21,21’,21”设于该承载结构20上并电性连接该承载结构20。

所述的挡件22形成于该承载结构20上。

所述的包覆层24形成于该承载结构20上，以令该包覆层24包覆该电子元件21,21’,21”与该挡件22的至少部分表面。

于一实施例中，该承载结构20上设有多个该电子元件21,21’，且该凹部240位于相邻二该电子元件21,21’之间。

于一实施例中，该挡件22的部分表面外露出该包覆层24。例如，该挡件22的上表面齐平该包覆层24的上表面；或者，该包覆层24形成有外露出该挡件部分表面的开孔。抑或，该挡件22贯穿该包覆层24。

于一实施例中，该挡件22为热消失材料。

综上所述，本发明的电子封装件及其制法，藉由该挡件的先后设置及移除，以有效于包覆层外表面及其中形成电磁屏蔽隔间，避免悉知电磁屏蔽结构无法电性导通所衍生的问题。

上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。