技术特征：
技术总结
本发明提供一种具有N通孔电极的半导体器件结构，包括：外延结构、贯穿外延结构的通孔结构；形成于所述通孔结构内侧壁上的绝缘层；填充于所述通孔内的N电极，N电极与通孔内侧壁上的N型层形成欧姆接触；形成于所述P型层上的P电极。本发明采用通孔电极作为N电极引出，相比于传统的芯片电极结构设计，可以大大减小芯片的尺寸，提高芯片的亮度，同时，也是解决小间距LED照明的核心技术；通过在N通孔电极的侧壁以及除了出光面的芯片表面制作反射层，可以大大提高芯片的光品质。本发明在半导体器件设计领域，尤其是半导体照明、microLED、小间距显示等领域具有较广泛的应用前景。
技术研发人员：郝茂盛;张楠;袁根如
受保护的技术使用者：上海芯元基半导体科技有限公司
技术研发日：2016.11.02
技术公布日：2018.05.11