半导体器件及其形成方法与流程

文档序号:12725171阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体器件,包括:

衬底;

多个鳍结构,设置在所述衬底上;

多个第一应变材料,设置在所述多个鳍结构的每个上;

多个覆盖层,分别形成在所述多个第一应变材料的每个上,其中,至少两个覆盖层彼此连接;以及

第二应变材料,设置在彼此连接的所述至少两个覆盖层上。

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