技术总结
本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上设置的多个鳍结构；在多个鳍结构的每个上设置的多个第一应变材料；在多个第一应变材料的每个上分别形成的多个覆盖层，其中，至少两个覆盖层彼此连接；在彼此连接的至少两个覆盖层上设置第二应变材料。本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体器件的方法。
技术研发人员：张智强;宋学昌;李昆穆;游明华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610953747
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.06.20