显示面板、显示装置及显示面板的制造方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种将触控感应引线与数据线同层同步骤制作以缩短制程的显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。

背景技术：

触控屏作为一种输入媒介，是目前最为简单、方便、自然的一种人机交互方式。在显示装置上集成触控功能，已经成为越来越多显示器厂商的研发热点。

如图1所示，为现有技术中具有触控层的显示面板的结构示意图。

现有技术中的显示面板包括在图中Z方向由下至上的：基板11’、遮光层12’、缓冲层13’、多晶硅层21’、栅绝缘层22’、第一金属层、层间绝缘层23’、第二金属层、平坦化层31’、公共电极层32’、第一钝化层33’、第三金属层、第二钝化层35’和像素电极层36’。其中，第一金属层形成有栅极26’，第二金属层形成有在图中X方向排列的源极24’和漏极25’，源极24’和漏极25’分别通过层间绝缘层23’上的过孔耦接多晶硅层21’，源极25’通过平坦化层31’上的过孔耦接像素电极层36’，第三金属层形成有触控感应引线34’。其中，公共电极层32’复用为触控感应电极层，将其分割为数个触控感应电极，分别与触控感应引线34’耦接。

如图3所示，为现有技术中的触控感应电极的示意图。其中示出了触控感应引线34’与触控感应电极321’的耦接方式。触控感应电极321’分别在图中X方向和Y方向排列，形成多行多列的矩阵形式，用于作为自电容式触控的感应电极。第三金属层中制备的触控感应引线34’，上端连接至防静电装置，下端连接至集成电路板上。

采用该种结构，在制备显示面板时，在制备完薄膜晶体管部分之后，形成平坦化层31’，然后形成公共电极层32’，之后形成第一钝化层33’，然后在第三金属层制备触控感应引线34’，然后形成第二钝化层35’和像素电极层36’，由于膜层数较多，制程也较为复杂。从图1中可以看出，触控感应引线34’需要通过像素电极层36’跨桥连接公共电极层32’。具体如图4所示，为现有技术中像素电极的示意图，图中示出的两个像素电极在图中Y方向延伸，在图中X方向排列，触控感应引线34’在图中A’处通过像素电极361’跨桥连接，需要在第一钝化层33’和第二钝化层35’开设多个过孔。

如图2所示，为现有技术中另一典型的显示面板的示意图。其与图1中的技术方案的区别在于：在图中Z方向上，变更了第三金属层和公共电极层32’之间的位置，第二金属层包括在图中X方向排列的漏极24’和源极25’。从图中可以看出，第三金属层和公共电极层32’之间的连接同样是通过像素电极层36’跨桥连接。

以图2中显示面板的结构为例，其显示面板中各个膜层的制备顺序依次为：

基板11’→遮光层12’→多晶硅层21’→沟道掺杂层→N型掺杂层→第一金属层→P型掺杂层→层间绝缘层23’→第二金属层→平坦化层31’→第三金属层→第一钝化层33’和公共电极层32’→第二钝化层35’→像素电极层36’。

因为增加了第三金属层制作触控感应引线34’，因此这种自容式触控显示面板需要增加一道制程，使得低温多晶硅(LTPS)技术的制程由12道增加到13道，进一步增加了制程时间，导致产能下降。

另外，公共电极层32’和第三金属层的连接采用的是像素电极层36’跨桥连接的方式，这种方式存在着较高的断线和不良等风险。

技术实现要素：

针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种显示面板，使用一条数据线给两个像素电容充电，利用另一数据线作为触控感应引线，即触控感应引线与数据线同层设置，从而缩短显示面板制程。

本发明实施例提供一种显示面板，包括：

基板；

薄膜晶体管阵列层，位于所述基板的一侧，包括阵列排布的多个晶体管组件，各个所述晶体管组件包括第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和第一数据线，所述第一栅线和所述第二栅线在第一方向延伸，且在第二方向排列，所述第一数据线在所述第二方向延伸，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一方向排列，所述第一晶体管的栅极耦接所述第一栅线，所述第二晶体管的栅极耦接所述第二栅线，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极均耦接同一所述第一数据线。

可选地，至少部分所述晶体管组件还包括第二数据线，所述第二数据线与所述第一数据线同层设置，且所述第二数据线在所述第二方向延伸，所述显示面板还包括：

公共电极层，位于所述薄膜晶体管阵列层背离所述基板的一侧，所述公共电极层上设置多个触控感应电极，各个所述触控感应电极耦接至少一条所述第二数据线。

可选地，还包括像素电极层，所述像素电极层包括多个与所述晶体管组件一一对应的像素电极组，各个所述像素电极组包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别耦接同一所述晶体管组件的所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极。

可选地，所述像素电极层位于所述公共电极层背离所述薄膜晶体管阵列层的一侧，所述显示面板还包括：

平坦化层，位于所述薄膜晶体管阵列层与所述公共电极层之间；

钝化层，位于所述公共电极层与所述像素电极层之间。

可选地，所述像素电极层位于所述公共电极层与所述薄膜晶体管阵列层之间，所述显示面板还包括：

平坦化层，位于所述薄膜晶体管阵列层与所述像素电极层之间；

钝化层，位于所述像素电极层与所述公共电极层之间。

可选地，所述平坦化层中设置有多个过孔组，所述过孔组与所述晶体管组件一一对应，各个所述过孔组包括第一过孔、第二过孔和第三过孔，所述第一晶体管的漏极通过所述第一过孔与所述第一像素电极耦接，所述第二晶体管的漏极通过所述第二过孔与所述第二像素电极耦接，所述第二数据线通过所述第三过孔耦接至所对应的触控感应电极。

可选地，所述第一过孔、第二过孔和第三过孔依次沿所述第一方向排列。

可选地，在所述第二方向上，所述第一像素电极的延伸方向与所述第二像素电极的延伸方向相反。

可选地，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极分别位于所述第一数据线的两侧。

可选地，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管的源极和第二晶体管的源极集成为一共同源极。

可选地，所述第一晶体管的漏极、所述共同源极和所述第二晶体管的漏极依次沿所述第一方向排列。

可选地，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极沿所述第二方向排列，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极沿所述第一方向排列。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供一基板；

于所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层设置有阵列排布的多个晶体管组件，各个所述晶体管组件包括第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和第一数据线，所述第一栅线和第二栅线在第一方向延伸，且在第二方向排列，所述第一数据线在所述第二方向延伸，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一方向排列，所述第一晶体管的栅极耦接所述第一栅线，所述第二晶体管的栅极耦接所述第二栅线，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极均耦接同一所述第一数据线。

可选地，至少部分所述晶体管组件还包括第二数据线，所述第二数据线与所述第一数据线同层设置，且所述第二数据线在所述第二方向延伸，所述方法还包括如下步骤：

于所述薄膜晶体管阵列层背离所述基板的一侧形成平坦化层；

于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管阵列层的一侧形成公共电极层，所述公共电极层上设置多个触控感应电极，各个所述触控感应电极耦接至少一条所述第二数据线；于所述公共电极层背离所述平坦化层的一侧形成钝化层；

于所述钝化层背离所述公共电极层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个与所述晶体管组件一一对应的像素电极组，各个所述像素电极组包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别耦接同一所述晶体管组件的所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极。

可选地，至少部分所述晶体管组件还包括第二数据线，所述第二数据线与所述第一数据线同层设置，且所述第二数据线在所述第二方向延伸，所述方法还包括如下步骤：

于所述薄膜晶体管阵列层背离所述基板的一侧形成平坦化层；

于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管阵列层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个与所述晶体管组件一一对应的像素电极组，各个所述像素电极组包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别耦接同一所述晶体管组件的所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极；

于所述像素电极层背离所述平坦化层的一侧形成钝化层；

于所述钝化层背离所述像素电极层的一侧形成公共电极层，所述公共电极层上设置多个触控感应电极，各个所述触控感应电极耦接至少一条所述第二数据线。

本发明所提供的显示面板、显示装置及显示面板的制造方法具有下列优点：

本发明提供了一种采用数据线作为触控感应引线的技术方案，具体为使用一条数据线给两个像素电容充电，利用另一数据线作为触控感应引线，具体来说是将触控感应引线与数据线同层同步骤制作，省去了现有技术中的第三金属层，在减少一道第三金属层制程的同时，也减少了一道钝化层的制程，从而缩短了显示面板的制程，降低了显示面板的生产成本；同时减少了显示面板的膜层数，从而减小了显示面板的整体厚度，提高显示器件的穿透率。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1是现有技术中一典型的显示面板的示意图；

图2是现有技术中另一典型的显示面板的示意图；

图3是现有技术中触控感应电极的示意图；

图4是现有技术中像素电极的示意图；

图5是本发明一实施例的显示面板的示意图；

图6是本发明一实施例的多晶硅层的俯视图；

图7是本发明一实施例的第一金属层的俯视图；

图8是本发明一实施例的层间绝缘层的俯视图；

图9是本发明一实施例的平坦化层的俯视图；

图10是图9中A1-A1’方向的剖视图；

图11是本发明一实施例像素电极的一种布置方式的示意图；

图12是本发明一实施例像素电极的另一种布置方式的示意图；

图13是本发明一实施例中不需要连接触控感应电极时平坦化层的俯视图；

图14是图13中A2-A2’方向的剖视图；

图15是本发明另一实施例多晶硅层的俯视图；

图16是本发明另一实施例第一金属层的俯视图；

图17是本发明另一实施例层间绝缘层的俯视图；

图18是本发明另一实施例平坦化层的俯视图；

图19是图18中A3-A3’方向的剖视图；

图20是图18中A4-A4’方向的剖视图；

图21是本发明另一实施例像素电极层的俯视图；

图22是本发明不需要连接触控感应电极时平坦化层的俯视图；

图23是图22中A5-A5’方向的剖视图；

图24是图22中A6-A6’方向的剖视图；

图25是本发明再一实施例的多晶硅层的俯视图；

图26是本发明再一实施例的第一金属层的俯视图；

图27是本发明再一实施例的层间绝缘层的俯视图；

图28是本发明再一实施例的平坦化层的俯视图。

符号说明：

现有技术：

11’ 基板 12’ 遮光层 13’ 缓冲层

21’ 多晶硅层 22’ 栅绝缘层 23’ 层间绝缘层

24’ 漏极 25’ 源极 26’ 栅极

31’ 平坦化层 32’ 公共电极层 321’ 触控感应电极

33’ 第一钝化层 34’ 触控感应引线 35’ 第二钝化层

36’ 像素电极层 361’ 像素电极 A’ 跨线连接处

本发明：

11 基板 12 遮光层 13 缓冲层

21 多晶硅层 22 栅绝缘层

23 层间绝缘层 231～234 层间绝缘层过孔

241 第一晶体管的漏极 242 第二晶体管的漏极

251 第一晶体管的源极 252 第二晶体管的源极

25 共同源极

261 第一晶体管的栅极 262 第二晶体管的栅极

271 第一栅线 272 第二栅线

281 第一数据线 282 第二数据线

31 平坦化层 311～313 过孔

32 公共电极层 33 钝化层

36 像素电极层 361 第一像素电极 362 第二像素电极

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

如图5所示，为本发明一实施例的显示面板的示意图。其中包括在图中Z方向上从下至上的：基板11和薄膜晶体管层阵列层。所述薄膜晶体管阵列层包括阵列排布的多个晶体管组件，图5中示出了一个晶体管组件的示意图，其中各个所述晶体管组件包括第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和第一数据线，所述第一栅线和所述第二栅线在第一方向X延伸，且在第二方向Y排列(图中未示出)，所述第一数据线在所述第二方向Y延伸，该所述晶体管组件包括的所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一方向X排列，所述第一晶体管的栅极261耦接所述第一栅线，所述第二晶体管的栅极262耦接所述第二栅线，该所述晶体管组件包括的所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极均耦接同一所述第一数据线。其中，所述第一方向即为图中的X方向，所述第二方向即为图中的Y方向。

所述第一晶体管的栅极261和所述第二晶体管的栅极262位于第一金属层，所述第一晶体管的漏极241和所述第二晶体管的漏极242位于第二金属层，另外，该实施例中，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极集成为共同源极25，且所述共同源极25也位于所述第二金属层。

进一步地，所述显示面板还可以包括公共电极层32。图5中示出的公共电极层32位于所述薄膜晶体管阵列层背离所述基板11的一侧，然而实际应用中，公共电极层32的位置不限于此，还可以选择设置为其他位置。当公共电极层32复用为触控感应电极层时，所述第二金属层还可以进一步设置有第二数据线282，所述第二数据线282作为触控感应引线，且所述第二数据线282也在第二方向Y延伸。所述公共电极层32上设置多个触控感应电极，且各个所述触控感应电极耦接至少一条所述第二数据线282。需要注意的是，不一定是所有晶体管组件均设置有第二数据线282，另外，所述第二数据线282也不一定全部与触控感应电极耦接，以上均属于本发明的保护范围之内。

进一步地，所述显示面板还可以包括像素电极层36，所述像素电极层36包括多个与所述晶体管组件一一对应的像素电极组，各个所述像素电极组包括在所述第一方向X排列的第一像素电极361和第二像素电极362，所述第一像素电极361耦接所述第一晶体管的漏极241，所述第二像素电极362耦接所述第二晶体管的漏极242。

所述像素电极层36的位置可以设置在图5中示出的所述公共电极层32的上方，也可以选择设置在其他位置。当所述像素电极层36设置于所述公共电极层32的上方时，如图5所示，所述显示面板的结构优选为，在图中Z方向中从下至上包括：基板11、遮光层12、缓冲层13、多晶硅层21、栅绝缘层22、第一金属层、层间绝缘层23、第二金属层、平坦化层31、公共电极层32、钝化层33和像素电极层36。

当所述像素电极层36设置于所述公共电极层32的上方时，所述显示面板的结构优选为，在图中Z方向中从下至上包括：基板11、遮光层12、缓冲层13、多晶硅层21、栅绝缘层22、第一金属层、层间绝缘层23、第二金属层、平坦化层31、像素电极层36、钝化层33和公共电极层32。

此处列出的仅为两种优选的实施方式，而在实际应用中，可以根据需求进行调整各个膜层的顺序，有源层也不限于采用多晶硅层21，采用其他的单晶硅层、非晶硅层等均属于本发明的保护范围之内。

从图5中可以看出，采用本发明的结构，与现有技术相比，不仅可以在结构上减少一道第三金属层，也减少了一层钝化层，减小了显示面板的整体厚度。

如图6～9依次为本发明一实施例的多晶硅、第一金属层、层间绝缘层和平坦化层的俯视图，如图10所示，为图9中A1-A1’方向的剖视图。在该实施例中，各个晶体管组件包括的所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极集成为一个共同源极。采用该实施例，与现有技术相比，制程包括：

遮光层12制程与现有技术相同，遮挡住多晶硅层21的沟道即可；

在多晶硅层21的沟道制程中，在第一方向X和第二方向Y组成的平面上，多晶硅层的形状如图6所示；

沟道掺杂层和N型掺杂层制程与现有技术相同；

在第一金属层制程中，栅线有两条，即如图7所示，包括第一栅线271和第二栅线272，所述第一栅线271和第二栅线272分别控制左右两个晶体管的通断，所述第一栅线271和第二栅线272在所述第一方向X延伸，在第二方向Y排列；

P型掺杂层和现有技术相同；

在层间绝缘层23制程中，如图8所示，需要开三个层间绝缘层过孔231、232、233，其中第二层间绝缘层过孔232用于将第一晶体管的源极和第二晶体管的源极连接至多晶硅层21，第一层间绝缘层过孔231和第三层间绝缘层过孔233分别用于将第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极连接至多晶硅层21，所述三个层间绝缘层过孔231、232、233优选依次沿所述第一方向X排列，所述第一栅线271和第二栅线272在所述第一方向X延伸，在第二方向Y排列；

在第二金属层的制程中，形成第一晶体管的源极、漏极和第二晶体管的源极、漏极，如图9所示，其中，第一晶体管的源极和第二晶体管的源极集成为一共同源极25，共同源极25耦接第一数据线281；由于两个晶体管共用一个第一数据线281，与现有技术相比会多出一条数据线，即第二数据线282，这条数据线可以用作触控感应引线，所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极分别位于所述第一数据线281的两侧；

在平坦化层31的过程中，需要开三个过孔311、312、313，如图9和图10所示，图10中进一步示例性地示出了在平坦化层31上方的公共电极层和像素电极层，其中第一过孔311和第二过孔312用于所述第一晶体管的漏极241和所述第二晶体管的漏极242分别与第一像素电极361和第二像素电极362的连接，第三过孔313用于第二数据线282与公共电极层32的连接；所述三个过孔311、312、313优选依次沿所述第一方向X排列；对应地，所述第一晶体管的漏极241、共同源极25和所述第二晶体管的漏极242优选依次沿所述第一方向X排列，所述第一数据线281和第二数据线282在所述第二方向Y延伸。

公共电极层32和钝化层33的制程与现有技术相同；

像素电极层36的制程与现有技术相同。

从上面可以看出，采用本发明的技术方案，减少了一道第三金属层制程的同时，也减少了一道钝化层的制程，从而缩短了显示面板的制程。

如图11所示，为本发明一实施例的像素电极的一种布置方式的示意图。其中示出了像素电极层的结构。在此种技术方案中，所述第一像素电极361和所述第二像素电极362在所述第一方向X上排列，所述第一像素电极361的第一端耦接所述第一晶体管的漏极，所述第二像素电极362的第一端耦接所述第二晶体管的漏极，在所述第二方向Y上，所述第一像素电极361的延伸方向与所述第二像素电极362的延伸方向相反。

另外，如图12所示，为本发明一实施例的像素电极的另一种布置方式的示意图。在此种技术方案中，所述第一像素电极361和所述第二像素电极362在所述第一方向X上排列，所述第一像素电极361的第一端耦接所述第一晶体管的漏极，所述第二像素电极362的第一端耦接所述第二晶体管的漏极，在所述第二方向Y上，所述第一像素电极361的延伸方向与所述第二像素电极362的延伸方向相同。即各个所述像素电极的指向可以根据实际需要进行选择设置。

另外，采用此种技术方案时，也可以选择不设置触控感应电极和触控感应引线。如图13所示，为本发明一实施例中不需要连接触控感应电极时平坦化层的俯视图，其示出了在形成平坦化层之后，在所述第一方向X和第二方向Y组成的平面中显示面板的结构，图14为图13中A2-A2’方向的剖视图，其示出了在所述第一方向X和方向Z组成的平面中显示面板的结构。在不需要耦接触控感应电极时，平坦化层31中可以只开设两个过孔过孔311、312，用于两个漏极与两个像素电极的耦接。进一步地，由于不需要设置触控感应引线，也可以直接去除第二数据线，即相对于现有技术的方案，第二金属层中减少了一半的数据线，也属于本发明的保护范围之内。

如图15～18依次为本发明另一实施例的多晶硅层、第一金属层、层间绝缘层和平坦化层的俯视图，图19是图18中A3-A3’方向的剖视图，图20是图18中A4-A4’方向的剖视图。在该技术方案中，同一晶体管组件的所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极为分离的两个源极，且共同耦接同一条第一数据线。采用该实施例，与现有技术相比，制程包括：

遮光层12的制程与现有技术相同，遮挡住多晶硅层21的沟道即可；

在多晶硅层21的制程中，多晶硅层的形状如图15所示，在所述第一方向X和第二方向Y形成的平面中，所述多晶硅层的形状为两个L形；

沟道掺杂层和N型掺杂层的制程与现有技术相同；

在第一金属层的制程中，如图16所示，第一栅线271和第二栅线272的形状为T形，分别控制左右两个晶体管的通断，第一栅线271和第二栅线272在第一方向X延伸，在第二方向Y排列，此处T形仅为栅线形状的一个示例，在实际应用中，栅线也可以采用不同形状，只要可以实现控制对应的栅极的作用即可；

P型掺杂层的制程和现有技术相同；

在层间绝缘层23的制程中，如图17所示，需要开四个层间绝缘层过孔231～234，其中第二层间绝缘层过孔232和第三层间绝缘层过孔233分别用于将第一晶体管的源极和第二晶体管的源极连接至多晶硅层21，第一层间绝缘层过孔231和第四层间绝缘层过孔234分别用于将第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极连接至多晶硅层21，第一层间绝缘层过孔231和第四层间绝缘层过孔234在第一方向X排列，第二层间绝缘层过孔232和第三层间绝缘层过孔233在第二方向Y排列；

第二金属层制程和现有技术相似，如图18～20所示，在层间绝缘层第一过孔231和层间绝缘层第四过孔234上的第二金属层是漏极，在层间绝缘层第二过孔232和层间绝缘层第三过孔233上的第二金属层是源极。另外，因为相邻两个晶体管共用一第一数据线281，所以会多出一条第二金属层线，即第二数据线282，这条线用来作为触控感应引线，所述第一晶体管的漏极241和所述第二晶体管的漏极242分别位于所述第一数据线281的两侧，所述第一晶体管的源极251和所述第二晶体管的源极252优选沿所述第二方向Y排列，所述第一晶体管的漏极241和所述第二晶体管的漏极242优选沿所述第一方向X排列，各个层级在图中Z方向上依次排列；

在平坦化层的制程中，需要开设三个过孔311～313，其中第一过孔311和第二过孔312用于漏极和像素电极的连接，第三过孔312用于触控感应引线和触控感应电极的连接，所述三个过孔311、312、313优选依次沿所述第一方向X排列；

公共电极层32和钝化层33的制程与现有技术相同；

像素电极层36的制程与上述一实施例中相同，如图21所示，其中示出了各晶体管组件对应的一像素电极组中的第一像素电极361和第二像素电极362在第一方向X排列，且在第二方向Y上的指向相反。同样地，像素电极层36中的相邻两个像素电极可以为同向排列，也可以是如图中示出的反向排列。

另外，采用此种技术方案时，也可以选择不设置触控感应电极和触控感应引线。如图22所示为本发明不需要连接触控感应电极时平坦化层的俯视图，示出了在第一方向X和第二方向Y组成的平面中的各个层级的关系；如图23所示，为图22中A5-A5’方向的剖视图；如图24所示，为图22中A6-A6’方向的剖视图，图23和图24示出了在第一方向X和方向Z组成的平面中各个层级的上下关系，并进一步示例性地示出了公共电极层和像素电极层。在不需要连接触控感应电极时，平坦化层31中可以只开设两个过孔311、312。进一步地，由于不需要设置触控感应引线，也可以直接去除第二数据线，即相对于现有技术的方案，第二金属层中减少了一半的数据线，也属于本发明的保护范围之内。

如图25～28依次为本发明再一实施例的多晶硅层、第一金属层、层间绝缘层和平坦化层的俯视图。在该技术方案中，同一晶体管组件的第一晶体管的源极和第二晶体管的源极为分离的两个源极，且共同耦接同一第一数据线，该技术方案与上述另一实施例的区别在于：多晶硅形成十字形。采用该实施例，与现有技术相比，制程包括：

遮光层12的制程与现有技术相同，遮挡住多晶硅层21的沟道即可；

在多晶硅层21的制程中，多晶硅层的形状如图25所示，在第一方向X和第二方向Y组成的平面中，所述多晶硅可选为十字形；

沟道掺杂层和N型掺杂层的制程与现有技术相同；

在第一金属层的制程中，如图26所示，第一栅线271和第二栅线272的形状为T型，分别控制左右两个晶体管的通断，第一栅线271和第二栅线272在第一方向X延伸，在第二方向Y排列，同样地，此处T形仅为栅线形状的一个示例，在实际应用中，栅线也可以采用不同形状，只要可以实现控制对应的栅极的作用即可；

P型掺杂层的制程和现有技术相同；

在层间绝缘层23的制程中，如图27所示，需要开四个过孔231～234，其中第二层间绝缘层过孔232和第三层间绝缘层过孔233分别用于将第一晶体管的源极和第二晶体管的源极连接至多晶硅层21，第一层间绝缘层过孔231和第四层间绝缘层过孔234分别用于将第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极连接至多晶硅层21，所述第一层间绝缘层过孔231和第四层间绝缘层过孔234优选在第一方向X排列，所述第三层间绝缘层过孔233和第二层间绝缘层过孔232优选在第二方向Y排列；

第二金属层制程和现有技术相似，如图28所示，在层间绝缘层第一过孔231和层间绝缘层第四过孔234上的第二金属层是漏极，在层间绝缘层第二过孔232和层间绝缘层第三过孔233上的第二金属层是源极。另外，因为相邻两个晶体管共用一第一数据线281，所以会多出一条第二金属层线，即第二数据线282，这条线用来作为触控感应引线，所述第一晶体管的漏极241和所述第二晶体管的漏极242分别位于所述第一数据线281的两侧，所述第一晶体管的源极251和所述第二晶体管的源极252优选沿所述第二方向Y排列，所述第一晶体管的漏极241和所述第二晶体管的漏极242优选沿所述第一方向X排列；

在平坦化层的制程中，需要开设三个过孔311～313，其中第一过孔311和第二过孔312用于漏极和像素电极的连接，第三过孔312用于触控感应引线和触控感应电极的连接，所述三个过孔311、312、313优选依次沿所述第一方向X排列；

公共电极层32和钝化层33的制程与现有技术相同；

像素电极层36的制程与上述一实施例中相同，同样地，像素电极层36中的相邻两个像素电极可以为同向排列，也可以是反向排列。

同样地，采用此种技术方案时，也可以选择不设置触控感应电极和触控感应引线。在不需要连接触控感应电极时，平坦化层31中可以只开设两个过孔311、312。进一步地，由于不需要设置触控感应引线，也可以直接去除第二数据线，即相对于现有技术的方案，第二金属层中减少了一半的数据线，也属于本发明的保护范围之内。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。所述显示装置可以是电脑显示器、手机、平板电脑、电子相册等广泛应用的显示装置。采用上述显示面板的显示装置，可以缩短显示面板的制程，减小显示面板的厚度，进而缩短整个显示装置的制程，减小显示装置的整体体积。

本发明一实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：

提供一基板；

于所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层设置有阵列排布的多个晶体管组件，各个所述晶体管组件包括第一晶体管、第二晶体管、第一栅线、第二栅线和第一数据线，所述第一栅线和第二栅线在第一方向X延伸，且在第二方向Y排列，所述第一数据线在所述第二方向Y延伸，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一方向X排列，所述第一晶体管的栅极耦接所述第一栅线，所述第二晶体管的栅极耦接所述第二栅线，各所述晶体管组件包括的所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极均耦接同一所述第一数据线。

当所述公共电极层复用为触控电极层时，至少部分所述晶体管组件还包括第二数据线，所述第二数据线与所述第一数据线同层设置，且所述第二数据线在所述第二方向Y延伸。

所述方法还包括如下步骤：

于所述薄膜晶体管阵列层背离所述基板的一侧形成平坦化层；

于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管阵列层的一侧形成公共电极层，所述公共电极层上设置多个触控感应电极，各个所述触控感应电极耦接至少一条所述第二数据线；于所述公共电极层背离所述平坦化层的一侧形成钝化层；

于所述钝化层背离所述公共电极层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个与所述晶体管组件一一对应的像素电极组，各个所述像素电极组包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别耦接同一所述晶体管组件的所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极。

进一步地，当更换所述公共电极层和像素电极层的位置关系时，所述方法还包括如下步骤：

于所述薄膜晶体管阵列层背离所述基板的一侧形成平坦化层；

于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管阵列层的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个与所述晶体管组件一一对应的像素电极组，各个所述像素电极组包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极分别耦接同一所述晶体管组件的所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极；

于所述像素电极层背离所述平坦化层的一侧形成钝化层；

于所述钝化层背离所述像素电极层的一侧形成公共电极层，所述公共电极层上设置多个触控感应电极，各个所述触控感应电极耦接至少一条所述第二数据线。

采用上述方法，可以看出，将耦接触控感应电极的触控感应引线与数据线同层同步骤制作，减少了一道第三金属层制程，同时也减少了一道钝化层的制程，从而缩短了显示面板的总体制程。

本发明所提供的显示面板、显示装置及显示面板的制造方法具有下列优点：

本发明提供了一种采用数据线作为触控感应引线的技术方案，具体为使用一条数据线给两个像素电容充电，利用另一数据线作为触控感应引线，具体来说是将触控感应引线与数据线同层同步骤制作，省去了现有技术中的第三金属层，在减少一道第三金属层制程的同时，也减少了一道钝化层的制程，从而缩短了显示面板的制程，降低了显示面板的生产成本；同时减少了显示面板的膜层数，从而减小了显示面板的整体厚度，提高显示器件的穿透率。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。