技术特征：
技术总结
本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括形成从衬底延伸的鳍。鳍具有源极/漏极(S/D)区和沟道区。鳍包括第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层具有第一组分，且第二半导体层具有不同于第一组分的第二组分。该方法还包括从鳍的S/D区去除第一半导体层，从而使得第二半导体层的在S/D区中的第一部分悬置在间隔中。该方法还包括在S/D区中外延生长第三半导体层，第三半导体层围绕在第二半导体层的第一部分周围。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
技术研发人员：林群雄;吴忠政;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;谢文兴;许义明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.11.15
技术公布日：2017.08.11