1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成金属层；
利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影，得到金属图案，所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区；
在所述金属图案上形成非晶硅层；
对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜的步骤之后，还包括：
利用所述第一光罩对所述多晶硅薄膜进行曝光显影，进而去掉所述金属区。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成金属层的步骤，包括：
在基板上依次形成第一隔离层、金属层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度范围为3000A-1um。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属图案上形成非晶硅层的步骤之前，包括：
在所述金属图案上形成第二隔离层；
在所述第二隔离层上形成第一辅助功能层；
在所述第一辅助功能层上形成非晶硅层。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜的步骤之前，包括：
在所述非晶硅层上形成第二辅助功能层；
所述对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜的步骤，包括：
所述对形成有所述氧化硅层的所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度范围为450A-600A。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括通过权利要求1-7任一项所述的制备方法获得的低温多晶硅薄膜。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求8所述的薄膜晶体管。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括权利要求9所述的阵列基板。