技术总结
本发明提供了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：在基板上形成金属层；利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影，得到金属图案，所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区；在所述金属图案上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法中，通过在基板上形成金属图案，使得金属区与硅岛区形成温度差，非晶硅层重结晶时，在低温区形成晶粒结晶的起点，向温度较高的硅岛区侧向结晶，形成均匀的、较大的多晶硅晶粒、具有很高的电子迁移率的低温多晶硅薄膜。
技术研发人员：方宏
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201611033946
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.05.31