1.一种有机半导体器件的封装方法，其特征在于，包括步骤：
在柔性衬底上制作形成有机半导体器件；
在柔性衬底上制作形成分别位于有机半导体器件两侧且与有机半导体器件保持预定间隔的光阻块；
在光阻块、有机半导体器件及柔性衬底上沉积无机层；
将光阻块及其上的无机层去除；
在有机半导体器件和柔性衬底上的无机层上沉积有机层。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，还包括步骤：
在有机层上交替制作无机层和有机层；
在最后一层有机层上沉积无机层。
3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，制作所述光阻块的方法包括步骤：
在柔性衬底和有机半导体器件上涂布一层光阻层；
利用预定的光照掩膜版对光阻层进行曝光；其中所述光罩掩膜版包括遮光部及分别位于所述遮光部两侧的透光部，所述遮光部与所述有机半导体器件相对，所述遮光部的两侧分别超出所述有机半导体器件的两侧；
对经曝光后的光阻层进行显影，以将与所述遮光部相对的光阻层去除，从而形成所述光阻块。
4.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，利用等离子体增强化学气相沉积法、脉冲激光沉积法或者溅射沉积法沉积所述无机层。
5.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述无机层包含Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，利用喷墨印刷成型法、等离子体增强化学气相沉积法或者夹缝式挤压型涂布法制作所述有机层。
7.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述有机层包含丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂和聚苯乙烯中的至少一种。
8.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，将光阻块及其上的无机层去除的具体方法为：利用有机溶剂浸泡预定时间，以使光阻块从柔性衬底上脱离。