基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的衬底反光增强N型异质结HEMT的制备方法，其特征在于，包括：

选取蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底下表面形成反光层；

在所述蓝宝石衬底上表面制作源漏电极；

在所述源漏电极以及未被所述源漏电极覆盖的所述蓝宝石衬底上表面形成电子传输层；

在所述电子传输层表面形成包括CH₃NH₃PbI₃材料的光吸收层；

在所述光吸收层表面制作栅电极以最终形成所述N型异质结HEMT。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底下表面形成反光层，包括：

以Ag材料作为靶材，以Ar作为溅射气体通入溅射腔，在真空度为6×10^-4～1.3×10^-3Pa，溅射功率为20～100W的条件下，利用磁控溅射工艺，在所述蓝宝石衬底下表面溅射Ag材料形成所述反光层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上表面制作源漏电极，包括：

采用第一物理掩膜版，以Au材料作为靶材，以Ar作为溅射气体通入溅射腔，在真空度为6×10^-4～1.3×10^-3Pa，溅射功率为20～100W的条件下，在所述蓝宝石衬底上表面溅射Au材料形成所述源漏电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源漏电极以及未被所述源漏电极覆盖的所述蓝宝石衬底上表面形成电子传输层，包括：

以TiO₂材料作为靶材，以Ar和O₂作为溅射气体通入溅射腔，在真空度为1.3×10^-3～3×10^-3Pa，溅射功率为60～80W的条件下，在包括所述源漏电极的整个衬底的上表面溅射TiO₂材料形成所述源所述电子传输层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电子传输层表面形成包括CH₃NH₃PbI₃材料的光吸收层，包括：

利用单一旋涂工艺，在所述电子传输层表面旋涂质量浓度为8mg/ml的PCBM材料，退火处理后形成活性层；

利用单一旋涂工艺，在所述活性层表面旋涂CH₃NH₃PbI₃材料；

利用退火工艺，对所述CH₃NH₃PbI₃材料进行退火处理形成所述光吸收层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电子传输层表面形成包括CH₃NH₃PbI₃材料的光吸收层，包括：

利用单一旋涂工艺，将CH₃NH₃PbI₃与PCBM的混合溶液旋涂在所述电子传输层表面形成CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料；

利用退火工艺，对所述CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料进行退火处理形成所述光吸收层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将CH₃NH₃PbI₃与PCBM的混合溶液旋涂在所述电子传输层表面形成CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料，包括：

将PbI₂材料和CH₃NH₃I材料先后加入DMSO:GBL溶液中形成PbI₂和CH₃NH₃I的混合溶液；

将所述PbI₂和CH₃NH₃I的混合溶液加热搅拌，并进行退火处理后形成CH₃NH₃PbI₃溶液；

将所述CH₃NH₃PbI₃溶液和PCBM溶液混合后旋涂在所述电子传输层表面形成所述CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光吸收层表面制作栅电极，包括：

采用第二掩膜板，以Au材料作为靶材，以Ar气体作为溅射气体通入溅射腔，在真空度为6×10^-4～1.3×10^-3Pa，溅射功率为20～100W的条件下，在所述光吸收层表面溅射Au材料形成所述栅电极。

9.一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的衬底反光增强的N型异质结HEMT，其特征在于，所述N型异质结HEMT由权利要求1-8任一项所述的方法制备形成。