技术总结
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成电子传输层；在电子传输层表面形成包括CH3NH3PbI3材料的光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成N型异质结HEMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，在衬底下表面镀银形成反射增强型HEMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。
技术研发人员：贾仁需;刘银涛;汪钰成;庞体强;张玉明
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201611124458
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2017.05.31