1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(11)，在所述栅极(11)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(20)；
步骤2、在所述栅极绝缘层(20)上形成对应于所述栅极(11)上方的有源层(30)，在所述有源层(30)与栅极绝缘层(20)上形成刻蚀阻挡层(40)，在所述刻蚀阻挡层(40)上形成分别对应于所述有源层(30)两端的第一通孔(41)和第二通孔(42)；
在所述刻蚀阻挡层(40)上形成源极(51)和漏极(52)，所述源极(51)和漏极(52)分别经由所述第一通孔(41)和第二通孔(42)与所述有源层(30)的两端相接触；
步骤3、在所述源极(51)、漏极(52)与刻蚀阻挡层(40)上形成钝化层(45)，在所述钝化层(45)上形成平坦层(50)；
在所述钝化层(45)与平坦层(50)上形成对应于所述漏极(52)上方的第三通孔(53)；
在所述平坦层(50)上形成阳极(60)，所述阳极(60)经由所述第三通孔(53)与所述漏极(52)相接触；
步骤4、在所述阳极(60)与平坦层(50)上形成一有机光阻层(70)，采用一半色调掩膜板(75)对所述有机光阻层(70)进行曝光、显影，同时得到像素定义层(80)与设于所述像素定义层(80)上的支撑层(90)，所述像素定义层(80)上设有对应于所述阳极(60)上方的开口(85)，所述支撑层(90)包括间隔设置的数个支撑物(91)。
2.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，所述半色调掩膜板(75)包括对应于所述开口(85)的全透射区域(751)、对应于所述支撑层(90)的非透射区域(752)、以及对应于所述像素定义层(80)上除所述开口(85)以及被所述支撑层(90)覆盖的区域以外的其它区域的半透射区域(753)。
3.如权利要求2所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述全透射区域(751)的光线穿透率为100％，所述半透射区域(753)的光线穿透率为50％，所述非透射区域(752)的光线穿透率为0％。
4.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述有源层(30)的材料为氧化物半导体。
5.如权利要求4所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。
6.如权利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述支撑物(91)的形状为柱状。
7.一种TFT背板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(11)、设于所述栅极(11)与衬底基板(10)上的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上且对应于所述栅极(11)上方的有源层(30)、设于所述有源层(30)与栅极绝缘层(20)上的刻蚀阻挡层(40)、设于所述刻蚀阻挡层(40)上的源极(51)和漏极(52)、设于所述源极(51)、漏极(52)与刻蚀阻挡层(40)上的钝化层(45)、设于所述钝化层(45)上的平坦层(50)、设于所述平坦层(50)上的阳极(60)、设于所述阳极(60)与平坦层(50)上的像素定义层(80)、以及设于所述像素定义层(80)上的支撑层(90)；
所述刻蚀阻挡层(40)上设有分别对应于所述有源层(30)两端的第一通孔(41)和第二通孔(42)，所述源极(51)和漏极(52)分别经由所述第一通孔(41)和第二通孔(42)与所述有源层(30)的两端相接触；
所述钝化层(45)与平坦层(50)上设有对应于所述漏极(52)上方的第三通孔(53)，所述阳极(60)经由所述第三通孔(53)与所述漏极(52)相接触；
所述像素定义层(80)上设有对应于所述阳极(60)上方的开口(85)，所述支撑层(90)包括间隔设置的数个支撑物(91)；
所述像素定义层(80)与支撑层(90)为一个整体，且材料相同。
8.如权利要求7所述的TFT背板，其特征在于，所述有源层(30)的材料为氧化物半导体。
9.如权利要求8所述的TFT背板，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。
10.如权利要求7所述的TFT背板，其特征在于，所述支撑物(91)的形状为柱状。