1.一种高压超结VDMOS，其特征在于，包括：
N+衬底；
第一超结，位于所述N+衬底上面；
第二超结，位于所述第一超结上面。
2.如权利要求1所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述第一超结，包括：
第一外延区；
第一P柱，位于所述第一外延区外侧。
3.如权利要求2所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述第二超结，包括：
第二外延区；
第二P柱，位于所述第二外延区外侧。
4.如权利要求3所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
P阱，位于所述第二超结上面，且与所述第二外延区、以及所述第二P柱相连。
5.如权利要求4所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
N+源区，设置在所述P阱上面。
6.如权利要求5所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
源极，与所述P阱、以及所述N+源区相连；
漏极，与所述N+衬底相连。
7.如权利要求6所述的高压超结VDMOS，其特征在于，所述高压超结VDMOS，还包括：
栅氧化层，位于所述P阱、以及所述第二外延上面，且与所述P阱、以及所述第二外延区相连；
栅极，与所述栅氧化层相连。