技术特征：
技术总结
本发明提供一种太阳电池集成式GaAs结二极管的结构设计及制造方法，该集成式二极管为单结结构，从上到下依次设置有上电极金属层、Ge子电池、Ge衬底和下电极金属层。该方法包括以下步骤，1)第一次光刻腐蚀，将二极管区域腐蚀至隧穿结层；2)第二次光刻腐蚀，将跨越区腐蚀至衬底层；3)第三次光刻腐蚀，将隔离区腐蚀至衬底层；4)光刻、蒸镀上电极；5)蒸镀下电极；6)划片；7)制减反射膜。本发明的有益效果是：集成式二极管只采用GaAs结单结结构，其开启电压只有1.1Ⅴ左右，有益于并联电池在出现故障之时，及时导通旁路二极管，避免出现更大的电池伤害；本发明降低了其热阻值，进而大大降低旁路二极管被热击穿的风险。
技术研发人员：梁存宝;杜永超;铁剑锐;王鑫;孙希鹏;李晓东;刘建生
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.08.18