一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器的制作方法

文档序号:11099193阅读:456来源:国知局
一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器的制造方法与工艺

本发明属于电抗器技术领域,具体涉及一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器。



背景技术:

近年来,可控电抗器得到越来越广泛的应用。它是一种带铁心的非线性电路,有直流和交流绕组,利用直流激磁控制铁心的饱和程度,从而控制、改变交流绕组电感感抗值。可控电抗器是电力系统中电压控制和无功补偿的重要装置,近年来得到了广泛的应用。在电力系统中,可控电抗器可用作无功功率补偿装置,限制操作过电压、减小线路的空载及轻载损耗,提高电力系统的输电能量、稳定性和电网可靠性。它可连续平滑调节功率、控制灵活、成本较低、寿命较长、维护管理简便。

而现有的可控电抗器具有三个严重的缺点:一是电抗器电流中含有很大的高次谐波成分,二是正常运行方式下有功损耗特别大,三是现有的可控电抗器工作绕组和控制绕组是独立分开的,导致可控电抗器结构复杂、成本高。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器。

一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器,包括:轭块、第一铁芯、第二铁芯、第三铁芯,其特征在于:所述轭块的数量为两组,两组轭块之间设有第一铁芯、第二铁芯、第三铁芯,轭块由若干组竖直叠加排列的铁芯叠片组成,轭块上的铁芯叠片通过螺栓紧固连接,第一铁芯、第二铁芯、第三铁芯也是由若干组竖直叠加排列的铁芯叠片组成,第一铁芯、第二铁芯、第三铁芯上的铁芯叠片通过通过扎带绑扎固定,第一铁芯和第三铁芯的中部设有两组圆环形的凹槽,第一铁芯的外侧沿竖直方向设有第一线圈、第二线圈、第三线圈,第三铁芯的外侧沿竖直方向设有第四线圈、第五线圈、第六线圈。

优选地,所述第一线圈和第四线圈的上部端口与输入端口的一端相连接,输入端口的另一端与第三线圈和第六线圈的下部端口相连接,第一线圈的下部端口与第六线圈的上部端口相连接,第三线圈的上部端口与第四线圈下部端口相连接,第二线圈的上部端口与第五线圈的上部端口相连接,第二线圈和第五线圈的下部端口与输出端口相连接。

优选地,所述第一铁芯中部的两组圆环形凹槽的宽度与第一铁芯最外侧铁芯叠片的宽度相等。

优选地,所述第三铁芯中部的两组圆环形凹槽的宽度与第三铁芯最外侧铁芯叠片的宽度相等。

与现有技术相比,本发明的有益效果:

本发明中第一铁芯和第三铁芯中部设有两组圆环形凹槽,铁芯面积具有减小的两段,在电抗器整个工作范围内,只有小截面段磁路饱和,其余段均处于未饱和线性状态,从而实现电抗器容量的调节,并降低高次谐波成分和有功损耗;本发明将工作绕组和控制绕组有机地结合在一起,有利于减少损耗,简化结构。

附图说明

图1为本发明一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器的结构示意图。

图2为本发明中第一铁芯和第三铁芯的剖视示意图。

图3为本发明中轭块的俯视示意图。

图中,1、轭块,2、第一铁芯,3、第二铁芯,4、第三铁芯,5、输入端口,6、输出端口,7、扎带,8、线圈组,801、第一线圈,802、第二线圈,803、第三线圈,804、第四线圈,805、第五线圈,806、第六线圈。

具体实施方式

参见图1、图2、图3,一种基于磁通控制的大容量可调低压串联电抗器,包括:轭块1、第一铁芯2、第二铁芯3、第三铁芯4,其特征在于:所述轭块1的数量为两组,两组轭块1之间设有第一铁芯2、第二铁芯3、第三铁芯4,轭块1由若干组竖直叠加排列的铁芯叠片组成,轭块1上的铁芯叠片通过螺栓紧固连接,第一铁芯2、第二铁芯3、第三铁芯4也是由若干组竖直叠加排列的铁芯叠片组成,第一铁芯2、第二铁芯3、第三铁芯4上的铁芯叠片通过通过扎带7绑扎固定,第一铁芯2和第三铁芯4的中部设有两组圆环形的凹槽,第一铁芯2的外侧沿竖直方向设有第一线圈801、第二线圈802、第三线圈803,第三铁芯4的外侧沿竖直方向设有第四线圈804、第五线圈805、第六线圈806。

优选地,所述第一线圈801和第四线圈804的上部端口与输入端口5的一端相连接,输入端口5的另一端与第三线圈803和第六线圈806的下部端口相连接,第一线圈801的下部端口与第六线圈806的上部端口相连接,第三线圈803的上部端口与第四线圈804下部端口相连接,第二线圈802的上部端口与第五线圈805的上部端口相连接,第二线圈802和第五线圈805的下部端口与输出端口6相连接。

优选地,所述第一铁芯2中部的两组圆环形凹槽的宽度与第一铁芯2最外侧铁芯叠片的宽度相等。

优选地,所述第三铁芯4中部的两组圆环形凹槽的宽度与第三铁芯4最外侧铁芯叠片的宽度相等。

本发明技术方案在上面结合附图对发明进行了示例性描述,显然本发明具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进,或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围之内。

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