1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一封装元件，包括：
陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；
连接层，印刷于所述连接面，所述连接层的材料为钨或者钼锰合金；
镍层，层叠于所述连接层；及
金层，层叠于所述镍层；
第二封装元件，所述第二封装元件为板状且能够盖设于所述陶瓷基座上以封闭所述收容槽，所述第二封装元件由可伐合金制成。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述可伐合金为铁钴镍合金；及/或，所述陶瓷基座的材料为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述连接层的厚度为10微米～50微米。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述镍层的厚度为1微米～12微米；及/或，所述金层的厚度为0.4微米～1.0微米。
5.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一封装元件，包括：
陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；
连接层，印刷于所述连接面，所述连接层的材料为钨或者钼锰合金；
镍层，层叠于所述连接层；及
金层，层叠于所述镍层；
待密封元件，收容在所述收容槽中；及
第二封装元件，所述第二封装元件为板状，且与所述陶瓷基座的金层焊接固定以封闭所述收容槽，所述第二封装元件由可伐合金制成。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述可伐合金为铁钴镍合金；及/或，所述陶瓷基座的材料为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。
7.权利要求5～6任一项所述的封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将陶瓷浆料流延成型制备陶瓷基座，所述陶瓷基座具有连接面，所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽；
在所述连接面表面丝网印刷连接层浆料，所述连接层浆料为钨金属浆料或者钼锰金属浆料；
对丝网印刷钨浆料后的陶瓷基座进行高温共烧处理在所述陶瓷基座的连接面形成连接层；
依次在所述连接层的表面电镀制备镍层及金层；
将所述待密封元件收容在所述收容槽内，并将所述第二封装元件盖设于所述陶瓷基座，所述第二封装元件与所述金层贴合；及
对所述第二封装元件与所述金层进行激光封焊。
8.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述高温共烧处理的温度为1200℃～1650℃，所述高温共烧处理的时间为20小时～23小时。
9.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述对所述第二封装元件与所述金层进行激光封焊的步骤中：所述激光封焊在保护性气体氛围下进行；焊接速度为100mm/min～300mm/min；激光峰值功率为0.3KW～7KW，脉冲宽度为2ms～10ms，脉冲重复频率为10Hz～30Hz，离焦量为-5mm～4.2mm。
10.根据权利要求7所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述陶瓷浆料以质量份数计包括85份～95份的陶瓷粉，5份～9份的粘结剂及45份～65份的溶剂；及/或，所述钨浆料以质量份数计包括85份～95份的W，4份～8份的TiO，0.5份～1.0份的CaO及3份～6份的Al2O3。