技术特征：
技术总结
半导体芯片包括具有第一主延伸方向和第二主延伸方向的半导体元器件，第一主延伸方向和第二主延伸方向形成垂直于半导体芯片的堆叠方向布置的主延伸平面，在半导体元器件上直接布置可焊接的第一和第二金属区域及介电区域，第一金属区域和第二金属区域由介电区域电分离，第二金属区域沿第一主延伸方向与第一金属区域相距第一间距，其特征是，在第一金属区域上布置未焊接状态下具有至少相当于第一间距的三倍的第四层厚度的第一焊料，在第一焊料上布置第三金属区域，第三金属区域沿第一主延伸方向与半导体元器件的边缘相距相当于未焊接状态下的第一焊料的第四层厚度的至少5倍的第三间距，第一、第二、第三金属区域和第一焊料材料锁合连接。
技术研发人员：A·格拉赫;T·卡利希
受保护的技术使用者：罗伯特·博世有限公司
技术研发日：2016.11.09
技术公布日：2017.08.08