一种发光二极管的外延片的制作方法

技术特征：

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述成核层包括层叠的多层N型Al_xGa_1-xN层，其中，0≤X≤1，各层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度不变，多层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向连续变化。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，多层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向增大。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，多层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向减小。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，多层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向先增大后减小。

5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，多层所述N型Al_xGa_1-xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向先减小后增大。

6.根据权利要求1～5任一项所述的外延片，其特征在于，所述成核层还包括多层N型GaN层，所述N型GaN层与所述N型Al_xGa_1-xN层交替层叠。

7.根据权利要求1～5任一项所述的外延片，其特征在于，所述成核层的厚度大于或等于200nm。