技术总结
本实用新型公开了一种发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层，成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，各层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度不变，多层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化，通过成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，且各层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度不变，多层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化，有利于电流的扩展，降低了外延片的电阻，进而降低外延片的正向电压，减少LED的能耗和发热量，延长使用寿命。
技术研发人员：代露;万林;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201620819651
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.01.25