一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置的制作方法

本实用新型涉及功率开关器件处理设备领域，具体为一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置。

背景技术：

大功率晶闸管寿命的控制体现在两个方面：即在制造工艺中预防或去除少数载流子减少的缺陷以及有控制地降低少子寿命，以便获得需要的大功率晶闸管关断时间或恢复电荷的数值。然而用于大功率晶闸管的制造材料是硅，硅在高温制造工艺中对于有害杂质和其他缺陷的作用是特别敏感的，在这方面大功率晶闸管面临的问题要比其他半导体器件更严重些。原因有一，其一，由于大功率晶闸管结深要深，故要求扩散温度较高，时间较长；其二，它是一种在工作时整个硅晶片厚度内都要使用的器件，而许多信息器件只使用硅晶片的表面层，因而能有效地利用晶片的其余部分作为有害杂质的吸收区。一些不希望的杂质在高温制造工艺中，藉扩散从硅片的表面进入到体内，而且某些杂质比如铜、铁、金等的扩散速度比通常的p型或n型掺杂剂要高几个数量级。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，包括装置底座，所述装置底座上部一侧设置有浸泡箱和清洗箱，所述浸泡箱和所述清洗箱通过连接板连接，所述浸泡箱和所述清洗箱均通过立柱与装置顶架连接，所述装置顶架上滑动设置有滑块，所述滑块上设置有多级油缸，所述多级油缸与托架连接，所述装置顶架上还设置有枪头座，所述枪头座上设置有一组清洗枪，所述装置顶架一侧还设置有夹手座和一组蛇形管，所述蛇形管端部设置有夹手，所述装置顶架一端与设置在所述装置底座上的扩散炉连接，所述扩散炉设置有炉口，所述炉口配备有推拉架。

优选的，所述浸泡箱和所述清洗箱下部均设置有放液阀，所述浸泡箱上部还设置有进液阀，所述连接板通过一组螺栓与所述浸泡箱和所述清洗箱连接。

优选的，所述装置顶架上开设有滑槽，所述滑块与所述滑槽滑动配合。

优选的，所述枪头座上开设有一组枪头槽，所述清洗枪与所述枪头槽适配，所述清洗枪上部还设置有台阶，所述台阶与所述枪头座适配。

优选的，所述托架通过一组连杆与顶杆连接，所述顶杆上设置有连接座，所述连接座与所述多级油缸的活塞杆连接。

优选的，所述夹手座上设置有一组夹手夹头，所述夹手夹头与所述夹手适配，所述推拉架上放置有耐高温托盘。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置使用时，先将氢氟酸溶液注入到浸泡箱中，然后将大功率晶闸管硅片放置在托架上，然后控制多级油缸伸出，使得托架浸入浸泡箱中的氢氟酸溶液中，氢氟酸溶液没过大功率晶闸管硅片表面，氢氟酸溶液起到了去除硅片表面氧化层的作用，浸泡过后，升起托架，移动滑块，使得多级油缸带动托架移动到清洗箱上部，然后将高纯化学试剂通入到清洗枪处喷出，使用清洗枪清洗硅片表面，以去除硅片表面有害杂质，清洗箱用来回收清洗液，清洗结束后，可将清洗枪插放在枪头座上，开启扩散炉，按工艺要求的时间和温度调节好，待炉温升到950℃，再将清洗后烘干的硅片通过夹手夹起放在炉口处推拉架上的耐高温托盘上，待硅片慢慢适应炉温后再缓慢推入扩散炉恒温区，以防止硅片温差过大变形；本装置能起到比以往使用化学试剂清洗来去除有害杂质更好的效果，更能获得需要的大功率晶闸管关断时间或恢复电荷的数值，能有效延长大功率晶闸管的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型装置顶架的俯视图。

图3为本实用新型托架的俯视图。

图中：1、装置底座，2、浸泡箱，3、清洗箱，4、连接板，5、立柱，6、装置顶架，7、滑块，8、多级油缸，9、托架，10、枪头座，11、清洗枪，12、夹手座，13、蛇形管，14、夹手，15、扩散炉，16、炉口，17、推拉架，18、放液阀，19、进液阀，20、螺栓，21、滑槽，22、枪头槽，23、台阶，24、活塞杆，25、连杆，26、顶杆，27、连接座，28、夹手夹头，29、耐高温托盘。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置，包括装置底座1，所述装置底座1上部一侧设置有浸泡箱2和清洗箱3，所述浸泡箱2和所述清洗箱3通过连接板4连接，所述浸泡箱2和所述清洗箱3均通过立柱5与装置顶架6连接，所述装置顶架6上滑动设置有滑块7，所述滑块7上设置有多级油缸8，所述多级油缸8与托架9连接，所述装置顶架6上还设置有枪头座10，所述枪头座10上设置有一组清洗枪11，所述装置顶架6一侧还设置有夹手座12和一组蛇形管13，所述蛇形管13端部设置有夹手14，所述装置顶架6一端与设置在所述装置底座1上的扩散炉15连接，所述扩散炉15设置有炉口16，所述炉口16配备有推拉架17，所述浸泡箱2和所述清洗箱3下部均设置有放液阀18，所述浸泡箱2上部还设置有进液阀19，所述连接板4通过一组螺栓20与所述浸泡箱2和所述清洗箱3连接，所述装置顶架6上开设有滑槽21，所述滑块7与所述滑槽21滑动配合，所述枪头座10上开设有一组枪头槽22，所述清洗枪11与所述枪头槽22适配，所述清洗枪11上部还设置有台阶23，所述台阶23与所述枪头座10适配，所述托架9通过一组连杆25与顶杆26连接，所述顶杆26上设置有连接座27，所述连接座27与所述多级油缸8的活塞杆24连接，所述夹手座12上设置有一组夹手夹头28，所述夹手夹头28与所述夹手14适配，所述推拉架17上放置有耐高温托盘29。

工作原理：在使用该提高大功率晶闸管寿命的二次吸收装置时，先将氢氟酸溶液注入到浸泡箱2中，然后将大功率晶闸管硅片放置在托架9上，然后控制多级油缸8伸出，使得托架9浸入浸泡箱2中的氢氟酸溶液中，氢氟酸溶液没过大功率晶闸管硅片表面，氢氟酸溶液起到了去除硅片表面氧化层的作用，浸泡过后，升起9托架，移动滑块7，使得多级油缸8带动托架9移动到清洗箱3上部，然后将高纯化学试剂通入到清洗枪11处喷出，使用清洗枪11清洗硅片表面，以去除硅片表面有害杂质，清洗箱3用来回收清洗液，清洗结束后，可将清洗枪11插放在枪头座10上，开启扩散炉15，按工艺要求的时间和温度调节好，待炉温升到950℃，再将清洗后烘干的硅片通过夹手14夹起放在炉口16处推拉架17上的耐高温托盘29上，待硅片慢慢适应炉温后再缓慢推入扩散炉15恒温区，以防止硅片温差过大变形。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。