技术总结
本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，在同一块基底上，分别将三个LED芯片单元并联，形成两个并联组，在将两个串联组，形成发光组，该基底上分布多组发光组，发光组之间串联。所述发光组之间的距离为0.1‑0.2mm。采用本技术方案的有益效果是：采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的发散角。
技术研发人员：蒋金凤
受保护的技术使用者：深圳市华鑫伟天光电有限公司
文档号码：201620856574
技术研发日：2016.08.09
技术公布日：2017.09.22