本实用新型涉及太阳能电池生产辅助设备技术领域，具体的说涉及一种用于硅片镀膜得承载装置。
背景技术：
晶体硅太阳能电池是市场上的主流产品，其制造流程为：表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。其中，镀膜工序是指在制备太阳能电池过程中镀减反射膜即制备氮化硅薄膜，主要采用等离子体增强化学气相沉淀(PECVD)的方法。所以，PECVD载板是硅片镀膜设备的一种重要装置，其工作原理为：待镀膜的硅片需平整的放置在载板的工位上，经传输部件运输到硅片镀膜设备中的等离子腔室，然后在一定工艺条件下进行镀膜。
现有技术中，当机械手臂往承载装置上的内框放置硅片时，由于机械手臂需要破真空，硅片会有一段短距离的自由落体过程，产生下压气流，形成反制作用力，导致硅片不能准确的落入承载槽中的指定位置上，造成硅片镀膜不均匀或者损毁，提高了硅片的返工率和碎片率，导致镀膜良好率下降。
鉴于现有技术中存在的上述缺陷，目前急需一种硅片镀膜用的承载装置，可以使硅片能够较稳定的落入承载槽中的指定位置，从而提升镀膜得均匀性，降低返工率和碎片率，提升镀膜得良好率。
技术实现要素：
本实用新型提供的一种用于硅片镀膜的承载装置，以解决现有技术中因硅片不能准确的落入承载槽中的指定位置而导致镀膜良好率降低的问题。
根据本实用新型的一个方面，提供一种用于硅片镀膜的承载装置，所述承载装置包括承载装置本体，所述承载装置本体上设置有至少一个承载槽，
所述承载槽内部设置有正方形的内承载槽；
所述内承载槽上设置有至少三个小孔。
根据本实用新型的一个具体实施方式，所述内承载槽的槽距为161mm。
根据本实用新型的另一个具体实施方式，所述至少三个小孔的孔径为8mm～10mm。
根据本实用新型的又一个具体实施方式，所述至少三个小孔以所述内承载槽的中心点为原点在其周围均匀分布。
根据本实用新型的又一个具体实施方式，所述承载装置本体的材料为石墨。
采用本实用新型提供的一种用于硅片镀膜的承载装置，拓宽了内承载槽的槽距，同时在内承载槽上进行均匀开孔。当机械手臂往内承载槽里放置硅片时，硅片自由落体产生的下压气流可以直接从小孔中溢出，分解了下落过程中下压气流产生的反制作用力，使硅片可以准确的覆盖在小孔上，不会发生错位。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是根据本实用新型提供的一种用于硅片镀膜的承载装置的一种具体实施方式的结构示意图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
为了更好地理解和阐释本发明，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述。
本实用新型提供的一种用于硅片镀膜的承载装置，请参考图1，图1是根据本实用新型提供的一种用于硅片镀膜的承载装置的一种具体实施方式的结构示意图。
所述承载装置包括承载装置本体1，所述承载装置本体1上设置有至少一个承载槽2，所述承载槽2内部设置有正方形的内承载槽3；所述内承载槽3上设置有至少三个小孔4。在本实施例中，所述内承载槽3的槽距为161mm、所述至少三个小孔4的孔径为8mm～10mm、所述承载装置本体1的材料为石墨。优选地，所述至少三个小孔4以所述内承载槽3的中心点为原点在其周围均匀分布。
一种具体的实施例中，当镀膜开始时，设置承载装置本体1，机械手臂向承载槽2内部设置的内承载槽3上放置硅片。硅片通过自由落体落入内承载槽3上设置的小孔4上，并且覆盖在小孔4上。待硅片放置完成后，开始进行镀膜工艺。
本实用新型提供的一种用于硅片镀膜的承载装置，采用拓宽内承载槽，同时在内承载槽上进行开孔的方式。因为硅片在放置在指定位置的过程中会有一段自由下落的过程，上述下落的过程会产生一股下压气流，对硅片的下落产生反制作用力，使下落点偏移指定位置，降低镀膜良好率。通过拓宽内承载槽和对内承载槽进行开孔，可以有效的使下落过程中产生的气流从小孔中溢出，消除反制作用力，使硅片可以准确的覆盖在小孔上，提高了镀膜得均匀性，减少返工率。
本实用新型的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成及手段。从本实用新型的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成及手段，其中它们执行与本实用新型描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本实用新型可以对它们进行应用。因此，本实用新型所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成或手段包含在其保护范围内。