1.一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：包括封装体(1)和二极管本体(2)，所述二极管本体(2)置于封装体(1)内部，所述二极管本体(2)包括芯片(3)、T型结构的引脚装置(4)、金属触点(5)和引线(6)，所述引脚装置(4)分别固定在芯片(3)的左右两侧，所述金属触点(5)分别设在芯片(3)的上下表面，所述芯片(3)的上表面金属触点(5)通过引线(6)和位于芯片(3)左侧的引脚装置(4)电性连接，所述芯片(3)的下表面金属触点(5)通过引线(6)和位于芯片(3)右侧的引脚装置(4)电性连接，所述引脚装置(4)的末端贯穿封装体(1)并延伸至封装体(1)外部，所述封装体(1)的内部填充有环氧树脂(8)。
2.根据权利要求1所述的一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：所述芯片(3)包括N型重掺杂硅衬底(31)，所述N型重掺杂硅衬底(31)的上表面设有N型轻掺杂外延层(32)，所述N型轻掺杂外延层(32)的上表面靠中间部分的左右两侧朝内分别设有P型重掺杂环区(33)，所述P型重掺杂环区(33)的上表面两侧均设有薄氧化层(34)，所述两侧薄氧化层(34)的外侧均设有和薄氧化层(34)形成阶梯状的场氧化层(35)，所述两薄氧化层(34)之间设置有与N型轻掺杂外延层(32)上表面接触的肖特基势垒层(36)，所述场氧化层(35)、薄氧化层(34)、肖特基势垒层(36)的上表面设有正面多层金属层(37)，所述N型重掺杂硅衬底(31)的下表面设有背面多层金属层(38)，所述场氧化层(35)和薄氧化层(34)与正面多层金属层的接触面设有高密度介质层(39)，所述高密度介质层(39)位于薄氧化层(34)内侧的部分覆盖所述P型重掺杂环区(33)的一部分。
3.根据权利要求1所述的一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：所述引脚装置(4)依次设有引脚(41)、墩头(44)、防护层(42)和连接层(43)。
4.根据权利要求1所述的一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：所述芯片(3)和引脚装置(4)的连接处通过设置DAF膜(7)固定。
5.根据权利要求4所述的一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：所述DAF膜(7)设为耐高温绝缘膜，所述DAF膜(7)的厚度设为不大于25μm。
6.根据权利要求2所述的一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，其特征在于：所述高密度介质层(39)的厚度设为50nm-500nm。