技术总结
本实用新型公开了一种使用高耐湿性肖特基势垒芯片的功率二极管，包括封装体和二极管本体，二极管本体置于封装体内部，二极管本体包括芯片、T型结构的引脚装置、金属触点和引线，引脚装置分别固定在芯片的左右两侧，金属触点分别设在芯片的上下表面，芯片的上表面金属触点通过引线和位于芯片左侧的引脚装置电性连接，芯片的下表面金属触点通过引线和位于芯片右侧的引脚装置电性连接，引脚装置的末端贯穿封装体并延伸至封装体外部，封装体内部填充有环氧树脂。本实用新型的有益效果是：增加高密度介质层，对二极管终端结构中的Si‑SiO界面进行保护，提高抵抗潮湿环境下的可靠性；改进二极管的封装结构，提升二极管承受反向电压的能力，延长二极管寿命。
技术研发人员：刘忠玉;骆宗友
受保护的技术使用者：东莞市佳骏电子科技有限公司
文档号码：201620910578
技术研发日：2016.08.19
技术公布日：2017.02.22