1.一种量子芯片结构，其包括：
一基材，所述基材一侧具有一披覆面；
一第一天线组，该第一天线组系印刷于该披覆面上；
至少一第二天线组，该第二天线组印刷于该披覆面上，且该第二天线组连接所述该第一天线组之端缘，并且该第二天线组所印刷的区域大于所述该第一天线组所印刷的区域；
一积体单元，该积体单元印刷于该披覆面上，且该积体单元电性连接所述该第一天线组。
2.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：其中所述第一天线组弯折绕设于该披覆面上，且该第一天线组的部分区段上另电性连接有一次积体单元。
3.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：其中所述第一天线组弯折绕设于该披覆面上，且该第一天线组的部分区段上另电性连接有一导通区段。
4.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：更包括有一薄膜层，该薄膜层包覆所述基材及该第一天线组及该第二天线组及该积体单元。
5.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：其中所述第一天线组具有一第一端缘及一第二端缘，而该第一端缘连接有所述第二天线组。
6.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：第二端缘连接有所述第二天线组。
7.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：其中所述第一天线收发频率的频宽范围为735Hz～995Hz。
8.如权利要求1所述的量子芯片结构，其特征是：其中所述第二天线收发频率的频宽范围为735Hz～995Hz。