1.一种薄膜热电模块，其特征在于：包括N型热电臂阵列（1）、P型热电臂阵列（2）、隔离层（3），N型热电臂阵列（1）包括一个以上的N型半导体薄膜（11）和单晶衬底Ⅰ（12），N型半导体薄膜（11）倾斜生长在单晶衬底Ⅰ（12）上；P型热电臂阵列（2）包括一个以上的P型半导体薄膜（21）和单晶衬底Ⅱ（22），P型半导体薄膜（21）倾斜生长在单晶衬底Ⅱ（22）上；N型热电臂阵列（1）、P型热电臂阵列（2）由隔离层（3）隔开，并固定在一起，N型热电臂阵列（1）和P型热电臂阵列（2）均是生长有半导体薄膜的一面与隔离层（3）接触；N型半导体薄膜（11）与P型半导体薄膜（21）呈X形交叉分布，N型半导体薄膜（11）与P型半导体薄膜（21）的两端由电极（5）依次连接，形成两个独立的串联通路，电极（5）位于隔离层（3）的两侧。
2.根据权利要求1所述的薄膜热电模块，其特征在于：隔离层（3）包括腹板（31）、翼板（32），翼板（32）固定在腹板（31）的两边；腹板（31）、单晶衬底Ⅰ（12）、单晶衬底Ⅱ（22）的长度、宽度相同，翼板（32）高度等于腹板（31）、N型热电臂阵列（1）、P型热电臂阵列（2）的厚度之和。
3.根据权利要求2所述的薄膜热电模块，其特征在于：所述电极（5）嵌入、贯穿在隔离层（3）的腹板（31）上，电极（5）的厚度大于腹板（31）的厚度。
4.根据权利要求1所述的薄膜热电模块，其特征在于：N型热电臂阵列（1）上的N型半导体薄膜（11）和P型热电臂阵列（2）上的P型半导体薄膜（21）的数量相同，单个薄膜宽度、以及在单晶衬底上的相对位置相同。
5.根据权利要求1所述的薄膜热电模块，其特征在于：所述N型半导体薄膜（11）和单晶衬底Ⅰ（12）长边的夹角与P型半导体薄膜（21）和单晶衬底Ⅱ（22）长边的夹角相同，标记为α，且α为10~60°。
6.根据权利要求1所述的薄膜热电模块，其特征在于：N型热电臂阵列（1）、P型热电臂阵列（2）和隔离层（3）的相对位置由位于隔离层（3）侧面的通孔（4）插销固定。
7.根据权利要求1所述的薄膜热电模块，其特征在于：所述电极（5）为圆柱形，底面直径等于N型半导体薄膜（11）与P型半导体薄膜（21）中单个薄膜的宽度。
8.根据权利要求1所述的薄膜热电模块，其特征在于：所述电极（5）为金电极。