一种CSP倒装LED大功率单元件封装结构的制作方法

本实用新型涉及芯片封装技术领域，具体为一种CSP倒装LED大功率单元件封装结构。

背景技术：

目前，市售大功率单只倒装CSP、LED都是利用加大单颗芯片面积来提高功率,但受限于芯片制造商的设备、能力、与外延片切割排板利用率的因素、大芯片成本是非常高昂,不利于市场应用推广，见图4，芯片级封装在倒装芯片1周围包覆之封装胶体6接近倒装芯片1尺寸,各制造商凭借各自的技术将封装胶体6包覆在倒装芯片1外层。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种CSP倒装LED大功率单元件封装结构，以解决上述背景技术中提出的问题，所具有的有益效果是：在正极底部焊盘和负极底部焊盘的底部预做相对应的金属片一与金属片二，将多颗倒装芯片做串并电性连接形成高效率的单只封装单体。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种CSP倒装LED大功率单元件封装结构，包括倒装芯片、正极底部焊盘、负极底部焊盘、金属片一与金属片二；所述倒装芯片底部两侧设置有正负极底部焊盘，所述正负极底部焊盘相对于倒装芯片的另一侧固定有金属片，所述倒装芯片的周围包覆有封装胶体。

优选的，所述正底部焊盘和负底部焊盘关于倒装芯片的中心左右对称。

优选的，所述金属片一与金属片二关于倒装芯片的中心左右对称。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该设备在正极底部焊盘和负极底部焊盘的底部预做相对应的两金属片，将多颗倒装芯片做串并电性连接形成高效率的单只封装单体，通过不同金属片设计，可以满足利用相同倒装芯片制造出大功率的单元件，在相同倒装芯片面积条件之下,单颗大芯片的成本较四颗小芯片高出30％,且多颗小芯片的设计光效较单颗大芯片高。

附图说明

图1为本实用新型的剖视图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型的左视图；

图4为本实用新型改进前的结构示意图。

图中：1-倒装芯片；2-正极底部焊盘；3-负极底部焊盘；4-金属片一；5-金属片二；6-封装胶体。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的 实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供的一种实施例：一种CSP倒装LED大功率单元件封装结构，包括倒装芯片1、正极底部焊盘2、负极底部焊盘3、金属片一4和金属片二5；倒装芯片1底部一侧设置有正极底部焊盘2，倒装芯片1底部另一侧设置有负极底部焊盘3，倒装芯片1底部固定有金属片一4与金属片二5，倒装芯片1的周围包覆有封装胶体6，正极底部焊盘2和负极底部焊盘3关于倒装芯片1的中心左右对称，金属片一4与金属片二5关于倒装芯片1的中心左右对称。

工作原理：使用时，在正极底部焊盘2和负极底部焊盘3的底部预做相对应的金属片一4与金属片二5，将多颗倒装芯片1做串并电性连接形成高效率的单只封装单体，通过不同金属片设计，可以满足利用相同倒装芯片1制造出大功率的单元件，在相同倒装芯片1面积条件之下,单颗大芯片的成本较四颗小芯片高出30％,且多颗小芯片的设计光效较单颗大芯片高，两个或两个以上的倒装芯片1借由电性连结于两个以上金属片来做复数个倒装芯片1的串并电性连接,利用已电性连接之复数个倒装芯片1来完成单一倒装CSP封装单体。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看， 均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。