技术总结
本实用新型适用于铝金属引线的半导体器件，常规器件所使用的钝化层多采用SiO2、Si3N4等结构，这种结构需要通过两次光刻才能完成金属布线和钝化，此实用新型的氧化铝钝化结构，只用一步光刻就完成常规结构需要两步光刻才能完成的铝金属布线及钝化，大幅度降低半导体器件生产成本，提高成品率，且氧化铝材料致密，化学稳定性极好，提高了器件可靠性。
技术研发人员：薛维平
受保护的技术使用者：上海芯石微电子有限公司
文档号码：201621402133
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.07.18