1.一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，包括封装基板，若干颗呈间隔放置的LED芯片通过固晶层分别贴装在封装基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、封装基板上的电路固定连接，在封装基板上安装有光学透镜并且在光学透镜和LED芯片间隙之中填充灌封胶，其特征在于：封装结构不使用荧光粉，通过若干颗LED芯片直接合成白光，若干颗LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。
2.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1~4颗黄光LED芯片、1~2颗绿青蓝光LED芯片和1~2颗红橙光LED芯片组成，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm~580nm；绿青蓝光LED芯片通过外延生长具有不同In组分多量子阱，实现单LED芯片辐射绿光、蓝光和青光，绿光峰值波长范围为510nm~530nm，青光峰值波长范围为480nm~500nm，蓝光峰值波长范围为445nm~465nm；红橙光LED芯片通过外延生长具有不同Al组分多量子阱，实现单LED芯片辐射红光和橙光，红光峰值波长范围为615nm~635nm，橙光峰值波长范围为590nm~610nm；若干颗LED芯片为串联连接，单一恒电流驱动。
3.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1颗红光LED芯片、1颗橙光LED芯片、1颗黄光LED芯片、1颗绿光LED芯片、1颗青光LED芯片和1颗蓝光LED芯片组成，红光LED芯片峰值波长范围为615nm~635nm，橙光LED芯片峰值波长范围为590nm~610nm，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm~580nm，绿光LED芯片峰值波长范围为510nm~530nm，青光LED芯片峰值波长范围为480nm~500nm，蓝光LED芯片峰值波长范围为445nm~465nm；若干颗LED芯片为并联连接，多路电流驱动，各颜色LED芯片分别对应驱动。
4.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1~2颗红光LED芯片、1~2颗橙光LED芯片、1~6颗黄光LED芯片、1~2颗绿光LED芯片、1颗青光LED芯片和1颗蓝光LED芯片组成，红光LED芯片峰值波长范围为615nm~635nm，橙光LED芯片峰值波长范围为590nm~610nm，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm~580nm，绿光LED芯片峰值波长范围为510nm~530nm，青光LED芯片峰值波长范围为480nm~500nm，蓝光LED芯片峰值波长范围为445nm~465nm；若干颗LED芯片为串联连接，单一恒电流驱动。
5.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片由1~2颗红光LED芯片、1颗橙光LED芯片、1~4颗黄光LED芯片、2颗绿光LED芯片、1颗青光LED芯片和1颗蓝光LED芯片组成，红光LED芯片峰值波长范围为615nm~635nm，橙光LED芯片峰值波长范围为590nm~610nm，黄光LED芯片峰值波长范围为560nm~580nm，绿光LED芯片峰值波长范围为510nm~530nm，青光LED芯片峰值波长范围为480nm~500nm，蓝光LED芯片峰值波长范围为445nm~465nm；若干颗LED芯片为串并联结合连接，有选择性的实现不同颜色LED芯片间的并联，采用单一恒电流驱动。
6.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的若干颗LED芯片在封装基板上以等间距圆形分布或者正多边形排列方式分布。
7.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：在所述的封装基板表面有实现LED芯片电连接的电路，封装基板为印刷电路板、金属核印刷电路板、直接键合铜基板、低温共烧陶瓷基板、直接镀铜基板或硅基板中的一种。
8.根据权利要求1所述的全光谱LED封装结构，其特征在于：所述的光学透镜为球帽透镜、具有表面微结构阵列透镜、自由曲面透镜或内部掺杂有微米纳米散射颗粒的光学透镜中的一种。