用于图案化的掩模蚀刻的制作方法

技术特征：

技术总结
硬掩模层被沉积在基板上方的特征层上。所述硬掩模层包含有机掩模层。在高于室温的第一温度下使用包含卤元素的第一气体在所述有机掩模层中形成开口，以暴露出所述特征层的一部分。在一个实施例中，将包含卤元素的气体供应到腔室。在第一温度下使用所述卤元素蚀刻基板上方的绝缘层上的有机掩模层，以形成开口而暴露出所述绝缘层的一部分。

技术研发人员：G·李;L·陈
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2016.01.21
技术公布日：2017.10.20