用于高纵横比特征的干燥工艺的制作方法

本公开内容的实施方式一般地涉及基板清洁及干燥处理。更特定地，于此描述的实施方式涉及用于高的纵横比特征的干燥处理。

背景技术：

在半导体器件的清洁中，通常需要自基板表面移除液体及固体污染物，因而留下干净的表面。湿式清洁处理一般涉及清洁液体的使用，例如含水的清洁溶液。在湿式清洁基板之后，通常需要在清洁腔室中自基板表面移除清洁液体。

现今多数的湿式清洁技术使用液体喷洒或浸没步骤以清洁基板。在应用清洁液体之后干燥具有高的纵横比特征的基板或具有空隙或孔的低k材料是非常具挑战性的。清洁液体的毛细力(capillary forces)通常造成这些结构中的材料变形而可产生非期望的粘连(stiction)，除了所使用的清洁溶液在基板上所留下的残留物以外，这会损坏半导体基板。在后续的基板干燥期间，前述缺点对具有高的纵横比的半导体器件结构尤其明显。线粘连或线塌陷(line collapse)，产生于形成高的纵横比沟槽或通孔的侧壁朝向彼此弯曲，这是由于在湿式清洁处理期间陷在沟槽或通孔中的液体之上的跨液体-空气界面的毛细压力。具有窄的线宽及高的纵横比的特征特别易受液体-空气及液体-壁界面之间产生的表面张力的差异的影响(归因于毛细压力，有时亦称为毛细力)。由于快速的器件规模化发展，现今可行的干燥实践正面临防止线粘连的急遽升高挑战。

因此，本领域中存有对于执行清洁及超临界干燥处理的改进方法的需求。

技术实现要素：

在一个实施方式中，提供一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO₂至该处理腔室且可将该液态CO₂与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容量的额外液态CO₂至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO₂相转变为超临界CO₂，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO₂来干燥该基板。

在另一实施方式中，提供一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂分量可经配置以浸没该基板。可输送超临界CO₂至该处理腔室且可将该超临界CO₂与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容量的额外超临界CO₂至该处理腔室，以置换该溶剂。可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO₂来干燥该基板。

附图说明

以上简要概述的本公开内容的上述详述特征能够被具体理解的方式、以及本公开内容的更特定描述，可以通过参照实施方式获得，实施方式中的一些绘示于附图中。然而，应当注意，附图仅绘示示例性的实施方式，因而不应视为对本发明的范围的限制，因此可允许其他等通由效实施方式。

图1根据于此描述的实施方式图示形成于半导体基板上的特征之间所产生的粘连的影响。

图2A根据于此描述的一个实施方式图示处理设备的平面图。

图2B根据于此描述的一个实施方式图示处理设备的平面图。

图3根据于此描述的一个实施方式示意地图示小热质量的处理腔室的截面图。

图4根据于此描述的一个实施方式图解用于执行溶剂置换及超临界干燥处理的方法的操作。

图5根据于此描述的一个实施方式图解用于执行溶剂置换及超临界干燥处理的方法的操作。

为了便于理解，尽可能地使用相同附图标号以标示附图中共通的相同元件。考虑到，一个实施方式的元件及特征在没有进一步地描述下可有益地运用于其他实施方式中。

具体实施方式

出于说明的目的，在以下描述中阐明多个具体细节以便于此提供的实施方式的全面理解。然而，对本发明所属领域技术人员而言，显然可在没有这些具体细节的情况下实施本公开内容。在其他示例中，并未描述特定设备结构，而得以不混淆所描述的实施方式。以下描述及附图为实施方式的示例，而不应理解为对本公开内容的限制。

图1为图示了半导体器件100的部分的示意性截面图，其中半导体器件100内的两个特征之间发生线粘连。如所示的，在基板表面上形成高的纵横比的器件结构。在处理期间，器件结构102应该保持于垂直定向，且壁106不应该跨开口104及接触器件结构102的相邻壁106。当在使用湿式化学清洁之后干燥半导体器件100时，器件结构102的壁106经受由空气-液体界面所致的毛细力，空气-液体界面由设置于开口104内的清洁液体所产生。毛细力造成相邻器件结构102的壁106弯曲朝向彼此且互相接触。线粘连产生于相邻器件结构102的壁106之间的接触，最终造成开口104的关闭。线粘连一般为非期望的，因为它阻止后续基板处理步骤期间开口104的接取，例如进一步的沉积步骤。

为了防止线粘连，可在湿式清洁腔室中将基板暴露于水清洁溶液，例如去离子水或清洁化学品。该基板包含上面设置或形成有电子器件的半导体基板。在执行湿式清洁处理之后，在湿式清洁腔室中基板上水清洁溶液的使用移除留在基板上的残留物。在一些构造中，湿式清洁腔室可为单一晶片清洁腔室和/或水平旋转腔室。此外，湿式清洁腔室可具有经调适以产生声音能量引导至基板的非器件侧面上的兆声(megasonic)板。

在湿式清洁基板之后，可将基板传输至溶剂交换腔室，以置换使用于湿式清洁腔室中的任何先前使用的水清洁溶液。接着可将基板传输至用于将在基板上执行的进一步清洁及干燥步骤的超临界流体腔室。在一个实施方式中，干燥基板可涉及超临界流体至基板表面的输送。干燥气体可经选择以在经受某些在超临界处理腔室中达到或维持的压力及温度配置时转化为超临界状态。该干燥气体的一个示例包含二氧化碳(CO₂)。因为CO₂为超临界气体，它不具有表面张力，它的表面张力相似于气体，但具有的密度高于液体的密度。超临界CO₂具有在约73.0atm的压力及约31.1℃的温度的临界点。超临界流体(例如CO₂)的一个独特属性为：在任何高于超临界压力的压力及高于临界点的温度下(例如，针对CO₂为31.1℃及73atm)不会发生凝结。处理环境(例如，处理腔室)的临界温度及临界压力参数影响CO₂干燥气体的超临界状态。

由于超临界流体的独特属性，超临界流体可实质穿过基板中所有孔或空洞并移除任何可出现在开口104中的残留液体或颗粒。在一个实施方式中，在超临界处理进行了所需周期时间以移除颗粒及残留物之后，腔室的压力在近乎恒定的温度减少，允许超临界流体在开口104内直接转变为气相。在超临界流体处理之前通常于开口104中出现的液体可为来自溶剂交换腔室的置换溶剂。通常于开口104中出现的颗粒可为任何固体微粒状物质，例如，有机物质(例如，碳)、无机物质(例如，硅)和/或金属。可由超临界流体干燥的开口104的示例包含介电层中的空隙或孔、低k介电材料中的空隙或孔、及可陷住清洁流体及颗粒的基板中的其他类型的间隙。另外，通过在相转变期间绕过液体状态及由超临界流体可忽略的表面张力所致(例如超临界CO₂)消除了器件结构102的壁106之间所产生的毛细力，超临界干燥可防止线粘连。

接着可将基板自超临界流体腔室传输至后处理腔室。后处理腔室可为等离子体处理腔室，其中可移除可能会出现在基板上的污染物。后处理基板亦可进一步释放出现在器件结构中的任何线粘连。于此描述的处理对于具有高的纵横比的清洁器件结构为有用的，例如，约10:1或更高、20:1或更高、或30:1或更高的纵横比。在某些实施方式中，于此描述的处理对于清洁3D/垂直NAND快闪存储器件结构为有用的。

图2A根据本公开内容的一个实施方式图示经调适以执行上述的一个或多个操作基板处理设备。在一个实施方式中，处理设备200包括湿式清洁腔室201、溶剂交换腔室202、超临界流体腔室203、后处理腔室204、传送腔室206、及湿式机械臂208。处理基板可包含(但不限于)形成由金属线路互连(interconnect)的电子器件，例如晶体管、电容、或电阻，这些金属线路由基板上的层间介电质隔绝。这些处理可包含清洁基板、清洁形成于基板上的膜、干燥基板、及干燥形成于基板上的膜。在另一实施方式中，处理设备200包含检查腔室205，检查腔室205可包含工具(未示出)以检查在处理设备200中经处理的基板。

在一个实施方式中，基板处理设备200为丛集工具，丛集工具包括数个基板处理腔室，例如，湿式清洁腔室201、溶剂交换腔室202、超临界流体腔室203、后处理腔室204、及传送腔室206。可围绕湿式机械臂208放置腔室201、202、203、204，湿式机械臂208可设置于传送腔室206中。湿式机械臂208包括电机、基底、手臂、及终端受动器209，终端受动器209经构造以在腔室之传送基板。可选地，润湿机械手臂208可具有多个手臂及多个终端受动器以增加处理设备200的产量。在一个实施方式中，湿式机械臂208在上述腔室之间传送基板。在另一实施方式中，湿式机械臂208的终端受动器中的至少一个为专用干式终端受动器(例如，经调适以处理干的晶片)，且湿式机械臂208的终端受动器中的至少一个为专用湿式终端受动器(例如，经调适以处理湿的晶片)。可使用专用干式终端受动器以在超临界流体腔室203及后处理腔室204之间传送基板。

处理设备200亦包括设置于工厂界面218中的干式机器臂216，工厂界面218可耦接至处理设备200及多个基板盒212及214，这些基板盒中的每一个者维持待清洁或干燥的(或已清洁或干燥的)多个基板。干式机器臂216可经构造以在基板盒212及214与湿式清洁腔室201及后处理腔室204之间传送基板。在另一实施方式中，干式机器手臂216可经构造以在超临界流体腔室203与后处理腔室204之间传输基板。可以将处理设备200内的处理腔室放置于容纳基板传送腔室206的水平平台。在另一实施方式中，平台的部分可定向于水平定向以外的位置(见图5)。

在可替代的实施方式中，如图2B中所示，处理设备200A可为线性设备，其包括数个基板处理腔室，例如，湿式清洁腔室201、溶剂交换腔室202、超临界流体腔室203、后处理腔室204、及传送腔室206。例如，处理设备200A可购自加州Santa Clara的应用材料公司(Applied Materials)所提供的GT，然而，可以预期来自其他制造商的其他处理设备可经调适以执行于此描述的实施方式。

可围绕机械臂208A放置腔室201、202、203、204，机械臂208A可设置于传送腔室206中。机械臂208A包括电机、基底、手臂、及终端受动器209A及209B，终端受动器209A及209B经配置以在腔室之间传送基板。机械臂208A可具有多个手臂及多个终端受动器以增加处理设备200A的产量。在一个实施方式中，机械臂208A，具有专用湿式终端受动器209A，在上述腔室之间传送基板。处理设备200A亦可包括工厂界面218，工厂界面218可耦接至处理设备200及多个基板围绕212及214，这些基板盒中的的每一个维持待清洁或干燥的(或已清理或干燥的)多个基板。机器手臂208A具有专用干式终端受动器209B以在基板盒212及214与湿式清洁腔室201及后处理腔室204之间传送基板。在一个实施方式中，专用干式终端受动器209B可经构造以在超临界流体腔室203与后处理腔室204之间传送基板。可以将处理设备200A内的腔室放置于容纳基板传送腔室206的水平平台。在另一实施方式中，平台的部分可定向于水平定向以外的位置(见图5)。

在处理设备200A的一些构造中，机械臂208A可沿着线性轨道220前进。可在线性轨道220的一或两侧上依序安置腔室。为了执行湿式基板传送，可自基板移除过多的液体，例如通过旋转基板来移除，同时仍位于腔室中，所以在机械手臂208A传送基板之前仅有薄的润湿层保留于基板表面上。在机械臂208A上提供两个或更多个终端受动器的实施方式中，至少一个终端受动器可专用于湿式基板传送且另一终端受动器可专用于干式基板传送。可在用于高容量生产的可扩充线性构造中安装更多基板。

在先前实施方式中所提及的构造大幅地减低每个腔室的设计复杂度，使得能在敏感的处理步骤之间的伫列时间(queue time)控制，及使用可调整腔室模块计数最佳化连续生产中的产量，以均衡每个处理操作的处理周期。

图3根据于此描述的一个实施方式示意地图示小热质量的处理腔室300的截面图。在某些实施方式中，可以如描述关于图2A及图2B的腔室203那样运行腔室300。一般而言，腔室300经构造以承受适于产生和/或维持腔室300中的超临界流体的加压。腔室300亦可有利地在适于执行相转变的温度范围内循环。

腔室300包含主体302、衬垫318、及隔绝元件316。主体302及衬垫318一般地限定处理容积312。主体302可经构造以承受适于产生处理容积312内的超临界流体的压力。例如，主体可适于承受约100bar或更大的压力。适用于主体302的材料包含不锈钢、铝、或其他高强度金属材料。衬垫318亦可由类似于主体302的材料形成。在一个实施方式中，衬垫318及主体302可为单一设备。在另一实施方式中，衬垫318及主体302可为耦接在一起的独立的设备。

衬垫318在相邻于处理容积312的区域处可具有约2mm与约5mm之间的厚度344，例如约3mm。相较于主体302，包括衬垫318的相对最小量的材料造成衬垫318具有相对于主体302的热质量小的热质量。据此，由于处理容积312的温度主要受衬垫318而非主体302影响，可以更有效方式达到处理容积312内的温度改变。在一个实施方式中，处理容积312内的处理环境可在低于约5分钟的时间量中于约20℃及约50℃之间循环，例如低于约1分钟。在一个实施方式中，处理容积312可在约30秒中于约20℃及约50℃之间循环。

隔绝元件316一般设置于主体302内且与衬垫318相邻。在图示的实施方式中，隔绝元件316可为多个设备。隔绝元件316一般可沿着处理容积312的长轴延伸，以通过将衬垫318与主体302隔绝来进一步减低衬垫318的热质量。隔绝元件316可由适于使用在高压环境的材料形成，该高压环境具有的热膨胀系数相似于使用于主体302及衬垫318的材料的热膨胀系数。在一个实施方式中，隔绝元件316可为陶瓷材料。陶瓷材料的多种示例包含氧化铝、氮化铝、碳化硅，及类似物。隔绝元件316的厚度346可为约0.1英寸与约1.0英寸之间，例如，约0.5英寸。

处理容积312具有低于约2升的容积，例如约1升。衬垫318之间跨越处理容积312的距离348可低于约5厘米，例如低于约2厘米，例如，约1厘米。在多种实施方式中，取决于处理容积312中的条件，处理容积312可以多种液体、气体、和/或超临界流体来填充。在一个实施方式中，处理容积312可耦接至一个或多个溶剂来源320、332、336。第一溶剂来源320可经由第一管道322穿过主体302的顶部耦接至处理容积312。第二溶剂来源332可经由第二管道334穿过主体302的侧壁耦接至处理容积312。第三溶剂来源336可经由第三管道338穿过主体302的底部耦接至处理容积312。溶剂来源320、332、336可经构造以依所需溶剂导入特性而自多种入口提供溶剂至处理容积。

可自溶剂来源320、332、336供应至处理容积312的适合溶剂包含：丙酮、异丙醇、乙醛、甲醛、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone)、N-甲基甲酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-Dimethyl-2-imidazolidinone)、二甲基乙酰胺、及二甲基亚砜等等。一般而言，可选择溶剂使得溶剂互溶于液态CO₂。

第一流体来源324可经由第四管道326穿过主体302的顶部耦接至处理容积312。第一流体来源324一般经构造以提供液体或超临界流体至处理容积312。在一个实施方式中，第一流体来源324可经构造以输送超临界CO₂。在另一个实施方式中，流体来源324可经构造以输送超临界CO₂至处理容积312。在此实施方式中，加热设备及加压设备可耦接至第四管道326以便于在液态CO₂至超临界CO₂的相转变之后进入处理容积312。第二流体来源356可与第一流体来源324相似地构造。然而，第二流体来源356可经由第五管道358穿过主体302的底部耦接至处理容积。可从自顶部向下(top down)(第一流体来源324)或自底部向上(bottom up)(第二流体来源356)的方式视所需处理特性选择液态CO₂和/或超临界CO₂的输送。

在操作中，可至少部分地由提供至处理容积312的CO₂的温度来控制处理容积312的温度。此外，可提供如下分量的液态CO₂和/或超临界CO₂至处理容积312：使得整个处理容积交换约1次与约5次之间，例如，约3次。据信，重复的处理容积周转可于后续超临界干燥操作期间促进形成超临界CO₂和/或输送至处理容积312之前溶剂与CO₂的混合。为了便于来自处理容积312的流体及气体的周转及移除，处理容积312可经由第六管道342耦接至流体出口340。

腔室300亦包含基板支撑件306及挡板310，基板支撑件306可耦接至门304，挡板310可可移动地设置于处理容积312内。在一个实施方式中，基板支撑件306及门304可为单一设备。在另一实施方式中，基板支撑件306可以可移除地耦接至门304且可独立于门304移动。门304及基板支撑件306可由包含如下材料的多种材料形成：不锈钢、铝、陶瓷材料、聚合物材料、或其组合。基板支撑件306亦可具有设置于基板支撑件306中的加热元件354。在一个实施方式中，加热元件354可为电阻性加热器。在另一实施方式中，加热元件354可为在基板支撑件306中形成的流体填充通道。加热元件354可经构造以加热处理容积312，以便于在处理容积312中形成或维持超临界流体。

在操作中，基板支撑件306可经由在主体302中形成的开口进入处理容积312，且门304可经构造以在基板支撑件306放置于处理容积312内时邻接主体302。在一个实施方式中，基板支撑件306经配置以侧向移动。因此，可最小化距离348，因为处理容积312内的基板支撑件306的垂直移动为非必要的。密封件352(例如，O形环或类似物)可耦接至主体302，且可由弹性材料形成密封件352，例如，聚合物材料。一般而言，在处理期间，门304可经由耦接设备(未示出)固定至主体302，例如螺栓及类似物，以足够的力量来承受适于在处理容积312中形成或维持超临界流体的高压环境。

挡板310可由包含如下材料的多种材料形成：不锈钢、铝、陶瓷材料、石英材料、含硅材料、或其他合适构造的材料。挡板310可耦接至致动器330，致动器330经构造以移动挡板310朝向及远离基板支撑件306。致动器330可耦接至功率源328(例如电源)以便于处理容积312内挡板310的移动。

在处理期间可以将基板308放置于基板支撑件306上。在一个实施方式中，可以将基板308的器件侧314放置相邻于基板支撑件306，使得器件侧314背向挡板310。在操作中，当基板308放置于处理容积312内时，挡板310可位于升高位置。可在处理期间经由致动器330降低挡板310至接近基板308的处理位置。在处理之后，可升高挡板310且基板支撑件306可经由主体302中的开口350自处理容积312移除基板308。据信，通过放置挡板310紧邻于基板308及基板支撑件306，可在溶剂和/或液态/超临界CO₂导入处理容积312期间减低或消除基板308的器件侧314上的颗粒沉积。

图4根据于此描述的一个实施方式图示用于执行溶剂置换及超临界干燥处理的方法400的操作。一般而言，在执行方法400之前执行多种预先清洁的处理。可在如上述的设备200及200A中执行这些预先清洁的处理。在操作410处，可提供溶剂至处理腔室，例如，腔室300。溶剂可为任何上述溶剂。在示例性的实施方式中，溶剂可为丙酮，丙酮显示出相对低的粘性且如所需的与液态CO₂互溶。在某些实施方式中，可在输送丙酮至处理腔室之前蒸馏、净化及过滤丙酮。

在一个实施方式中，可在将基板导入处理腔室之前提供溶剂至处理腔室。在另一实施方式中，可以将基板放置于处理腔室中且接着可提供溶剂至处理腔室。在此两个实施方式中，可经由一个或多个溶剂来源320、332、336来提供溶剂至腔室300的处理容积312。在示例性的实施方式中，可以以“由上至下”的方式自溶剂来源320提供溶剂。一般而言，可以一分量的溶剂填充处理容积302，该分量足以完全将基板浸没于溶剂中。

在操作420处，可输送液态CO₂至腔室300且液态CO₂可与溶剂混合。在一个实施方式中，液态CO₂可经由第一流体来源324导入处理容积312。可以约300ml/min及约2.5L/min之间的速率输送液态CO₂，例如，约1L/min。在一个实施方式中，可提供液态CO₂至维持于约90bar及约110bar的压力的处理容积312，例如，约100bar的压力。处理容积312的温度在输送液态CO₂期间可维持于约5℃及约30℃之间的温度，例如约20℃。一般而言，以促进液态CO₂与溶剂混合的方式提供液态CO₂。

在操作430处，可使用液态CO₂来置换溶剂。在此实施方式中，在溶剂及液态CO₂已充分混合后，可经由流体出口340自处理容积312冲洗溶剂/液态CO₂。通过提供额外液态CO₂至处理容积312可持续置换处理。在一个实施方式中，适于执行溶剂置换的额外分量的液态CO₂为约1腔室容积与约5腔室容积之间，例如约3腔室容积。换句话说，处理容积312可使用液态CO₂完全地交换多次。可实施溶剂置换处理以自基板及在基板上形成的高的纵横比特征移除溶剂，使得操作430之后主要为液体CO₂出现于处理容积312中。

在操作440处，可在处理腔室300中执行超临界干燥处理。液态CO₂可通过加热处理容积312相转变为超临界流体。一般而言，在操作410至440期间，处理容积312的压力可维持于实质恒定的压力，例如，约100bar。可加热处理容积312至适于促进液态CO₂相转变为超临界CO₂的温度。在一个实施方式中，处理容积312的温度可大于约31℃，例如，在约40℃及约50℃之间。在一个实施方式中，可以约10秒与约60秒之间的时间量(例如，约30秒)执行自液体至超临界流体的相转变。因此，可在处理容积312中形成超临界CO₂。

操作440亦包含超临界干燥处理。超临界干燥处理确保超临界CO₂改变至气体状态而非转变成为液体。在超临界干燥处理期间自高的纵横比特征排除的流体可显示出由超临界CO₂的特性所致的可忽略的表面张力，这致使线粘连的减低或消除。在一个实施方式中，约50℃及约95bar下的超临界CO₂经历约50℃的等温减压，直至压力下降至约21bar。在一个实施方式中，可执行超临界干燥处理约1分钟及约5分钟之间的时间量，例如，约3分钟。留在处理容积312中的气体(亦即，气态CO₂)可经由流体出口340自腔室300排出。

图5根据于此描述的一个实施方式图示用于执行溶剂置换及超临界干燥处理的方法500的操作。与类似于图4，在执行方法500之前执行多种预先清洁的处理。在操作510处，可输送溶剂至处理腔室。操作510类似于操作410，可于以上参考图4所述的来获得该操作的细节。

在操作520处，可输送超临界CO₂至处理腔室且超临界CO₂可与溶剂混合。在一个实施方式中，超临界CO₂可经由第一流体来源324导入处理容积312。在此实施方式中，第一流体来源324可包含多种温度及压力设备，以在处理容积312外部将液态CO₂相转变为超临界CO₂。在一个实施方式中，可提供超临界CO₂至维持于约90bar及约110bar的压力的处理容积312，例如，约100bar的压力，使得可于处理容积内维持超临界相。可在操作520期间维持处理容积312的温度大于31℃，例如约40℃与约50℃之间。一般而言，以促进超临界CO₂与溶剂混合的方式提供超临界CO₂。

在操作530处，可使用超临界CO₂来置换溶剂。在此实施方式中，在溶剂与超临界CO₂已充分混合后，可经由流体出口340自处理容积312冲洗溶剂/超临界CO₂。通过提供额外超临界CO₂至处理容积312可持续置换处理。在一个实施方式中，适于执行溶剂置换的额外分量的超临界CO₂为约1腔室容积及约5腔室容积之间，例如，约3腔室容积。换句话说，处理容积312可与超临界CO₂完全地交换多次。溶剂置换处理可经配置以自基板和在基板上形成的高的纵横比特征移除溶剂，使得操作530之后主要为超临界CO₂出现于处理容积312中。

在操作540处，可执行超临界干燥处理。类似于操作440，操作540的超临界干燥处理确保超临界CO₂改变至气体状态而非转变成为液体。在超临界干燥处理期间自高的纵横比特征排除的流体可显示出由超临界CO₂的特性所致的可忽略的表面张力，这导致线粘连的减低或消除。在一个实施方式中，约50℃及约95bar下的超临界CO₂经历约50℃的等温减压，直至压力下降至约21bar。在一个实施方式中，可执行超临界干燥处理约1分钟及约5分钟之间的时间量，例如，约3分钟。留在处理容积312中的气体(亦即，气体CO₂)可经由流体出口340自腔室300排出。

除了方法400、500以外，可以预期方法400、500的多种组合一起使用以执行溶剂置换及超临界干燥处理。例如，可在操作420、520期间依序或同时提供液态CO₂及超临界CO₂。类似地，可在操作430、530期间依序或同时提供液态CO₂及超临界CO₂。

在方法400、500两者中，超临界CO₂显示出气体与液体之间的中间属性，并且由其类似气体运输的行为所致，具有好的穿透进入高的纵横比特征的复杂纳米几何结构的能力，而可有效地移除颗粒及残留物，由于其优秀的一般与流动液体关联的质量转换能力。由于超临界相的产生，消除了由液体-气体及液体-固体表面张力之间的差异所致的毛细压力。毛细压力的消除防止了清洁表面的弯曲及互连，而可减低粘连发生于高的纵横比特征的机率。

虽然前述针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本发明的基本范围的条件下可涉及本公开内容的其他及进一步的实施方式，且本发明的范围由随附的权利要求书来确定。