1.一种分布反馈型半导体激光器，其中，
具备半导体层叠体和第一电极；
上述半导体层叠体包括：
第一层；
有源层，设置在上述第一层之上，能够通过子带间光跃迁而射出激光；以及
第二层，设置在上述有源层之上；
上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，上述平坦部包含上述第二层的表面，上述槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅；
上述第一电极设置在上述第一区域。
2.如权利要求1所述的分布反馈型半导体激光器，其中，
上述槽部分别被设置为相对于上述第一电极的中心轴左右对称。
3.如权利要求1所述的分布反馈型半导体激光器，其中，
上述激光的波长是2μm以上且100μm以下。
4.如权利要求2所述的分布反馈型半导体激光器，其中，
上述激光的波长是2μm以上且100μm以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的分布反馈型半导体激光器，其中，
上述激光从上述半导体层叠体的侧面中的与上述第一直线正交的侧面射出。
6.如权利要求1～4中任一项所述的分布反馈型半导体激光器，其中，
沿着上述第一直线的中央部的上述第二区域的间距构成2阶的衍射光栅；
沿着上述第一直线且设置在上述中央部的两侧的端部的上述第二区域的间距构成1阶的衍射光栅；
在上述第一电极，在与上述中央部邻接的区域设有开口部；
上述激光从在上述开口部露出的上述第一区域向大致垂直方向射出。