1.一种高压BCD器件，在衬底中具有N型深阱，N型深阱中具有P阱，源区位于P阱中，源区及漏区之间的衬底表面具有场氧，靠P阱的一侧场氧上及靠P阱的衬底上具有多晶硅栅极，所述场氧下的衬底中，还具有P型注入层，其特征在于：所述P型注入层为多个平行的条状，且平行于沟道方向，所述各平行条状的P型注入层之间通过与之垂直的P型连接区域相连接，且连接区域互相错开，相邻的连接区域不在同一直线上，P型连接区域将各条状P型注入层电性连接在一起，通过接触孔接地。
2.如权利要求1所述的高压BCD器件，其特征在于：所述的P型注入层的P型连接区域，与P型注入层采用同一掩膜版同时注入形成。
3.如权利要求1所述的高压BCD器件，其特征在于：所述的P型连接区域的位置为规律性分布，或者随机分布。
4.如权利要求1或3所述的高压BCD器件，其特征在于：所述的P型连接区域，相邻的P型连接区域之间的错开距离大于5微米，P型连接区域的宽度为5～20微米。