有机发光显示装置的制作方法

示例性实施例总体上涉及有机发光显示装置。更具体地，本发明的示例性实施例涉及包括透明区的有机发光显示装置。

背景技术：

与阴极射线管(“crt”)显示装置相比，平板显示(“fpd”)装置由于诸如质轻且薄的各种优点而被广泛地用作电子装置的显示装置。fpd装置的典型示例包括液晶显示(“lcd”)装置和有机发光显示(“oled”)装置。与lcd装置相比，oled装置具有诸如更高的亮度和更宽的视角的许多优点。另外，因为在oled装置中不需要背光，所以oled装置被制造得更薄。在oled装置中，电子和空穴通过阴极和阳极被注入到有机薄层中，然后在有机薄层中复合以产生激子，从而发射特定波长的光。

近来，已经开发了通过包括透明区来透射位于透明有机发光显示(“oled”)装置的背面或后面中的物体或目标的图像的oled装置。这里，由于oled装置包括透明区，所以会相对地减小像素的开口率。另外，由于oled装置的透明区仅执行透射光的功能，所以可以以高亮度模式操作oled装置，使得具有减小的开口率的oled装置的显示图像的质量被实现为传统的oled装置的显示图像的质量。因此，会相对快速地降低oled装置的像素的寿命，并且会增加oled装置的电功率的消耗。

技术实现要素：

示例性实施例提供了透明区中包括发光层的有机发光显示装置。

根据示例性实施例，oled装置包括基底、第一半导体元件、第二半导体元件、第一下电极、第二下电极、第一发光层、第二发光层和上电极。基底包括子像素区和透明区。第一半导体元件在基底上设置在子像素区中。第二半导体元件在基底上与子像素区的至少一部分叠置并且与第一半导体元件分隔开。第一下电极在第一半导体元件上设置在子像素区中，并且电连接到第一半导体元件。第二下电极在基底上设置在透明区中，并且电连接到第二半导体元件。第二下电极具有小于第一下电极的厚度的厚度，并且透射光。第一发光层设置在第一下电极上。第二发光层设置在第二下电极上。上电极设置在第一发光层和第二发光层上。

在示例性实施例中，第一半导体元件可以包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一有源层可以在基底上设置在子像素区中。第一栅电极可以设置在第一有源层上。第一源电极可以接触第一有源层的第一部分，并且可以设置在第一栅电极上。第一漏电极可以接触第一有源层的第二部分，并且可以位于第一栅电极上。

在示例性实施例中，第二半导体元件可以包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第二有源层可以设置在基底上。第二栅电极可以设置在第二有源层上。第二源电极可以接触第二有源层的第一部分，并且可以设置在第二栅电极上。第二漏电极可以接触第二有源层的第二部分，并且可以设置在第二栅电极上。第二半导体元件的一部分可以与透明区叠置。

在示例性实施例中，第二发光层包括有机发射层，第二半导体元件的至少一部分可以与第二发光层的有机发射层叠置。

在示例性实施例中，第二发光层包括有机发射层，第二半导体元件可以不与第二发光层的有机发射层叠置。

在示例性实施例中，第二有源层的第二部分可以与透明区叠置，第二漏电极可以设置在透明区中。

在示例性实施例中，oled装置还可以包括平坦化层和像素限定层。平坦化层可以设置在第一半导体元件和第二半导体元件上。像素限定层可以设置在平坦化层上，并且可以覆盖第一下电极的两个侧部和第二下电极的两个侧部。

在示例性实施例中，可以在平坦化层中限定第一接触孔和第二接触孔。第一下电极可以经由第一接触孔接触第一漏电极，第二下电极可以经由第二接触孔接触第二漏电极。

在示例性实施例中，第二发光层包括有机发射层，第二接触孔可以位于第二发光层的有机发射层下方。

在示例性实施例中，第二发光层包括有机发射层，第二接触孔可以位于像素限定层下方使得第二接触孔不与第二发光层的有机发射层叠置。

在示例性实施例中，第一发光层可以沿着垂直于基底的上表面的第一方向发射光，第二发光层可以沿着与第一方向相反的第二方向发射光。

在示例性实施例中，第一下电极可以反射从第一发光层发射的光，第二下电极可以透射从第二发光层发射的光。

在示例性实施例中，第二发光层可以发射白色的光。

在示例性实施例中，当第二半导体元件被激活时，第二发光层可以发射白色的光。当第二半导体元件未被激活时，可以经由透明区透射位于oled装置的背面中的物体的图像。

根据多个示例性实施例中的示例性实施例，oled装置包括基底、第一半导体元件、第二半导体元件、第一下电极、第二下电极、第一发光层、第二发光层和上电极。基底包括子像素区和透明区。第一半导体元件在基底上设置在子像素区中。第二半导体元件在基底上设置在子像素区中，并且与第一半导体元件分隔开。第一下电极在第一半导体元件上设置子像素区中，并且电连接到第一半导体元件。第二下电极在基底上设置在子像素区的一部分和透明区中，并且电连接到第二半导体元件。第二下电极具有小于第一下电极的厚度的厚度，并且透射光。第一发光层设置在第一下电极上。第二发光层设置在第二下电极上。上电极设置在第一发光层和第二发光层上。

在示例性实施例中，第一半导体元件可以包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一有源层可以设置在基底上的子像素区中。第一栅电极可以设置在第一有源层上。第一源电极可以接触第一有源层的第一部分，并且可以设置在第一栅电极上。第一漏电极可以接触第一有源层的第二部分，并且可以位于第一栅电极上。

在示例性实施例中，第二半导体元件可以包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第二有源层可以设置在基底上。第二栅电极可以设置在第二有源层上。第二源电极可以接触第二有源层的第一部分，并且可以设置在第二栅电极上。第二漏电极可以接触第二有源层的第二部分，并且可以设置在第二栅电极上。第二半导体元件的一部分可以与透明区叠置。

在示例性实施例中，oled装置还可以包括平坦化层和像素限定层。平坦化层可以设置在第一半导体元件和第二半导体元件上。像素限定层可以设置在平坦化层上，并且可以覆盖第一下电极的两个侧部和第二下电极的两个侧部。可以在平坦化层中限定第一接触孔和第二接触孔。第一下电极可以经由第一接触孔接触第一漏电极，第二下电极可以经由第二接触孔接触第二漏电极。

在示例性实施例中，第一接触孔和第二接触孔可以位于子像素区中。

在示例性实施例中，第二发光层包括有机发射层，第二接触孔可以位于像素限定层下方使得第二接触孔不与第二发光层的有机发射层叠置。

由于根据示例性实施例的oled装置包括透明区中的发光层，所以可以防止包括在oled装置中的像素的快速劣化。另外，可以降低oled装置的电功率的消耗。

附图说明

从下面结合附图的描述可以更详细地理解示例性实施例，在附图中：

图1是示出根据本发明的有机发光显示(“oled”)装置的示例性实施例的平面图；

图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图；

图3是用于描述图2中所示的第一下电极的剖视图；

图4是用于描述图2中所示的第二下电极的剖视图；

图5、图6、图7、图8和图9是示出根据本发明制造oled装置的方法的示例性实施例的剖视图；

图10是示出根据本发明的oled装置的示例性实施例的剖视图；

图11是示出根据本发明的oled装置的示例性实施例的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细解释本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施并且不应理解为局限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本发明将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。

将理解的是，当一个元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在它们之间可以有中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

这里所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而不意图限制。如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也旨在包括包含“至少一个/至少一种”的复数形式。“或”表示“和/或”。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。还将理解的是，当在该说明书中使用术语“包括”和/或其变形、“包含”和/或其变形时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，在此可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语旨在包括除了图中描绘的方位之外的装置的不同方位。在示例性实施例中，当附图之一中的装置翻转时，被描述为在其它元件的“下”侧的元件将随后被定向为在所述其它元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括取决于图的具体取向的“下”和“上”的两种取向。类似地，当附图之一中的装置翻转时，被描述为“在”其它元件“下面”或“下方”的元件将随后被定向为“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下面”或“在……下方”可以包括上方和下方的两种取向。

考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)，如本领域普通技术人员所确定的，如在此使用的“大约”或“近似地”包括所述值和在特定值的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与该发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在此明确地这样定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应当被理解为具有与在相关领域和本发明的背景下它们的含义一致的含义，并且不以理想化或过于正式的意义来解释。

在此参照作为理想化实施例的示意图的剖面图来描述示例性实施例。如此，将预期到由于例如制造技术和/或公差而造成的图示的形状的变化。因此，在此描述的实施例不应被解释为局限于如在此所示的区域的特定形状，而将包括例如由制造导致的形状的偏差。在示例性实施例中，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，所示的尖角可以是倒角的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出区域的精确形状并且不意图限制权利要求的范围。

图1是示出根据示例性实施例的有机发光显示(“oled”)装置的平面图。

参照图1，oled装置100可以包括多个像素区10。一个像素区10可以包括子像素区ii和透明区iii。

在子像素区ii中，可以设置第一子像素至第三子像素15、20和25中的每个。在示例性实施例中，例如，第一子像素15可以发射红色的光，第二子像素20可以发射绿色的光。在示例性实施例中，第三子像素25可以发射例如蓝色的光。然而，本发明不限于此，第一子像素15、第二子像素20和第三子像素25可以发射各种其它颜色的光。第一子像素至第三子像素15、20和25可以基本上被像素限定层310围绕。

在透明区iii中，可以设置透明窗。透明窗可以基本上被像素限定层310围绕。从外部入射的光可以经由透明窗透射。在示例性实施例中，第四子像素30可以设置在透明区iii中。包括在第四子像素30中的下电极的厚度可以小于包括在第一子像素至第三子像素15、20和25中的每个中的下电极的厚度，使得光在透明区iii透射。在示例性实施例中，第四子像素30可以发射例如白色的光。在可选择的示例性实施例中，第四子像素30可以发射例如红色的光、绿色的光、蓝色的光等。因此，在oled装置100的透明区iii中，可以由第四子像素30发射光。

在示例性实施例中，oled装置100的一个像素区10包括第一子像素至第三子像素15、20和25以及一个透明窗，但是不限于此。在示例性实施例中，例如，多个像素区10可以共用一个透明窗。另外，第一子像素至第三子像素15、20和25沿第一方向(例如，垂直方向)布置，但是不限于此。在另一个示例性实施例中，第一子像素至第三子像素15、20和25例如沿垂直于第一方向的第二方向(例如，水平方向)布置。

图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图，图3是用于描述图2中所示的第一下电极的剖视图。图4是用于描述图2中所示的第二下电极的剖视图。

参照图2、图3和图4，oled装置100可以包括基底110、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、平坦化层270、第一发光结构和第二发光结构、像素限定层310等。这里，第一发光结构和第二发光结构可以分别包括第一半导体元件250和第二半导体元件255、第一下电极290和第二下电极295、第一发光层330和第二发光层335，并且可以共同包括上电极340。第一半导体元件250和第二半导体元件255可以分别包括第一有源层130和第二有源层135、第一栅电极170和第二栅电极175、第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235。

如上所述，oled装置100可以包括多个像素区10。多个像素区10中的一个像素区可以包括子像素区ii和透明区iii。

在子像素区ii中，可以设置第一半导体元件250、第一下电极290、第一发光层330等。在透明区iii中，可以设置第二下电极295、第二发光层335等。上电极340可以整体设置在子像素区ii和透明区iii中，第二半导体元件255可以设置在子像素区ii的一部分和透明区iii的一部分中。在示例性实施例中，第二半导体元件255的一部分可以与第二发光层335叠置。

可以在子像素区ii中显示显示图像，在透明区iii中可以由第二发光层335发射光。然而，第二发光层335和第二下电极295可以是基本上透明的。因此，当第二半导体元件255未被激活(例如，第二发光层335的截止状态)时，位于oled装置100的背面处(例如，在后面中)的物体的图像可以在透明区iii中被透射。由于oled装置100包括透明区iii，所以oled装置100可以用作透明显示装置。

第一发光结构和第二发光结构可以设置在基底110上。基底110可以包括不透明材料或透明材料。在示例性实施例中，基底110可以包括例如石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、钠钙基底、无碱基底等。在可选择的示例性实施例中，基底110可以包括诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料。

在示例性实施例中，聚酰亚胺基底可以包括例如第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。由于聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以可以将聚酰亚胺基底设置在刚性玻璃基底上以有助于支持发光结构的形成。也就是说，基底110可以具有其中第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在刚性玻璃基底上的结构。在制造oled装置100时，在聚酰亚胺基底的第二聚酰亚胺层上设置绝缘层之后，可以在绝缘层上设置发光结构。在发光结构设置在绝缘层上之后，可以去除其上设置有聚酰亚胺基底的刚性玻璃基底。由于聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以可能难以在聚酰亚胺基底上直接形成发光结构。因此，在聚酰亚胺基底和刚性玻璃基底上设置发光结构，然后在去除刚性玻璃基底之后，聚酰亚胺基底可以用作oled装置100的基底110。由于oled装置100包括子像素区ii和透明区iii，所以基底110可以被分成子像素区ii和透明区iii。

缓冲层(未示出)可以设置在基底110上。缓冲层可以置于基底110与第一有源层130和第二有源层135之间。缓冲层可以设置在整个基底110上。缓冲层可以防止来自基底110的金属原子和/或杂质的扩散。另外，缓冲层可以在用来形成第一有源层130和第二有源层135的结晶化工艺中控制热传递速率，从而获得基本上均匀的第一有源层130和第二有源层135。此外，当基底110的表面相对不平坦时，缓冲层可以改善基底110的表面平坦度。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。在示例性实施例中，缓冲层可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机材料等。

第一半导体元件250可以包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230，并且可以在基底110上设置在子像素区ii中。

在示例性实施例中，第二半导体元件255可以包括第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215和第二漏电极235，并且可以在基底110上设置在子像素区ii的一部分和透明区iii的一部分中。也就是说，第二半导体元件255的至少一部分可以与第二发光层335叠置。在示例性实施例中，第二半导体元件255可以设置在例如置于第一发光层330和第二发光层335之间的像素限定层310下方。这里，外部的光可以经由透明区iii透射。当包括在oled装置100中的透明区iii的透射率高时，可以清楚地显示位于oled装置100的背面的物体的图像。因此，能够在基底110上减小透明区iii中的透射率的第二半导体元件255不应当与透明区iii叠置，从而使oled装置100在透明区iii中具有高透射率。然而，由于第二半导体元件255经由位于平坦化层270中的接触孔电连接到第二下电极295，所以第二半导体元件255的至少一部分可以设置在透明区iii中。也就是说，第二半导体元件255的至少一部分可以与第二发光层335叠置。另外，由于oled装置100包括第二半导体元件255，所以第二发光层335可以独立地发射。也就是说，由于第一半导体元件250和第二半导体元件255可以分别控制第一发光层330和第二发光层335，所以第一发光层330和第二发光层335可以同时地或独立地发射。

第一有源层130和第二有源层135可以在基底110上设置为彼此分隔开预定的距离。在示例性实施例中，例如，第一有源层130可以设置在子像素区ii中，第二有源层135可以设置在子像素区ii的一部分和透明区iii的一部分中。第一有源层130和第二有源层135可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。

栅极绝缘层150可以设置在第一有源层130和第二有源层135上。栅极绝缘层150可以在子像素区ii和透明区iii中覆盖第一有源层130和第二有源层135，并且可以设置在整个基底110上。在示例性实施例中，栅极绝缘层150可以充分地覆盖第一有源层130和第二有源层135。栅极绝缘层150可以包括基本上平坦的表面，并且没有围绕第一有源层130和第二有源层135的台阶。在可选择的示例性实施例中，栅极绝缘层150可以覆盖第一有源层130和第二有源层135，并且可以沿着第一有源层130和第二有源层135的轮廓设置为基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，栅极绝缘层150可以包括例如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)、氧化铝(alox)、氮化铝(alnx)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)、氧化钛(tiox)等。

第一栅电极170和第二栅电极175中的每个可以设置在栅极绝缘层150的在其下方设置有第一有源层130和第二有源层135的部分上以在平面图中与第一有源层130和第二有源层135叠置。在示例性实施例中，第一栅电极170和第二栅电极175可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。

绝缘中间层190可以设置在第一栅电极170和第二栅电极175上。绝缘中间层190可以在子像素区ii和透明区iii中覆盖第一栅电极170和第二栅电极175，并且可以设置在整个基底110上。在示例性实施例中，绝缘中间层190可以充分地覆盖第一栅电极170和第二栅电极175。绝缘中间层190可以包括基本上平坦的表面，并且没有围绕第一栅电极170和第二栅电极175的台阶。在可选择的示例性实施例中，绝缘中间层190可以覆盖第一栅电极170和第二栅电极175，并且可以沿着第一栅电极170和第二栅电极175的轮廓设置为基本上均匀的厚度。绝缘中间层190可以包括硅化合物、金属氧化物、有机材料等。

第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235可以设置在绝缘中间层190上。第一源电极210和第二源电极215中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘中间层190的一部分所限定的接触孔来接触第一有源层130和第二有源层135中的每个的第一侧(例如，第一部分)。第一漏电极230和第二漏电极235中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘中间层190的一部分所限定的接触孔来接触第一有源层130和第二有源层135中的每个的第二侧(例如，第二部分)。在示例性实施例中，第二有源层135的第二部分可以与透明区iii叠置，第二漏电极235可以设置在透明区iii中。在示例性实施例中，第一源电极210和第二源电极215中的每个以及第一漏电极230和第二漏电极235中的每个可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。因此，在子像素区ii中，可以设置包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230的第一半导体元件250。另外，包括第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215和第二漏电极235的第二半导体元件255可以设置在子像素区ii的一部分和透明区iii的一部分中。在示例性实施例中，oled装置100的半导体元件可以具有顶栅结构，但是不限于此。在示例性实施例中，例如，半导体元件可以具有底栅结构。

平坦化层270可以设置在第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235上(例如，在第一半导体元件250和第二半导体元件255上)。在示例性实施例中，可以在平坦化层270中限定位于子像素区ii中的第一接触孔和位于透明区iii中的第二接触孔。在示例性实施例中，第一接触孔可以位于第一发光层330下方，第二接触孔可以位于第二发光层335下方。第一下电极290可以经由第一接触孔接触第一漏电极230，第二下电极295可以经由第二接触孔接触第二漏电极235。平坦化层270可以覆盖子像素区ii和透明区iii中的第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235，并且可以设置在整个基底110上。在示例性实施例中，平坦化层270可以被设置为高的厚度以充分地覆盖第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235。在这种情况下，平坦化层270可以包括基本上平坦的上表面，并且可以进一步对平坦化层270执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。在可选择的示例性实施例中，平坦化层270可以覆盖第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235，并且可以沿着第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235的轮廓设置为基本上均匀的厚度。平坦化层270可以包括硅化合物、金属氧化物或有机材料等。

第一下电极290和第二下电极295可以设置在平坦化层270上。第一下电极290可以在基底110上设置在子像素区ii中，并且可以具有第一厚度。第一下电极290可以通过限定平坦化层270的第一接触孔来接触第一漏电极230。另外，第一下电极290可以电连接到第一半导体元件250。oled装置100可以在子像素区ii中制造为顶部发射结构。因此，第一下电极290可以包括光反射层。在示例性实施例中，如图3中所示，第一下电极290可以具有多层结构。多层结构可以包括例如第一电极层291、第二电极层292和第三电极层293。第一电极层291可以在平坦化层270上设置在子像素区ii中，第二电极层292和第三电极层293可以顺序地设置在第一电极层291上。这里，第一电极层291和第三电极层293可以包括基本上相同的材料，第二电极层292可以置入第一电极层291和第三电极层293之间。沿着与基底110的延伸方向垂直的方向截取的第一电极层291和第三电极层293中的每个的厚度可以基本上小于第二电极层292的厚度，第一电极层291的厚度可以与第三电极层293的厚度基本上相同。

第一电极层291可以覆盖平坦化层270的不平坦的上表面。由于第一电极层291设置在平坦化层270上，所以第一电极层291可以有助于形成第二电极层292。由于第三电极层293设置在第二电极层292上，所以可以容易地控制oled装置100的色坐标。第二电极层292可以用作光反射层。第二电极层292可以在oled装置100的前面(例如，第一方向)中反射从第一发光层330发射的光。因此，包括第二电极层292的第一下电极290可以是基本上不透明的。在可选择的示例性实施例中，第一下电极290可以具有包括第一电极层291和第二电极层292的多层结构，或者可以具有包括第二电极层292的单层结构。在示例性实施例中，第二电极层292可以包括例如金(au)、银(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)等。在可选择的示例性实施例中，第二电极层292可包括金属、金属合金、金属氮化物，导电金属氧化物等。在示例性实施例中，第二电极层292可以包括例如铝合金、氮化铝(alnx)、银合金、氮化钨(wnx)、铜合金、钼合金、氮化钛(tinx)、氮化铬(crnx)、氮化钽(tanx)、锶钌氧化物(“sro”)等。这些可以单独使用或以它们的合适的组合使用。第一电极层291和第三电极层293中的每个可以是基本上透明的。第一电极层291和第三电极层293中的每个可以包括透明导电材料等。在示例性实施例中，第一电极层291和第三电极层293中的每个可以包括例如氧化锌(znox)、氧化铟锡(“ito”)、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化镓(gaox)、氧化铟锌(“izo”)等。

第二下电极295可以在基底110上设置在透明区iii中，并且可以具有第二厚度。第二下电极295的第二厚度可以小于第一下电极290的第一厚度。第二下电极295可以通过限定平坦化层270的第二接触孔来接触第二漏电极235。另外，第二下电极295可以电连接到第二半导体元件255。为了在透明区iii中透射外部的光，oled装置100可以在透明区iii中制造为双发射结构。也就是说，第二下电极295是透明的。在示例性实施例中，如图4中所示，第二下电极295可以具有例如多层结构。多层结构可以包括第四电极层296和第五电极层297。第四电极层296可以在平坦化层270上设置在透明区iii中，第五电极层297可以设置在第四电极层296上。这里，第四电极层296和第五电极层297可以包括基本上相同的材料，第四电极层296和第五电极层297中的每个的厚度可以是基本上相同的。第四电极层296和第五电极层297中的每个可以透射从第二发光层335发射的光。因此，第四电极层296和第五电极层297中的每个可以是基本上透明的，并且可以在oled装置100的背面(例如，与第一方向相反的第二方向)中透射从第二发光层335发射的光。在示例性实施例中，可以同时设置第一电极层291和第四电极层296，可以同时设置第三电极层293和第五电极层297。因此，第四电极层296和第五电极层297以及第一电极层291和第三电极层293可以包括相同的材料。在示例性实施例中，第四电极层296和第五电极层297中的每个可以包括透明导电材料等。在可选择的示例性实施例中，第二下电极295可以具有包括第四电极层296或第五电极层297的单层结构。

再次参照图2，像素限定层310可以在平坦化层270上暴露第一下电极290和第二下电极295中的每个的一部分。在示例性实施例中，像素限定层310可以覆盖第一下电极290的两个侧部和第二下电极295的两个侧部。在这种情况下，第一发光层330和第二发光层335可以设置在第一下电极290和第二下电极295中的每个的被像素限定层310暴露的部分上。这里，限定在透明区iii中的暴露第二下电极295的开口可以是图1的透明窗。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。

第一发光层330(例如，包括在图1的第三子像素25中的发光层)可以设置在其中暴露第一下电极290的部分的部分中。第一发光层330可以具有包括有机发射层(el)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等的多层结构。第一发光层330的hil、htl、el、etl和eil可以顺序地设置在第一下电极290和上电极340之间。根据图1的第一子像素15、第二子像素20和第三子像素25，可以使用能够产生不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光等)的发光材料中的至少一种来设置第一发光层330的el。可选择地，除了el之外的hil、htl、etl、eil等可以从子像素区ii到透明区iii连续地设置。在可选择的示例性实施例中，第一发光层330通常可以通过堆叠能够产生诸如红色的光、绿色的光、蓝色的光等不同颜色的光的多种发光材料来产生白色的光。在这种情况下，滤色器可以设置在第一发光层330上，并且可以不设置在透明区iii中。在示例性实施例中，滤色器可以包括例如红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器中的至少一种。在可选择的示例性实施例中，滤色器可以包括例如黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。在示例性实施例中，滤色器可以包括例如光敏树脂或彩色光致抗蚀剂等。

第二发光层335(例如，包括在图1的第四子像素30中的发光层)可以设置在其中暴露第二下电极295的部分的部分中。根据图1的第四子像素30，第二发光层335可以发射白色的光。第二发光层335可以由第二半导体元件255控制。在示例性实施例中，当第二半导体元件255被激活(例如，导通)时，第二发光层335可以在第一方向和第二方向上发射白色的光。当第二半导体元件255未被激活(例如，截止)时，可以穿过透明区iii透射位于oled装置100的背面的物体的图像。因此，在oled装置100的透明区iii中可以通过第二漏电极235发射光。第二发光层335可以具有串联结构以发射白色的光。在示例性实施例中，第二发光层335可以包括例如红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且电荷产生层(“cgl”)可以置于红色发光层和绿色发光层之间以及绿色发光层和蓝色发光层之间。在示例性实施例中，红色发光层、第一cgl、绿色发光层、第二cgl、蓝色发光层可以顺序地设置在第二下电极295上。在可选择的示例性实施例中，cgl可以设置在例如红色发光层和绿色发光层之间或者绿色发光层和蓝色发光层之间。在示例性实施例中，第二发光层335通常可以通过将能够产生诸如红色的光、绿色的光、蓝色的光等的不同颜色的光的多种发光材料进行混合来产生白色的光。在示例性实施例中，第二发光层335可以通过使用蓝色荧光材料和黄绿色磷光材料产生蓝色的光和黄绿色的光，并且可以以蓝色荧光材料和黄绿色磷光材料的合适的混合物产生白色的光。另外，可以通过控制发光材料的混合比例来产生各种颜色的光。在示例性实施例中，发光材料可以发射例如黄色的光、紫色的光、天蓝色的光等。在可选择的示例性实施例中，第二发光层335可以如同第一发光层330发射红色的光、绿色的光或蓝色的光。例如，第二发光层335可以具有包括el、hil、htl、etl、eil等的多层结构。第二发光层335的hil、htl、el、etl和eil可以顺序地设置在第二下电极295和上电极340之间。在这种情况下，第一发光层330的hil、htl、etl和eil可以从子像素区ii到透明区iii连续地设置。

上电极340可以设置在像素限定层310以及第一发光层330和第二发光层335上。上电极340可以在子像素区ii和透明区iii中覆盖像素限定层310以及第一发光层330和第二发光层335。也就是说，上电极340可以与第一发光层330和第二发光层335叠置。在示例性实施例中，上电极340可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或以它们的合适的组合使用。

包封基底(未示出)可以设置在上电极340上。包封基底和基底110可以包括基本上相同的材料。在示例性实施例中，包封基底可以包括例如石英、合成石英、氟化钙、掺杂氟化物的石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。在示例性实施例中，包封基底可以包括透明无机材料或柔性塑料。在示例性实施例中，包封基底可以包括例如柔性透明树脂基底。在这种情况下，为了增加oled装置100的柔性，包封基底可以包括其中交替地堆叠至少一个有机层和至少一个无机层的堆叠结构。

根据示例性实施例的oled装置100在透明区iii中包括第二发光层335。因此，可以防止包括在oled装置100中的像素的快速劣化。另外，因为第二发光层335发射白色的光，所以可以降低oled装置100的电功率的消耗。

图5、图6、图7、图8和图9是示出根据示例性实施例的制造oled装置的方法的剖视图。

参照图5，可以在基底510上在子像素区ii中设置第一有源层530，可以在基底510上在子像素区ii和透明区iii中的每个的一部分中设置第二有源层535。可以使用例如氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等设置第一有源层530和第二有源层535。在示例性实施例中，可以使用例如石英、合成石英、氟化钙、掺杂氟化物的石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等设置基底510。在可选择的示例性实施例中，可以在基底510上设置缓冲层。缓冲层可以设置在整个基底510上。缓冲层可以防止来自基底510的金属原子和/或杂质的扩散。可以在基底510上设置栅极绝缘层550。栅极绝缘层550可以覆盖第一有源层530和第二有源层535，并且可以整体地设置在基底510上的子像素区ii和透明区iii中。在示例性实施例中，可以使用例如硅化合物、金属氧化物等设置栅极绝缘层550。第一栅电极570和第二栅电极575可以分别设置在其下定位有第一有源层530和第二有源层535的栅极绝缘层550上。在示例性实施例中，可以使用例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等设置第一栅电极570和第二栅电极575中的每个。

参照图6，可以在第一栅电极570和第二栅电极575上设置绝缘中间层590。绝缘中间层590可以覆盖第一栅电极570和第二栅电极575中的每个，并且可以在栅级绝缘层550上整体地设置在子像素区ii和透明区iii中。在示例性实施例中，可以使用例如硅化合物、金属氧化物等设置绝缘中间层590。可以在绝缘中间层590上设置第一源电极610和第二源电极615以及第一漏电极630和第二漏电极635。第一源电极610和第二源电极615中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层550和绝缘中间层590的一部分所限定的接触孔来接触第一有源层530和第二有源层535中的每个的第一侧(例如，第一部分)。第一漏电极630和第二漏电极635中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层550和绝缘中间层590的一部分所限定的接触孔来接触第一有源层530和第二有源层535中的每个的第二侧(例如，第二部分)。这里，第二有源层535的第二部分可以与透明区iii叠置，第二漏电极635可以设置在透明区iii中。在示例性实施例中，可以使用例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等设置第一源电极610和第二源电极615中的每个以及第一漏电极630和第二漏电极635中的每个。这些可以单独使用或以它们的合适的组合使用。因此，可以设置包括第一有源层530、第一栅电极570、第一源电极610和第一漏电极630的第一半导体元件650。另外，可以设置包括第二有源层535、第二栅电极575、第二源电极615和第二漏电极635的第二半导体元件655。

参照图7，可以在绝缘中间层590上设置平坦化层670。平坦化层670可以覆盖第一源电极610和第二源电极615以及第一漏电极630和第二漏电极635，并且可以在基底510上整体地设置在子像素区ii和透明区iii中。可以在平坦化层670中限定位于子像素区ii中的第一接触孔和位于透明区iii中的第二接触孔。平坦化层670可以具有高的厚度以充分地覆盖第一源电极610和第二源电极615以及第一漏电极630和第二漏电极635。在这种情况下，平坦化层670可以具有基本上平坦的上表面，并且可以进一步对平坦化层670执行平坦化工艺以实现平坦化层670的平坦的上表面。在示例性实施例中，可以使用例如硅化合物、金属氧化物、有机材料等设置平坦化层670。

可以在平坦化层670上设置第一下电极690和第二下电极695。第一下电极690可以在基底510上设置在子像素区ii中，并且可以具有第一厚度。第一下电极690可以通过限定平坦化层670的第一接触孔来接触第一漏电极630。在示例性实施例中，第一下电极690可以具有多层结构。如图3中所示，多层结构可以包括第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电极层可以在平坦化层670上设置在子像素区ii中，第二电极层和第三电极层可以顺序地设置在第一电极层上。这里，可以使用基本上相同的材料设置第一电极层和第三电极层，第二电极层可以置于第一电极层和第三电极层之间。第一电极层和第三电极层中的每个的厚度可以基本上小于第二电极层的厚度，第一电极层的厚度可以与第三电极层的厚度基本上相同。第二电极层可以是基本上不透明的。在示例性实施例中，可以使用例如au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、ir等设置第二电极层。这些可以单独使用或以它们的合适的组合使用。第一电极层和第三电极层中的每个可以包括透明导电材料等。在示例性实施例中，第一电极层和第三电极层中的每个可以是例如透明的。可以使用透明导电材料等设置第一电极层和第三电极层中的每个。

第二下电极695可以在基底510上设置在透明区iii中，并且可以具有第二厚度。第二下电极695的第二厚度可以小于第一下电极690的第一厚度。第二下电极695可以通过限定平坦化层670的第二接触孔来接触第二漏电极635。在示例性实施例中，如图4中所示，第二下电极695可以具有例如多层结构。多层结构可以包括第四电极层和第五电极层。第四电极层可以在平坦化层670上设置在透明区iii中，第五电极层可以设置在第四电极层上。这里，可以使用基本上相同的材料设置第四电极层和第五电极层，并且第四电极层和第五电极层中的每个的厚度可以是基本上相同的。在示例性实施例中，可以同时设置第一电极层和第四电极层，可以同时设置第三电极层和第五电极层。在示例性实施例中，例如，可以在整个平坦化层670上设置第一初始电极层。设置第一初始电极层之后，可以通过去除第一初始电极层的一部分来设置第一电极层和第四电极层。设置第一电极层和第四电极层之后，可以在第一电极层上设置第二电极层。设置第二电极层之后，可以将初始第二电极层整体地设置在第二电极层、第四电极层和平坦化层670上。设置初始第二电极层之后，可以通过去除初始第二电极层的一部分来设置第三电极层和第五电极层。因此，第四电极层和第五电极层以及第一电极层和第三电极层可以是基本相同的材料。第四电极层和第五电极层中的每个可以是基本上透明的。在示例性实施例中，第四电极层和第五电极层中的每个可以包括例如透明导电材料等。

参照图8和图9，可以在平坦化层670上设置像素限定层710以暴露第一下电极690和第二下电极695中的每个的一部分。在示例性实施例中，例如，像素限定层710可以覆盖第一下电极690的两个侧部和第二下电极695的两个侧部。第二半导体元件655可以位于像素限定层710下方。第二半导体元件655的至少一部分可以与第二发光层735叠置。在示例性实施例中，例如，第二半导体元件655可以设置在置于在第一下电极690和第二下电极695之间的像素限定层710下方。可以使用有机材料或无机材料设置像素限定层710。

可以在其中暴露第一下电极690的部分的部分中设置第一发光层730。可以根据图1的第一子像素、第二子像素和第三子像素，使用能够产生不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光等)的发光材料中的至少一种来设置第一发光层730。

可以在其中暴露第二下电极695的部分的部分中设置第二发光层735。第二发光层735可以根据图1的第四子像素发射白色的光。第二发光层735可以具有串联结构以发射白色的光。在示例性实施例中，例如，第二发光层735可以包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且电荷产生层(“cgl”)可以置于红色发光层和绿色发光层之间以及绿色发光层和蓝色发光层之间。在示例性实施例中，例如，红色发光层、第一cgl、绿色发光层、第二cgl、蓝色发光层可以顺序地设置在第二下电极695上。在示例性实施例中，第二发光层735通常可以通过将能够产生诸如红色的光、绿色的光、蓝色的光等的不同颜色的光的多种发光材料进行混合来产生白色的光。在示例性实施例中，例如，第二发光层735可以通过使用蓝色荧光材料和黄绿色磷光材料产生蓝色的光和黄绿色的光，并且可以以蓝色荧光材料和黄绿色磷光材料的合适的混合物产生白色的光。另外，可以通过控制发光材料的混合比例来产生各种颜色的光。在示例性实施例中，例如，发光材料可以发射例如黄色的光、紫色的光、天蓝色的光等。在可选择的示例性实施例中，第二发光层735可以如同第一发光层730发射红色的光、绿色的光或蓝色的光。

上电极740可以整体地设置在像素限定层710以及第一发光层730和第二发光层735上。上电极740可以在子像素区ii和透明区iii中覆盖像素限定层710以及第一发光层730和第二发光层735。在示例性实施例中，上电极740可以使用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来设置。这些可以单独使用或以它们的合适的组合使用。

图10是示出根据示例性实施例的oled装置的剖视图。除了第二半导体元件255的位置之外，图10中所示的oled装置可以具有与参照图2描述的oled装置100的构造基本上相同或相似的构造。在图10中，将省略对与参照图2所描述的元件基本上相同或相似的元件的详细描述。

参照图10，oled装置可以包括基底110、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、平坦化层270、第一发光结构、第二发光结构、像素限定层312等。这里，第一发光结构和第二发光结构可以分别包括第一半导体元件250和第二半导体元件255、第一下电极290和第二下电极298、第一发光层330和第二发光层335，并且共同包括上电极340。第一半导体元件250和第二半导体元件255可以分别包括第一有源层130和第二有源层135、第一栅电极170和第二栅电极175、第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235。

如上所述，oled装置可以包括多个像素区。多个像素区中的一个像素区可以具有子像素区ii和透明区iii。

在子像素区ii中，可以设置第一半导体元件250、第一下电极290、第一发光层330等。在透明区iii中，可以设置第二下电极298、第二发光层335等。上电极340可以整体设置在子像素区ii和透明区iii中，第二半导体元件255可以设置在子像素区ii的一部分和透明区iii的一部分中。在示例性实施例中，第二半导体元件255可以设置在置于第一发光层330和第二发光层335之间的像素限定层312下方。

可以在子像素区ii中显示显示图像，在透明区iii中可以由第二发光层335发射光。然而，第二发光层335和第二下电极298可以是基本上透明的。因此，当第二半导体元件255未被激活(例如，第二发光层335的截止状态)时，位于oled装置100的背面的物体的图像可以在透明区iii中被透射。由于oled装置包括透明区iii，所以oled装置可以用作透明显示装置。

平坦化层270可以设置在第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235上(例如，在第一半导体元件250和第二半导体元件255上)。在示例性实施例中，位于子像素区ii中的第一接触孔和位于透明区iii中的第二接触孔可以被限定在平坦化层270中。在示例性实施例中，例如，第一接触孔可以位于第一发光层330下方，第二接触孔可以位于像素限定层312下方使得第二接触孔不与第二发光层335叠置。第一下电极290可以经由第一接触孔接触第一漏电极230，第二下电极298可以经由第二接触孔接触第二漏电极235。平坦化层270可以在子像素区ii和透明区iii中覆盖第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235，并且可以设置在整个基底110上。在示例性实施例中，平坦化层270可以包括例如硅化合物、金属氧化物、有机材料等。

第一下电极290和第二下电极298可以设置在平坦化层270上。第一下电极290可以在基底110上设置在子像素区ii中，并且可以具有第一厚度。第一下电极290可以通过限定平坦化层270的第一接触孔来接触第一漏电极230。第二下电极298可以在基底110上设置在透明区iii中，并且可以具有第二厚度。第二下电极298的第二厚度可以小于第一下电极290的第一厚度。第二下电极298可以通过限定平坦化层270的第二接触孔来接触第二漏电极235。在示例性实施例中，由于第二半导体元件255设置在置于第一发光层330和第二发光层335之间的像素限定层312下方，所以可以相对地增大oled装置的透射率。

图11是示出根据示例性实施例的oled装置的剖视图。除了第二半导体元件255的位置之外，图11中所示的oled装置可以具有与参照图2描述的oled装置100的构造基本上相同或相似的构造。在图11中，将省略对与参照图2所描述的元件基本上相同或相似的元件的详细描述。

参照图11，oled装置可以包括基底110、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、平坦化层270、第一发光结构和第二发光结构、像素限定层314等。这里，第一发光结构和第二发光结构可以分别包括第一半导体元件250和第二半导体元件255、第一下电极290和第二下电极299、第一发光层330和第二发光层335，并且可以共同包括上电极340。第一半导体元件250和第二半导体元件255可以分别包括第一有源层130和第二有源层135、第一栅电极170和第二栅电极175、第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235。

如上所述，oled装置可以包括多个像素区。多个像素区中的一个像素区可以具有子像素区ii和透明区iii。

在子像素区ii中，可以设置第一半导体元件250和第二半导体元件255、第一下电极290、第一发光层330等。在透明区iii中，可以设置第二下电极299、第二发光层335等。上电极340可以整体设置在子像素区ii和透明区iii中。在示例性实施例中，第二半导体元件255可以设置在置于在第一发光层330和第二发光层335之间的像素限定层314下方的子像素区ii中。

可以在子像素区ii中显示显示图像，在透明区iii中可以由第二发光层335发射光。然而，第二发光层335和第二下电极299可以是基本上透明的。因此，当第二半导体元件255未被激活时，位于oled装置的背面的物体的图像可以在透明区iii中被透射。由于oled装置包括透明区iii，所以oled装置可以用作透明显示装置。

第一半导体元件250可以包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230，并且可以在基底110上设置在子像素区ii中。

在示例性实施例中，第二半导体元件255可以包括第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215和第二漏电极235，并且可以在基底110上设置在子像素区ii中。也就是说，第二半导体元件255的至少一部分可以不与第二发光层335叠置。在示例性实施例中，例如，第二半导体元件255可以在子像素区ii中设置在置于第一发光层330和第二发光层335之间的像素限定层314下方。

平坦化层270可以设置在第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235上(例如，在第一半导体元件250和第二半导体元件255上)。在示例性实施例中，位于子像素区ii中的第一接触孔和第二接触孔可以被限定在平坦化层270中。在示例性实施例中，例如，第一接触孔可以位于第一发光层330下方，第二接触孔可以在子像素区ii中位于像素限定层314下方使得第二接触孔不与第二发光层335叠置。第一下电极290可以经由第一接触孔接触第一漏电极230，第二下电极299可以经由第二接触孔接触第二漏电极235。在示例性实施例中，平坦化层270可以包括例如硅化合物、金属氧化物、有机材料等。

第一下电极290和第二下电极299可以设置在平坦化层270上。第一下电极290可以在基底110上设置在子像素区ii中，并且可以具有第一厚度。第一下电极290可以通过限定平坦化层270的第一接触孔来接触第一漏电极230。第二下电极299可以在基底110上沿着从透明区iii到子像素区ii中的方向延伸，第二下电极299可以设置在子像素区ii的一部分和透明区iii中。另外，第二下电极299可以具有第二厚度。第二下电极299的第二厚度可以小于第一下电极290的第一厚度。第二下电极299可以通过限定平坦化层270的第二接触孔来接触第二漏电极235。在示例性实施例中，由于第二半导体元件255设置在置于第一发光层330和第二发光层335之间的像素限定层314下方的子像素区ii中，所以可以相对增大oled装置的透射率。

本发明可以应用于包括oled装置的各种显示装置。在示例性实施例中，本发明可以应用于例如车辆显示装置、船舶显示装置、飞行器显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传递的显示装置、医疗显示装置等。

前述是对示例性实施例的说明，而不应解释为对其的限制。虽然已经描述了一些示例性实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明的新颖性教导和优点的情况下，在实施例中许多修改是可能的。因此，所有这些修改旨在被包括在如权利要求所限定的本发明的范围内。因此，将理解的是，前述是对各种示例性实施例的说明而不将被解释为对所公开的具体示例性实施例的限制，对所公开的示例性实施例以及其它示例性实施例的修改旨在被包括在权利要求的范围内。