显示面板及其制造方法与流程

发明构思的示例性实施例涉及一种显示面板及其制造方法。更具体地，发明构思的示例性实施例涉及一种用于透明显示设备的显示面板及其制造方法。

背景技术：

显示装置利用发光的像素来显示图像。有机发光显示装置包括具有有机发光二极管(“oled”)的像素。oled发光，光的波长取决于oled中包括的有机材料。例如，oled可以包括预定的有机材料，使得oled发射红色光、绿色光和蓝色光中的一种。有机发光显示装置通过将由多个oled的有机材料发射的光混合来显示图像。

已经开发了显示图像并且外部光穿过的透明有机发光显示设备。透明显示设备可以将入射到它的前表面的外部光透射，从而设置在透明有机发光显示设备后面的物体对于用户可见。

技术实现要素：

透明有机发光显示设备的透明度可以由通过其的外部光的透射率来确定。然而，包括在透明有机发光显示设备内的用于显示图像的元件可能导致通过其的外部光的透射率的降低。

发明构思的一个或更多个示例性实施例提供一种具有改善的外部光透射率的透明有机发光显示设备。

发明构思的一个或更多个示例性实施例也提供一种制造透明有机发光显示设备的方法。

根据发明构思的示例性实施例，显示面板包括：信号线，在第一方向或与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一晶体管，电连接到信号线，并包括第一有源图案和第一栅电极；以及第一电极，电连接到第一晶体管。在这样的实施例中，多个开口以使得信号线通过其透射外部光的方式限定在信号线中。

在示例性实施例中，信号线可以包括：栅极线，在第一方向上延伸；数据线，在第二方向上延伸；以及驱动电源线，在第二方向上延伸，并与数据线间隔开。

在示例性实施例中，栅极线、数据线和驱动电源线中的每个可以具有限定开口的网状结构。

在示例性实施例中，网状结构可以由形成重复的x形状的多条精细线限定。

在示例性实施例中，每条精细线可以具有小于大约2.0微米(μm)的宽度。

在示例性实施例中，第一栅电极可以电连接到第一存储电极。在这样的实施例中，开口可以不在第一栅电极处，从而第一栅电极阻挡外部光。

在示例性实施例中，第一电极可以包括透明导电材料，第一电极的一部分可以与信号线叠置。

在示例性实施例中，第一有源图案可以包括透明的氧化物半导体。

在示例性实施例中，显示面板还可以包括形成存储电容器的第一存储电极和第二存储电极。在这样的实施例中，第一存储电极可以包括透明的氧化物半导体，第二存储电极可以包括透明导电材料。

在示例性实施例中，第一存储电极和第一有源图案可以由同一层限定，第一存储电极可以具有比第一有源图案的氢浓度高的氢浓度。

在示例性实施例中，显示面板还可以包括包含有机材料并位于第一存储电极与第二存储电极之间的绝缘层。

在示例性实施例中，显示面板还可以包括位于第一存储电极和第二存储电极之间的第一绝缘层和第二绝缘层。在这样的实施例中，第一绝缘层可以包括无机材料，第二绝缘层可以包括有机材料。

在示例性实施例中，第二存储电极和第一电极可以由同一层限定。

在示例性实施例中，显示面板还可以包括位于第一电极上并包括透明材料的像素限定层，暴露第一电极的一部分的开口限定在像素限定层中。

在示例性实施例中，显示面板还可以包括将信号线、第一晶体管和第一电极彼此绝缘的多个绝缘层。在这样的实施例中，信号线、第一晶体管和第一电极可以通过穿过绝缘层限定的接触孔彼此电连接。在这样的实施例中，开口可以不在信号线和第一晶体管的通过接触孔连接信号线和第一晶体管处的部分处，以及可以不形成在第一晶体管和第一电极的通过接触孔连接第一晶体管和第一电极处的部分处，使得信号线和第一晶体管的所述部分以及第一晶体管和第一电极的所述部分不透明。

根据发明构思的示例性实施例，制造显示面板的方法包括：在基体基底上设置信号线；在设置有信号线的基体基底上设置绝缘层；以及在绝缘层上设置透明图案。在这样的实施例中，设置信号线的步骤包括以使得信号线通过其透射外部光的方式在信号线中形成多个开口。

在示例性实施例中，设置信号线的步骤还可以包括：在基体基底上设置导电层；以及通过使用光刻法或压印光刻法使导电层图案化来形成信号线。在这样的实施例中，可以在使导电层图案化时在信号线中同时形成开口。

在示例性实施例中，绝缘层可以包括有机材料，所述方法还可以包括在基体基底上设置有源图案以及在设置透明图案之前使用包括氢的清洗流体来清洗绝缘层。在这样的实施例中，有源图案可以包括透明的氧化物半导体并包括第一存储电极和第一有源图案，透明图案可以包括第一电极和第二存储电极，第一存储电极、绝缘层和第二存储电极可以共同地限定存储电容器。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括在第一电极上设置包括透明材料的像素限定层，暴露第一电极的一部分的开口可以限定在像素限定层中。在这样的实施例中，透明图案可以不与第一有源图案叠置，第二存储电极可以与第一存储电极叠置。

根据发明构思的示例性实施例，显示面板包括：信号线，包括金属；第一电极和晶体管，第一电极包括透明导电材料，晶体管电连接到信号线；以及发光结构，位于第一电极上。在这样的实施例中，多个开口以使得信号线通过其透射外部光的方式限定在信号线中。

根据发明构思的示例性实施例，显示面板包括其中限定有多个开口的信号线，使得可以改善透明度。在这样的实施例中，显示面板可以包括包含透明的氧化物半导体的第一存储电极和包含透明图案的第二存储电极，使得大幅度改善与形成有存储电容器处对应的外部光的透射率。

附图说明

通过参照附图对发明构思的示例性实施例详细地描述，发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的显示面板的平面图；

图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图；

图3是示出图1的显示面板的布线的透射区域和非透射区域的平面图；

图4是示出图1的显示面板的像素的示例性实施例的等效电路图；

图5是示出根据发明构思的可选择的示例性实施例的显示面板的平面图；

图6a至图14是示出制造图1的显示面板的方法的示例性实施例的平面图和剖视图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把发明的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终表示同样的元件。

将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者可以在其间存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在这里用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不意图限制。如在这里所使用的，除非上下文另有清楚地指明，否则单数形式“一个”、“一种(者)”和“该(所述)”以及“……中的至少一个(种)(者)”意图包括复数形式。“或”表示“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。还将理解的是，术语“包括”和/或其变型当用在本说明书中时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，在这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如图中所示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含除了图中描绘的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随后被定位为在所述其它元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以根据附图的特定定向包含“下”和“上”两种方位。类似地，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随后被定位为在所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“下面”可以包含上方和下方两种方位。

如这里使用的“大约”或“近似”包括所述的值，并意味着：考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％、5％之内。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。

在这里参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，预期例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为限于如这里示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制本权利要求的范围。

在下文中，将参照附图详细描述发明构思的示例性实施例。

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的显示面板的平面图。图2是沿图1的线i-i'截取的剖视图。图4是示出图1的显示面板的像素的示例性实施例的等效电路图。

参照图1和图2，显示面板的示例性实施例可以包括基体基底100、栅极图案、第一绝缘层110、有源图案、第二绝缘层120、数据图案、第一晶体管tr1、第二晶体管tr2、第三绝缘层130、第四绝缘层140、透明图案、像素限定层150、发光结构160、第二电极el2和密封基底200。

基体基底100可以是透明绝缘基底。在一个示例性实施例中，例如，基体基底100可以包括玻璃、石英或透明树脂等。用于基体基底100的透明树脂可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚醚类树脂、含磺酸树脂或聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂等。

栅极图案可以设置在基体基底100上。例如，栅极图案可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料。在一个示例性实施例中，例如，栅极图案可以使用从铝(al)、含铝合金、氮化铝(alnx)、银(ag)、含银合金、钨(w)、氮化钨(wnx)、铜(cu)、含铜合金、镍(ni)、含镍合金、铬(cr)、氮化铬(crnx)、钼(mo)、含钼合金、钛(ti)、氮化钛(tinx)、铂(pt)、钽(ta)、氮化钽(tanx)、钕(nd)、钪(sc)、氧化锶钌(sro)、氧化锌(znox)、氧化铟锡(“ito”)、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化镓(gaox)和氧化铟锌(“izo”)中选择的至少一种材料来形成。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的组合使用。在示例性实施例中，栅极图案可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构或多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。

栅极图案可以包括栅极线101、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。

栅极线101可以在第一方向d1上延伸。可以通过栅极线101将扫描信号提供给第二栅电极ge2。栅极线101可以透射外部光。在示例性实施例中，可以在栅极线101的基本上整个区域处限定或形成多个开口。在一个示例性实施例中，例如，栅极线101可以包括以使得精细线可以形成重复的x形状以限定网状结构的方式设置的多条精细线。精细线可以具有小于大约2.0微米(μm)的宽度以对用户不可见。因此，呈网状结构的栅极线101可以通过开口有效地透射外部光。

在示例性实施例中，栅极线101可以具有形成如上所述的网状结构的精细线，但是不限于此。在可选择的示例性实施例中，栅极线101可以具有各种构造以透射外部光。在一个示例性实施例中，例如，栅极线101可以包括多个狭缝。在示例性实施例中，栅极线101中的开口可以具有矩形、圆形或椭圆形形状。开口可以规则地布置或者不规则地布置。

第一栅电极ge1可以与栅极线101间隔开。第一栅电极ge1可以具有其中不限定有开口的常规的形状，以改善第一晶体管tr1的特性。因此，第一栅电极ge1不会透射外部光。

第二栅电极ge2可以电连接到栅极线101。第二栅电极ge2可以具有其中不限定有开口的常规的形状，以改善第二晶体管tr2的特性。因此，第二栅电极ge2不会透射外部光。

尽管图中未示出，但是还可以在栅极图案与基体基底100之间设置缓冲层。缓冲层可以有效地防止金属原子和/或杂质从基体基底100的扩散。在基体基底100具有相对不规则的或不平坦的表面的示例性实施例中，缓冲层可以改善基体基底100的表面的平坦度。缓冲层可以使用硅化合物来形成。在一个示例性实施例中，例如，缓冲层可以包括从氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)和氮碳化硅(sicxny)中选择的至少一种材料。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的混合物使用。缓冲层可以具有单层结构或多层结构。在一个示例性实施例中，例如，缓冲层可以具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜或氮碳化硅膜的单层结构。可选择地，例如，缓冲层可以具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、碳氧化硅膜和氮碳化硅膜中的至少两个的多层结构。

第一绝缘层110可以设置在其上设置有栅极图案的基体基底100上。第一绝缘层110可以包括硅化合物、金属氧化物等。在一个示例性实施例中，例如，第一绝缘层110可以使用从氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化铝(alox)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)和氧化钛(tiox)中选择的至少一种材料来形成。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的组合使用。在示例性实施例中，第一绝缘层110可以沿栅极图案的轮廓均匀地形成在基体基底100上。在这样的实施例中，第一绝缘层110可以具有基本上小的厚度，使得可以在第一绝缘层110的与栅极图案相邻的部分处形成台阶部。在一些示例性实施例中，第一绝缘层110可以具有用于充分地覆盖栅极图案的相对大的厚度，从而第一绝缘层110可以具有基本上平坦的表面。

有源图案可以设置在第一绝缘层110上。有源图案可以包括透明的氧化物半导体。在一个示例性实施例中，例如，氧化物半导体可以包括非晶氧化物，所述非晶氧化物包括从铟(in)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)和铪(hf)中选择的至少一种。在一个示例性实施例中，例如，氧化物半导体可以包括包含铟(in)、锌(zn)和镓(ga)的非晶氧化物(或由包含铟(in)、锌(zn)和镓(ga)的非晶氧化物组成)，或者包括包含铟(in)、锌(zn)和铪(hf)的非晶氧化物(或由包含铟(in)、锌(zn)和铪(hf)的非晶氧化物组成)。氧化物半导体可以包括诸如氧化铟锌(inzno)、氧化铟镓(ingao)、氧化铟锡(insno)、氧化锌锡(znsno)、氧化镓锡(gasno)和氧化镓锌(gazno)的氧化物。

有源图案可以包括第一有源图案act1、第二有源图案act2和第一存储电极cst1。

当在显示面板的厚度方向上观察时，第一有源图案act1可以与第一栅电极ge1叠置。当在显示面板的厚度方向上观察时，第二有源图案act2可以与第二栅电极ge2叠置。

第一存储电极cst1可以与第一有源图案act1和第二有源图案act2间隔开。第一存储电极cst1可以具有比第一有源图案act1和第二有源图案act2的氢浓度高的氢浓度。当氢浓度增大时，载流子浓度增大，从而第一存储电极cst1可以具有高的氢浓度，以有效地用作存储电容器的下电极。

在第一有源图案act1和第二有源图案act2包括氧化物半导体的示例性实施例中，显示面板还可以包括与第一有源图案act1和第二有源图案act2叠置的光阻挡层，以有效防止氧化物半导体的特性由于外部光而劣化。

第二绝缘层120可以设置在其上设置有有源图案的第一绝缘层110上。第二绝缘层120可以包括硅化合物或金属氧化物等。在一个示例性实施例中，例如，第二绝缘层120可以使用从氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化铝(alox)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)和氧化钛(tiox)中选择的至少一种材料来形成。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的组合使用。在示例性实施例中，第二绝缘层120可以沿有源图案的轮廓均匀地形成在第一绝缘层110上。在示例性实施例中，第二绝缘层120可以具有基本上小的厚度，使得可以在第二绝缘层120的与有源图案相邻的部分处形成台阶部。在一些示例性实施例中，第二绝缘层120可以具有用于充分地覆盖有源图案的相对大的厚度，从而第二绝缘层120可以具有基本上平坦的表面。

数据图案可以包括数据线121、第二源电极se2、第二漏电极de2、第一连接电极123、驱动电源线122、第一源电极se1和第二连接电极124。在一些示例实施例中，在没有第一连接电极123的情况下，第二有源图案act2和第一存储电极cst1可以彼此直接连接。

数据线121可以在与第一方向d1交叉的第二方向d2上延伸。可以通过数据线121将数据信号施加到第二源电极se2。数据线121可以透射外部光。在一个示例性实施例中，例如，可以在数据线121的基本上整个区域处限定或形成多个开口。数据线121可以包括多条精细线，从而精细线可以形成重复的x形状以限定网状结构。精细线可以具有小于大约2.0μm的宽度以对用户不可见。因此，数据线121可以通过开口有效地透射外部光。

在示例性实施例中，数据线121具有形成如上所述的网状结构的精细线，但不限于此。在可选择的示例性实施例中，数据线121可以具有各种构造以透射外部光。在一个示例性实施例中，例如，数据线121可以包括多个狭缝。在示例性实施例中，数据线121中的开口可以具有矩形、圆形或椭圆形形状。开口可以规则地布置或不规则地布置。

第二源电极se2可以电连接到数据线121。第二源电极se2可以通过穿过第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第二有源图案act2。第二源电极se2可以具有其中不限定有开口的常规的形状，以改善第二晶体管tr2的特性。因此，第二源电极se2不会透射外部光。

第二漏电极de2可以通过穿过第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第二有源图案act2。第二漏电极de2可以电连接到第一连接电极123。第二漏电极de2可以具有其中没有限定有开口的常规的形状，以改善第二晶体管tr2的特性。因此，第二漏电极de2不会透射外部光。

第一连接电极123可以将第二漏电极de2电连接到第一存储电极cst1。第一连接电极123可以电连接到第二漏电极de2。第一连接电极123可以通过穿过第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第一存储电极cst1。

第一连接电极123的填充接触孔的部分可以具有其中没有限定有开口的常规的形状，以改善电特性。因此，该部分不会透射外部光。在这样的实施例中，第一连接电极123的另一部分可以具有类似于数据线121的网状结构，从而外部光可以通过其透射。

驱动电源线122可以在第一方向d1上与数据线121间隔开，并在第二方向d2上延伸。可以通过驱动电源线122将第一电源电压elvdd(图4中所示)施加到第一源电极se1。驱动电源线122可以透射外部光。在一个示例性实施例中，例如，可以在驱动电源线122的基本上整个区域处限定或形成多个开口。驱动电源线122可以包括多条精细线，从而精细线可以形成重复的x形状以限定网状结构。精细线可以具有小于大约2.0μm的宽度以对用户不可见。因此，驱动电源线122可以通过开口透射外部光。

在示例性实施例中，驱动电源线122具有形成如上所述的网状结构的精细线，但不限于此。在可选择的示例性实施例中，驱动电源线122可以具有各种构造以透射外部光。在一个示例性实施例中，例如，驱动电源线122可以包括多个狭缝。在示例性实施例中，驱动电源线122中的开口可以具有矩形、圆形或椭圆形形状。开口可以规则地布置或不规则地布置。

第一源电极se1可以通过穿过第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第一有源图案act1。第一源电极se1可以具有其中没有限定有开口的常规的形状，以改善第一晶体管tr1的特性。因此，第一源电极se1不会透射外部光。

第二连接电极124可以将第一栅电极ge1电连接到第一存储电极cst1。第二连接电极124可以通过穿过第一绝缘层110和第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第一栅电极ge1。第二连接电极124可以通过穿过第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第一存储电极cst1。

第二连接电极124的填充接触孔的部分可以具有其中没有限定有开口的常规的形状，以改善电特性。因此，该部分不会透射外部光。在这样的实施例中，第二连接电极124的另一部分可以具有类似于数据线121的网状结构，从而外部光可以通过其透射。

第三绝缘层130可以设置在其上设置有数据图案的第二绝缘层120上。第三绝缘层130可以包括硅化合物或金属氧化物等。在一个示例性实施例中，例如，第三绝缘层130可以使用从氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、氧化铝(alox)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)和氧化钛(tiox)中选择的至少一种材料来形成。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的组合使用。在示例性实施例中，第三绝缘层130可以沿数据图案的轮廓均匀地形成在基体基底100上。在这样的实施例中，第三绝缘层130可以具有基本上小的厚度，使得可以在第三绝缘层130的与数据图案相邻的部分处形成台阶部。在一些示例性实施例中，第三绝缘层130可以具有用于充分地覆盖数据图案的相对大的厚度，从而第三绝缘层130可以具有基本上平坦的表面。

第一晶体管tr1可以由第一栅电极ge1、第一有源图案act1、第一源电极se1和第一漏电极de1来限定。

第二晶体管tr2可以由第二栅电极ge2、第二有源图案act2、第二源电极se2和第二漏电极de2来限定。

第四绝缘层140可以设置在第三绝缘层130上。第四绝缘层140可以具有单层结构或包括至少两个绝缘膜的多层结构。第四绝缘层140可以使用有机材料来形成。在一个示例性实施例中，例如，第四绝缘层140可以包括从丙烯酸类树脂和聚酰亚胺类树脂中选择的至少一种材料。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的组合使用。

透明图案可以设置在第四绝缘层140上。透明图案可以包括透明导电材料。在一个示例性实施例中，例如，透明图案可以包括ito或izo。

透明图案可以包括第一电极el1和第二存储电极cst2。

当在显示面板的厚度方向上观察时，第一电极el1可以与栅极图案的一部分和数据图案的一部分叠置。在一个示例性实施例中，例如，第一电极el1可以与栅极线101的一部分叠置，以及与数据线121的一部分叠置。第一电极el1可以包括透明导电材料。在示例性实施例中，尽管第一电极el1与栅极线101或数据线121叠置，但是第一电极el1包括透明导电材料，栅极线101和数据线121具有通过其透射外部光的网状结构，从而可以有效地透射外部光。

第一漏电极de1可以通过穿过第二绝缘层至第四绝缘层120、130和140限定或形成的接触孔电连接到第一有源图案act1。第一漏电极de1可以电连接到第一电极el1。第一漏电极de1可以由第一电极el1的一部分来限定。

在一些示例性实施例中，第一漏电极de1可以形成为数据图案，并通过穿过第二绝缘层120限定或形成的接触孔电连接到第一有源图案act1。第一电极el1可以通过穿过第三绝缘层130和第四绝缘层140限定或形成的接触孔电连接到第一漏电极de1。

当在显示面板的厚度方向上观察时，第二存储电极cst2可以与第一存储电极cst1叠置。第二存储电极cst2可以通过穿过第三绝缘层130和第四绝缘层140限定或形成的接触孔电连接到驱动电源线122。第一存储电极cst1和第二存储电极cst2以及位于第一存储电极cst1和第二存储电极cst2之间的第二绝缘层至第四绝缘层120、130和140可以共同限定存储电容器。

在示例性实施例中，如上所述，第一存储电极cst1和第二存储电极cst2以及位于第一存储电极cst1和第二存储电极cst2之间的第二绝缘层至第四绝缘层120、130和140共同限定存储电容器，但是不限于此。在可选择的示例性实施例中，可以省略第一存储电极cst1和第二存储电极cst2之间的第二绝缘层至第四绝缘层中的至少一个，以减小第一存储电极cst1和第二存储电极cst2之间的间隙。在这样的实施例中，存储电容器的电容会增大。

在示例性实施例中，驱动电源线122的填充接触孔的部分可以具有其中没有限定有开口的常规形状，以改善电特性。因此，该部分不会透射外部光。

像素限定层150可以设置在其上设置有第一电极el1的第四绝缘层140上。像素限定层150可以包括有机材料或无机材料。在一个示例性实施例中，例如，像素限定层150可以使用从光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和硅化合物中选择的至少一种材料形成。在一些示例性实施例中，可以通过蚀刻像素限定层150来形成暴露第一电极el1的一部分的开口。显示设备的显示区域和非显示区域可以通过像素限定层150的开口来确定。在一个示例性实施例中，例如，显示区域可以对应于像素限定层150的开口，非显示区域可以与像素限定层150的与开口相邻的部分对应。

像素限定层150可以包括透明材料，从而像素限定层150可以透射外部光。因此，非显示区域可以透射外部光。

发光结构160可以设置在由像素限定层150暴露的第一电极el1上。发光结构160可以在像素限定层150的开口的侧壁上延伸。例如，发光结构160可以通过激光诱导热成像工艺或印刷工艺来形成。例如，发光结构160可以包括有机发光层(“el”)、空穴注入层(“hil”)、空穴传输层(“htl”)、电子传输层(“etl”)或电子注入层(“eil”)。在示例性实施例中，多个有机发光层可以使用用于产生与显示装置的颜色像素一致的诸如红色光(r)、绿色光(g)和蓝色光(b)的不同颜色的光的发光材料形成。在一些示例性实施例中，发光结构160的有机发光层可以包括用于产生红色光、绿色光和蓝色光从而发射白色光的多个堆叠的发光材料。在这样的实施例中，显示面板还可以包括滤色器层以发射彼此不同的颜色光。

在示例性实施例中，发光结构160和第一电极el1设置在数据线121和相邻像素的驱动电源线之间，但不限于此。在一些示例性实施例中，第一电极el1和发光结构160可以设置在数据线121和驱动电源线122之间。在这样的实施例中，可以不同地改变数据线121的位置。

第二电极el2可以设置在像素限定层150和发光结构160上。可以向第二电极el2施加第二电源电压elvss(图4中所示)。第二电极el2可以透射光。第二电极el2可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等来形成。在一个示例性实施例中，例如，第二电极el2可以包括从铝(al)、含铝合金、氮化铝(alnx)、银(ag)、含银合金、钨(w)、氮化钨(wnx)、铜(cu)、含铜合金、镍(ni)、铬(cr)、氮化铬(crnx)、钼(mo)、含钼合金、钛(ti)、氮化钛(tinx)、铂(pt)、钽(ta)、氮化钽(tanx)、钕(nd)、钪(sc)、氧化锶钌(sro)、氧化锌(znox)、ito、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化镓(gaox)和izo中选择的至少一种材料。在这样的实施例中，以上所列材料可以单独使用或以它们的组合使用。在示例性实施例中，第二电极el2可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构或多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜。

密封基底200可以设置在第二电极el2上。密封基底200可以包括透明材料并被构造为有效地防止环境空气和潮气渗透到透明有机发光显示设备中。密封基底200可以结合到基体基底100，以通过密封剂(未示出)密封基体基底100和密封基底200之间的空间。

可以将干燥剂或填充剂填充到该空间中。在示例性实施例中，可以在第二电极el2上形成薄的密封膜而不是密封基底200，以保护第二电极和发光结构不受环境空气和潮气影响。密封膜具有这样的结构：其中交替堆叠有包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料的层(或由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料形成的层)以及包括诸如环氧树脂或聚酰亚胺的层(或由诸如环氧树脂或聚酰亚胺形成的层)。然而，发明不限于此。在这样的实施例中，密封膜的结构可以是透明薄膜形式的任何密封结构中的一种。

根据示例性实施例，除了第一晶体管tr1和第二晶体管tr2以及形成有接触孔的部分之外，显示设备的元件可以透射外部光。因此，可以增大外部光的透射率，从而可以改善如透明显示设备的质量。在这样的实施例中，可以减少由于衍射现象导致的透射光图像的质量劣化。

在示例性实施例中，如图2中所示，第一晶体管和第二晶体管可以具有底栅结构，但不限于此。在可选择的示例性实施例中，第一晶体管和第二晶体管可以具有诸如顶栅结构等的另一结构。在示例性实施例中，显示面板的像素结构可以具有各种结构。在示例性实施例中，可以根据需要省略或部分地去除第一绝缘层至第四绝缘层。

图3是示出图1的显示面板的布线的透射区域和非透射区域的平面图。

参照图1和图3，多个开口限定在栅极线101、数据线121、驱动电源线122、第一连接电极123和第二连接电极124中的每个中，以形成网状结构，从而透射外部光。第一电极el1可以包括透明导电材料，从而第一电极el1可以透射外部光。第一存储电极cst1可以包括透明的氧化物半导体，从而第一存储电极cst1可以透射外部光。第二存储电极cst2可以包括透明导电材料，从而第二存储电极cst2可以透射外部光。

第二源电极se2、第二栅电极ge2、第二漏电极de2、第一连接电极123的通过接触孔连接到第一存储电极cst1的部分、第二连接电极124的通过接触孔连接到第一存储电极cst1的部分、第一栅电极ge1、第二连接电极124的通过接触孔连接到第一栅电极ge1的部分、第一源电极se1和驱动电源线122的通过接触孔连接到第二存储电极cst2的部分可以不是透明的，从而阻挡外部光。在这样的实施例中，如上所述，非透射区域可以形成为改善第一晶体管tr1和第二晶体管tr2的特性，或者改善接触孔处的电接触特性。图3中的阴影区域是与非透射区域对应的不透明部分。在示例性实施例中，除了非透射区域之外的部分可以是透射外部光的透射区域。

图4是示出图1的显示面板的像素的示例性实施例的等效电路图。

参照图4，像素可以包括oled(有机发光二极管)、第一晶体管tr1、第二晶体管tr2、存储电容器cst和二极管并联电容器cel。二极管并联电容器cel可以是寄生电容器。

oled可以基于驱动电流id发光。oled可以包括第一电极和第二电极。在一个示例性实施例中，第二电源电压elvss可以施加到oled的第二电极。在示例性实施例中，oled的第一电极可以是阳极电极，oled的第二电极可以是阴极电极。在可选择的示例性实施例中，oled的第一电极可以是阴极电极，oled的第二电极可以是阳极电极。

第一晶体管tr1可以包括栅电极、第一电极和第二电极。在示例性实施例中，第一晶体管tr1的第一电极可以是源电极，第一晶体管tr1的第二电极可以是漏电极。在可选择的示例性实施例中，第一晶体管tr1的第一电极可以是漏电极，第一晶体管tr1的第二电极可以是源电极。

第一晶体管tr1可以产生驱动电流id。在示例性实施例中，第一晶体管tr1可以在饱和区域中操作。在这样的实施例中，第一晶体管tr1可以基于第一晶体管tr1的栅电极和源电极之间的电压差产生驱动电流id。灰度可以基于提供给oled的驱动电流id来呈现。在可选择的示例性实施例中，第一晶体管tr1可以在线性区域中操作。在这样的实施例中，灰度可以基于将驱动电流id提供给oled的时间长度来呈现。

第二晶体管tr2可以包括栅电极、第一电极和第二电极。扫描信号可以施加到栅电极，数据信号可以施加到第一电极。第二电极可以连接到第一晶体管tr1的栅电极。在示例性实施例中，第二晶体管tr2的第一电极可以是源电极，第二晶体管tr2的第二电极可以是漏电极。在可选择的示例性实施例中，第二晶体管tr2的第一电极可以是漏电极，第二晶体管tr2的第二电极可以是源电极。

当扫描信号被激活时，第二晶体管tr2可以将数据信号data提供给第一晶体管tr1的栅电极。第二晶体管tr2可以在线性区域中操作。

存储电容器cst可以包括被施加第一电源电压elvdd的第一电极和连接到第一晶体管tr1的栅电极的第二电极。当扫描信号gate未激活时，存储电容器cst可以保持第一晶体管tr1的栅电极的电压电平。因此，由第一晶体管tr1产生的驱动电流id可以基于由存储电容器cst保持的电压电平而被提供给oled。

当oled不发光时，oled的两个电极之间的电压差可以比oled的阈值电压低。当电压差高于阈值电压时，oled可以发光。因此，当在二极管并联电容器cel中充电到阈值电容时，电压差可以达到阈值电压，可以发光。阈值电容可以根据下面的等式计算：qc＝cel×vth，其中，qc表示阈值电容，cel表示二极管并联电容器的电容，vth表示oled的阈值电压。

在示例性实施例中，当oled呈现黑色光(即，灰度为零)时，驱动电流id可以通过第一晶体管tr1产生的漏电流而不为零。然而，漏电流可以流过二极管并联电容器cel而不是oled，直到oled的两个电极之间的电压差达到阈值电压。当二极管并联电容器cel通过漏电流充电直到阈值电容时，oled可以不发射光。因此，当确定在一帧中不发光的时间长度时，可以调整初始化电压的电压电平和二极管并联电容器的电容，从而oled可以在一帧期间不发光。

图5是示出根据发明构思的可选择的示例性实施例的显示面板的平面图。

除了第一电极el1的形状之外，图5中示出的显示面板与图1的显示面板基本上相同。已经使用与上面用于描述图1中示出的显示面板的示例性实施例相同的附图标记来标记图5中所示的相同或相似的元件，在下文中将省略或简化它们的任何重复的详细描述。

在示例性实施例中，显示面板可以包括栅极图案、有源图案、数据图案、第一晶体管tr1和第二晶体管tr2以及透明图案。栅极图案可以包括栅极线101、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。有源图案可以包括第一有源图案act1、第二有源图案act2和第一存储电极cst1。数据图案可以包括数据线121、第二源电极se2、第二漏电极de2、第一连接电极123、驱动电源线122、第一源电极se1和第二连接电极124。第一晶体管tr1可以包括第一栅电极ge1、第一有源图案act1、第一源电极se1和第一漏电极de1。第二晶体管tr2可以包括第二栅电极ge2、第二有源图案act2、第二源电极se2和第二漏电极de2。

透明图案可以包括第一电极el1和第二存储电极cst2。

第一电极el1可以包括透明导电材料。第一电极el1可以设置为不与栅极线101叠置。在这样的实施例中，第一电极el1可以设置为使与数据线121或驱动电源线122的叠置部分最小化。在一个示例性实施例中，例如，第一电极el1的连接到第一漏电极de1的部分可以与数据线121叠置。

在示例性实施例中，第一电极el1可以具有多层结构。在一个示例性实施例中，例如，第一电极el1可以具有逐个顺序堆叠有ito、银(ag)和ito的结构。

在一个示例性实施例中，第二电极(参照图2的el2)可以包括透反射材料。在一个示例性实施例中，例如，第二电极可以包括包含银(ag)或镁(mg)的透反射膜。

图6a至图14是示出制造图1的显示面板的方法的示例性实施例的平面图和剖视图。

参照图6a和图6b，在示例性实施例中，可以在基体基底100上设置或形成栅极图案。在这样的实施例中，栅极图案可以包括栅极线101、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2。

在示例性实施例中，可以在基体基底100上设置或形成导电层(未示出)，可以通过光刻工艺或使用另外的蚀刻掩模的蚀刻工艺来部分地蚀刻导电层。在这样的实施例中，栅极图案可以由基体基底100上的蚀刻的导电层限定。在示例性实施例中，可以通过印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积(“cvd”)工艺、脉冲激光沉积(“pld”)工艺、真空蒸发工艺或原子层沉积(“ald”)工艺等来形成导电层。

栅极线101可以在第一方向d1上延伸。可以在栅极线101的基本上整个区域处形成多个开口。

可以通过各种方法形成开口。在一个示例性实施例中，例如，可以通过光刻或压印光刻等形成开口。在示例性实施例中，可以在蚀刻导电层的同时形成开口。在可选择的示例性实施例中，可以在形成栅极图案之后通过额外的工艺形成开口。

第一栅电极ge1可以与栅极线101间隔开。不在第一栅电极ge1处形成开口。第一栅电极ge1可以是常规的金属图案。

第二栅电极ge2可以电连接到栅极线101。不在第二栅电极ge2处形成开口。第二栅电极ge2可以是常规的金属图案。

参照图7a和图7b，可以在其上形成有栅极图案的基体基底100上设置或形成第一绝缘层110。可以通过cvd工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积(“pecvd”)工艺、溅射工艺、真空蒸发工艺、高密度等离子体-化学气相沉积(“hdp-cvd”)工艺或印刷工艺等来形成第一绝缘层110。

可以在第一绝缘层110上形成有源图案。有源图案可以包括第一有源图案act1、第二有源图案act2和第一存储电极cst1。

可以在第一绝缘层110上形成半导体层(未示出)，可以通过使半导体层图案化在第一绝缘层110上形成预备有源层(未示出)。可以对预备有源层执行结晶工艺，以在第一绝缘层110上形成有源图案。在示例性实施例中，可以通过cvd工艺、pecvd工艺、低压化学气相沉积(“lpcvd”)工艺、溅射工艺或印刷工艺等形成半导体层。有源图案可以包括透明的氧化物半导体。在一个示例性实施例中，例如，氧化物半导体可以包括非晶氧化物，非晶氧化物包括从铟(in)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)和铪(hf)中选择的至少一种。在示例性实施例中，氧化物半导体可以包括包含铟(in)、锌(zn)和镓(ga)的非晶氧化物或者包含铟(in)、锌(zn)和铪(hf)的非晶氧化物(或由包含铟(in)、锌(zn)和镓(ga)的非晶氧化物或者包含铟(in)、锌(zn)和铪(hf)的非晶氧化物组成)。氧化物半导体可以包括诸如氧化铟锌(inzno)、氧化铟镓(ingao)、氧化铟锡(insno)、氧化锌锡(znsno)、氧化镓锡(gasno)和氧化镓锌(gazno)的氧化物。

可以通过杂质掺杂有源图案的一部分，从而这一部分可以具有比有源图案的其它区域的导电性高的导电性。

第一有源图案act1可以设置为与第一栅电极ge1叠置。第二有源图案act2可以设置为与第二栅电极ge2叠置。

第一存储电极cst1可以设置为与第一有源图案act1和第二有源图案act2间隔开。第一存储电极cst1可以具有比第一有源图案act1和第二有源图案act2的氢浓度高的氢浓度。当氢浓度增大时，载流子浓度也增大，从而第一存储电极cst1可以有效地用作存储电容器的下电极。

参照图8a和图8b，可以在其上形成有有源图案的第一绝缘层110上设置或形成第二绝缘层120。可以通过cvd工艺、旋涂工艺、pecvd工艺、溅射工艺、真空蒸发工艺、hdp-cvd工艺或印刷工艺等形成第二绝缘层120。

可以穿过第二绝缘层120限定或形成暴露有源图案或栅极图案的接触孔。

可以在第二绝缘层120上设置或形成数据图案。数据图案可以包括数据线121、第二源电极se2、第二漏电极de2、第一连接电极123、驱动电源线122、第一源电极se1和第二连接电极124。

在示例性实施例中，可以在第二绝缘层120上形成导电层(未示出)，可以通过光刻工艺或使用另外的蚀刻掩模的蚀刻工艺来部分地蚀刻导电层。在这样的实施例中，数据图案可以由第二绝缘层120上的蚀刻的导电层限定。可以通过印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、pld工艺、真空蒸发工艺或ald工艺等形成导电层。

数据线121可以在与第一方向d1交叉的第二方向d2上延伸。可以在数据线121的基本上整个区域处形成多个开口。

可以通过光刻或压印光刻等形成开口。在示例性实施例中，可以在蚀刻导电层的同时形成开口。在可选择的示例性实施例中，可以在形成数据图案之后通过额外工艺形成开口。

第一源电极se1可以连接到驱动电源线122。不在第一源电极se1处形成开口。第一源电极se1可以是常规的金属图案。

第二源电极se2可以连接到数据线121。不在第二源电极se2处形成开口。第二源电极se2可以是常规的金属图案。

驱动电源线122可以设置为在第一方向d1上与数据线121间隔开，并设置为在第二方向d2上延伸。可以在驱动电源线122的基本上整个区域处形成多个开口。

可以通过光刻或压印光刻等形成开口。在示例性实施例中，可以在蚀刻导电层的同时形成开口。在可选择的示例性实施例中，可以在形成数据图案之后通过额外工艺形成开口。

参照图9a和图9b，可以在其上形成有数据图案的第二绝缘层120上设置或形成第三绝缘层130。可以通过cvd工艺、旋涂工艺、pecvd工艺、溅射工艺、真空蒸发工艺、hdp-cvd工艺或印刷工艺等形成第三绝缘层130。

随后，可以在第三绝缘层130上形成第四绝缘层140。根据第四绝缘层140的成分，可以通过旋涂工艺、印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、ald工艺、pecvd工艺、hdp-cvd工艺或真空蒸发工艺等形成第四绝缘层140。在示例性实施例中，可以对第四绝缘层140执行平坦化工艺以增大第四绝缘层140的平坦度。在一个示例性实施例中，例如，第四绝缘层140可以通过化学机械抛光(“cmp”)工艺或回蚀工艺等具有基本平坦的表面。可以使用有机材料形成第四绝缘层140。

随后，可以形成通过第三绝缘层130和第四绝缘层140暴露驱动电源线122的第一接触孔cnt1和通过第二绝缘层至第四绝缘层120、130和140暴露第一有源图案act1的第二接触孔cnt2。

随后，可以通过使用包括氢的清洗流体来清洗第四绝缘层140，以去除蚀刻副产物和污染物。这里，水(h2o)可以用作清洗流体，以清洗利用有机材料形成的第四绝缘层140，从而氢可以有效地渗透到第四绝缘层140。

参照图10a和图10b，可以在第四绝缘层140上设置或形成透明图案。在示例性实施例中，可以在第四绝缘层140上形成透明导电层(未示出)，可以通过光刻工艺或使用另外的蚀刻掩模的蚀刻工艺来部分地蚀刻透明导电层。在这样的实施例中，透明图案可以由形成在第四绝缘层140上的蚀刻的透明导电层限定。

透明图案可以包括第一电极el1和第二存储电极cst2。

第一电极el1可以设置为与栅极图案的一部分和数据图案的一部分叠置。在一个示例性实施例中，例如，第一电极el1可以设置为与栅极线101的一部分叠置，并与数据线121的一部分叠置。第一漏电极de1可以通过穿过第二绝缘层至第四绝缘层120、130和140限定或形成的接触孔电连接到第一有源图案act1。第一漏电极de1可以电连接到第一电极el1。第一漏电极de1可以由第一电极el1的一部分限定。

第二存储电极cst2可以设置为与第一存储电极cst1叠置。第二存储电极cst2可以通过穿过第三绝缘层130和第四绝缘层140限定或形成的接触孔电连接到驱动电源线122。

在上述工艺的后续制造工艺期间，第四绝缘层140中的氢可以扩散到外部。第二存储电极cst2下的氢不会扩散到外部，而是朝向第一存储电极cst1扩散，从而氧化物半导体的氢浓度增大。当氢浓度增大时，载流子浓度也增大，从而第一存储电极cst1可以用作存储电容器的下电极。

在这样的实施例中，可以执行进一步的热处理工艺以使氢扩散。

参照图11，可以在其上形成有透明图案的第四绝缘层140上设置或形成像素限定层150。像素限定层150可以包括有机材料或无机材料。在一个示例性实施例中，例如，可以使用光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和硅化合物中的至少一种来形成像素限定层150。可以通过旋涂工艺、喷涂工艺、印刷工艺、cvd工艺、pecvd工艺或hdp-cvd工艺等获得像素限定层150。

在一些示例性实施例中，可以通过蚀刻像素限定层150来形成暴露第一电极el1的一部分的开口。像素限定层150可以包括透明的有机或无机材料。在一个示例性实施例中，例如，可以使用光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和硅化合物中的至少一种来形成像素限定层150。

参照图12，可以在第一电极el1的被像素限定层150的开口暴露的部分上设置或形成发光结构160。在示例性实施例中，发光结构160可以在像素限定层150的开口的侧壁上延伸。可以通过激光诱导热成像工艺或印刷工艺等形成发光结构160。在这样的实施例中，如上所述，发光结构160可以包括el、hil、htl、etl或eil。

参照图13，可以在像素限定层150和发光结构160上设置或形成第二电极el2。可以通过印刷工艺、溅射工艺、cvd工艺、ald工艺、真空蒸发工艺或pld工艺等来形成第二电极el2。

可以在第二电极el2上设置或形成密封基底200。密封基底200可以包括透明材料。密封基底200可以结合到基体基底100以通过密封剂(未示出)来密封基体基底100与密封基底200之间的空间。

参照图14，可以将干燥剂或填充剂填充到该空间中。可以在第二电极el2上形成薄的密封膜而不是密封基底200。在示例性实施例中，密封膜具有其中由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料形成的层与诸如环氧树脂或聚酰亚胺的层交替堆叠的结构，但是不限于此。在可选择的示例性实施例中，密封膜的结构可以是以透明薄膜形式的任何密封结构中的一种。

根据发明构思的示例性实施例，显示面板包括其中限定有多个开口的信号线，从而可以改善透明度。在这样的实施例中，显示面板可以包括包含透明的氧化物半导体的第一存储电极以及包括作为透明图案的第二存储电极，使得与形成有存储电容器处对应的外部光的透射率得到改善。

前面的描述是发明构思的说明，而不应解释为对发明构思的限制。尽管已经描述了发明构思的一些示例性实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离发明构思的新颖教导和优点的情况下，许多修改在示例性实施例中是可能的。因此，所有这样的修改意图包括在如权利要求所限定的发明的范围内。因此，应当理解的是，前面的描述是发明构思的说明，并且不应被解释为限于所公开的具体示例性实施例，并且对所公开的示例性实施例以及其它示例性实施例的修改意图包括在所附权利要求的范围内。本发明由权利要求和包括在其中的权利要求的等同物限定。