1.一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层，所述多量子阱层由多个子层依次层叠而成，每个所述子层包括量子阱层和层叠在所述量子阱层上的量子垒层，其特征在于，所述P型AlGaN层和最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层内设有若干通孔，所述通孔从所述P型AlGaN层沿所述外延片的层叠方向的相反方向延伸到最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层，所述P型GaN层填充在通孔内。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述通孔垂直于所述外延片的层叠方向的截面为方形、圆形、星形、多边形或者不规则图形。
3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述通孔垂直于所述外延片的层叠方向的截面的面积为0.01～9mm2。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层的厚度为5～25nm。
5.一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在蓝宝石衬底上依次外延生长GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层；
其中，所述多量子阱层由多个子层依次层叠而成，每个所述子层包括量子阱层和层叠在所述量子阱层上的量子垒层；所述P型AlGaN层和最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层内设有若干通孔，所述通孔从所述P型AlGaN层沿所述外延片的层叠方向的相反方向延伸到最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层，所述P型GaN层填充在通孔内。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在蓝宝石衬底上依次外延生长GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层，包括：
在最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层生长完成之后，将与所述若干通孔形状一致的掩膜版设置在最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层上；
在最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层上依次生长最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层和所述P型AlGaN层，最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层和所述P型AlGaN层内形成所述若干通孔；
移走所述掩膜版，在所述若干通孔内和所述P型AlGaN层上生长P型GaN层。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在蓝宝石衬底上依次外延生长GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层，包括：
在最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层生长完成之后，在最靠近所述P型AlGaN层的量子阱层上依次生长最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层和所述P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层上铺设一层光刻胶；
采用光刻技术在所述光刻胶内形成若干通孔；
在所述光刻胶的保护下刻蚀所述P型AlGaN层和最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层，在所述P型AlGaN层和最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层内形成所述若干通孔；
去除所述光刻胶。
8.根据权利要求5～7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述通孔垂直于所述外延片的层叠方向的截面为方形、圆形、星形、多边形或者不规则图形。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述通孔垂直于所述外延片的层叠方向的截面的面积为0.01～9mm2。
10.根据权利要求5～7任一项所述的制备方法，其特征在于，最靠近所述P型AlGaN层的量子垒层的厚度为5～25nm。