半导体装置的制作方法

与相关申请的关联

本申请基于2016年1月15日在日本提出申请的no.2016-006123号主张优先权，在此援引其全部内容。

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术：

薄膜晶体管根据使用于半导体层的材料的不同而显示出各种特性。例如，在将低温多晶硅半导体使用于半导体层的情况下，能够得到可靠性良好的薄膜晶体管。另外，在将氧化物半导体使用于半导体层的情况下，能够得到截止电流小的薄膜晶体管。在将具有多晶硅半导体层的薄膜晶体管与具有氧化物半导体层的薄膜晶体管制作在同一基板上的情况下，由于从多晶硅半导体层向氧化物半导体层的氢扩散，存在氧化物半导体层低电阻化而无法得到所希望的特性的隐患。

技术实现要素：

本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；硅制的第一半导体层，位于所述绝缘基板的上方；金属氧化物制的第二半导体层，位于比所述第一半导体层靠上方的位置；硅氮化物制的第一绝缘膜，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及阻挡层，位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间，与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低。

根据本实施方式，能够提供一种可抑制可靠性的降低的半导体装置。

附图说明

图1是示出本实施方式所涉及的半导体装置的结构的剖面图。

图2是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

图3是示出阻挡层的位置不同的变形例的结构的剖面图。

图4是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

图5是示出薄膜晶体管tr2采用顶栅构造的变形例的结构的剖面图。

图6是示出阻挡层被图案化了的图5的变形例的结构的剖面图。

图7是示出阻挡层的位置不同的图5的变形例的结构的剖面图。

图8是示出阻挡层被图案化了的图5的变形例的结构的剖面图。

图9是示出具备本实施方式所涉及的半导体装置的显示装置的结构的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本实施方式。需要说明的是，本发明的公开内容仅是一个例子，本领域技术人员针对保留了本发明的主旨的适当变更而容易想到的方案当然也包含于本发明的范围。另外，附图用于使说明更清楚，与实际的方式相比，存在示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但也仅仅是一个例子，不用于限定本发明的解释。另外，在本说明书与各附图中，对发挥与在先的附图相同或者类似的功能的结构要素标注相同的附图标记，适当省略重复的详细说明。

需要说明的是，在本实施方式的说明中，上(或者上方)相当于方向z的箭头朝向，下(或者下方)相当于与方向z的箭头相反的朝向。

图1是示出本实施方式所涉及的半导体装置的结构的剖面图。图示的半导体装置1是具备多个薄膜晶体管(tft；thinfilmtransistor)tr1及tr2的tft基板。

半导体装置1具备绝缘基板10、底涂层uc、半导体层sc1、绝缘膜11、栅电极ml1、栅电极ml2、绝缘膜12、绝缘膜13、阻挡层hb、半导体层sc2、绝缘膜14、绝缘膜15等。需要说明的是，有时也将绝缘膜11、12、13、14、15称作第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜…、以及层间绝缘膜等。例如，有时也将绝缘膜11称作层间绝缘膜，将绝缘膜12称作第一绝缘膜，将绝缘膜13称作第二绝缘膜，将第四绝缘膜14称作层间绝缘膜。另外，有时也将半导体层sc1称作第一半导体层，将半导体层sc2称作第二半导体层。

绝缘基板10由例如具有透光性的玻璃基板、树脂基板等形成。在绝缘基板10的上方存在绝缘性的底涂层uc。底涂层uc既可以是单层构造也可以是多层构造，例如，具有硅氮化物膜与硅氧化物膜。

半导体层sc1位于绝缘基板10的上方，在图示的例子中形成在底涂层uc上。半导体层sc1位于绝缘基板10与阻挡层hb之间。半导体层sc1由硅系半导体形成，在图示的例子中，是多晶硅(polysilicon)制。半导体层sc1具有高电阻区域scc、以及与高电阻区域scc相比电阻更低的低电阻区域sca、scb。低电阻区域sca、scb分别位于高电阻区域scc的两端侧。低电阻区域sca、scb包括与高电阻区域scc相比更高浓度的离子性杂质。

绝缘膜11覆盖半导体层sc1。在图示的例子中，绝缘膜11也位于底涂层uc的上方。在一个例子中，绝缘膜11是硅氧化物制。

栅电极ml1位于绝缘膜11的上方，隔着绝缘膜11而与半导体层sc1对置。栅电极ml1与半导体层sc1的高电阻区域scc对置。栅电极ml2位于绝缘膜11的上方，与栅电极ml1分离。栅电极ml1及ml2分别具有由导电性良好的金属材料形成的层。在图示的例子中，栅电极ml1及ml2因位于相同的层上而能够利用相同的材料一并形成。

绝缘膜12位于半导体层sc1与半导体层sc2之间。绝缘膜12位于绝缘膜11的上方，覆盖栅电极ml1及ml2。绝缘膜12由膜中含氢的绝缘性的材料形成。在一个例子中，绝缘膜12是硅氮化物制。

绝缘膜13位于绝缘膜12的上方。在图示的例子中，绝缘膜13位于绝缘膜12与阻挡层hb之间，与后述的阻挡层hb的下表面hba接触。绝缘膜13优选由能够在高温下释放氧的材料形成，在一个例子中是硅氧化物制。

阻挡层hb位于绝缘膜12与半导体层sc2之间。阻挡层hb具有与绝缘基板10对置的下表面hba、以及位于与下表面hba相反侧的上表面hbb。在图示的例子中，阻挡层hb位于绝缘膜13的上方。在图示的例子中，阻挡层hb连续地延伸至与半导体层sc1对置的位置、以及与半导体层sc2对置的位置。阻挡层hb与绝缘膜12、绝缘膜13相比氢的扩散性更低。因此，阻挡层hb能够抑制氢从阻挡层hb的一面侧朝向另一面侧的扩散。在图示的例子中，阻挡层hb能够抑制氢从位于下表面hba侧的绝缘膜11、12、13、底涂层uc、半导体层sc1等朝向位于上表面hbb侧的半导体层sc2的扩散。

阻挡层hb的厚度可以是均匀的也可以是不均匀的。在图示的例子中，阻挡层hb在与后述的电极ml3a、ml3b的外缘部对置的位置，在上表面hbb具有高度差，与半导体层sc2对置的区域的厚度比与半导体层sc1对置的区域的厚度更厚。基于抑制在栅电极ml1、半导体层sc1等导电性构件之间形成不必要的电容的观点、或防止阻挡层hb的上表面hbb与半导体层sc2的下表面sc2a接触的情况下的沟道层的短路的观点，优选阻挡层hb由绝缘性的材料形成。作为形成阻挡层hb的材料，例如，能够列举出作为金属氧化物的alox、tiox、zrox、taox、hfox等、或将sif4作为原材料之一而形成的含氢量少的sinx、sion等。从氢的阻挡性能、透光性的观点来看，优选阻挡层hb是氧化铝(alox)制。

半导体层sc2相对于绝缘基板10位于比半导体层sc1靠上方的位置。半导体层sc2在与绝缘基板10对置的一侧具有下表面sc2a。在图示的例子中，半导体层sc2位于阻挡层hb的上方，与阻挡层hb的上表面hbb接触。半导体层sc2与栅电极ml2对置。半导体层sc2由金属氧化物系的半导体形成。从半导体特性的观点来看，优选形成半导体层sc2的金属氧化物包括铟、钾、锌、锡中的至少一种金属。半导体层sc2的一个端部与电极ml3a接触，另一个端部与电极ml3b接触。在图示的例子中，电极ml3a、ml3b分别向半导体层sc2的外侧延伸，也位于阻挡层hb的上方。

绝缘膜14位于阻挡层hb的上方，覆盖半导体层sc2以及电极ml3a、ml3b。绝缘膜14在一个例子中是硅氧化物制，形成为比绝缘膜11、12、13厚。

绝缘膜15位于绝缘膜14的上方。绝缘膜15在一个例子中是硅氮化物制。需要说明的是，从抑制水分从上方侵入的观点出发，优选绝缘膜15具有较高的水蒸汽阻挡性。

端子t1a、t1b、t2a及t2c位于绝缘膜15的上方。端子t1a及t1b分别形成为贯通绝缘膜11、12、13、14、15以及阻挡层hb的形态，且分别与半导体层sc1的低电阻区域sca及scb电连接。端子t2a形成为贯通绝缘膜14及15的形态，与电极ml3a电连接。端子t2c形成为贯通绝缘膜12、13、14、15以及阻挡层hb的形态，与栅电极ml2电连接。端子t1a、t1b、t2a及t2c与省略图示的布线等电连接。

在图示的例子中，薄膜晶体管tr1是栅电极ml1位于半导体层sc1的上方的所谓顶栅构造的tft。另外，薄膜晶体管tr2是栅电极ml2位于半导体层sc2的下方的所谓底栅构造的tft。但是，薄膜晶体管tr1及tr2的构造不特别限定，薄膜晶体管tr1也可以是底栅构造，另外，薄膜晶体管tr2也可以是顶栅构造。

如上，根据本实施方式，半导体装置1具备绝缘基板10、硅制的半导体层sc1、金属氧化物制的半导体层sc2、位于半导体层sc1与半导体层sc2之间的硅氮化物制的绝缘膜12、以及位于绝缘膜12与半导体层sc2之间的阻挡层hb。因此，能够抑制氢从半导体层sc1以及绝缘膜12朝向半导体层sc2的扩散。即，能够通过抑制氢对半导体层sc2进行的还原而抑制薄膜晶体管tr2的可靠性的降低。

半导体层sc1位于绝缘基板10与阻挡层hb之间。因此，在向绝缘基板10的上方依次层叠各构件的制造工序中，能够在形成半导体层sc2之前进行半导体层sc1的形成以及活性化处理。由此，能够防止半导体层sc1的活性化处理时的加热所导致的半导体层sc2的组分变化。因此，能够抑制薄膜晶体管tr2的可靠性的降低。

由于半导体层sc2与阻挡层hb接触，因此能够进一步抑制氢从下表面sc2a朝向半导体层sc2的侵入。另外，由于阻挡层hb连续地延伸至与半导体层sc1对置的位置、以及与半导体层sc2对置的位置，因此能够更有效地抑制从绝缘膜12以及半导体层sc1朝向上方的氢扩散。

半导体装置1还具备栅电极ml1及ml2。由于栅电极ml1及ml2位于相同层(绝缘膜11)上，由相同的材料形成，因此能够在相同的工序内一并形成。即，半导体装置1能够减少制造工序数，抑制制造成本。

阻挡层hb在一个例子中是氧化铝制，因此能够通过对与氧化铝相比成膜率更高的铝进行成膜，利用退火工序使成膜后的铝氧化而形成阻挡层hb。因此，能够缩短半导体装置1的准备时间。另外，在氧化铝制的阻挡层hb与半导体层sc2接触的情况下，由于铝从阻挡层hb向半导体层sc2扩散而提供了载体，因此能够提高半导体层sc2的移动度。

接下来，通过图2～图4说明本实施方式的变形例。需要说明的是，在这些变形例中也能够得到与上述相同的效果。

图2是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图1所示的结构例的不同之处在于，阻挡层hb的形状被图案化成岛状这一点。

在图示的例子中，阻挡层hb在与半导体层sc2的整个面对置的区域、和与电极ml3a及ml3b对置的区域形成为岛状。阻挡层hb不形成在除此之外的区域，例如不与半导体层sc1对置。图示的阻挡层hb的图案化能够通过将半导体层sc2、电极ml3a及ml3b用作掩膜而进行。需要说明的是，在以此方式将阻挡层hb形成为岛状的情况下，从抑制氢朝向半导体层sc2的侵入的观点出发，优选阻挡层hb的面积至少比半导体层sc2的面积大。

根据本变形例，由于阻挡层hb被图案化成岛状，因此能够减少位于各个tft之间的区域中的界面的数量。由此，本变形例能够提高tft间的区域的透过率。在将本实施方式的半导体装置1应用于透射式显示装置的情况下，由于tft间的区域相当于供光透过的开口部，因此能够得到亮度高的显示装置。

图3是示出阻挡层的位置不同的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图1所示的结构的不同之处在于，在阻挡层hb与半导体层sc2之间存在绝缘膜13这一点。在图示的例子中，阻挡层hb位于绝缘膜12的上方，绝缘膜13位于阻挡层hb的上方，半导体层sc2位于绝缘膜13的上方。即，绝缘膜13分别与阻挡层hb的上表面hbb以及半导体层sc2的下表面sc2a接触。

在本变形例中，能够抑制氢从绝缘膜12朝向绝缘膜13的扩散。即，能够在更靠近氢供给源的位置抑制氢的扩散。

图4是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图3所示的变形例的不同之处在于，阻挡层hb的形状被图案化成岛状这一点。根据本变形例，能够得到与使用图2说明的变形例相同的效果。

图5是示出薄膜晶体管tr2为顶栅构造的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图1所示的结构的不同之处在于，具有与半导体层sc2对置配置的栅电极ml4这一点。

栅电极ml4位于半导体层sc2的上方，在图示的例子中位于绝缘膜14与绝缘膜15之间。在图示的例子中，在半导体层sc2的下方，遮光层sh配置为与半导体层sc2对置的形态。遮光层sh位于与栅电极ml1相同的层(绝缘膜11)上，能够利用与栅电极ml1相同的材料一并形成。遮光层sh在光从下方入射到半导体装置1的情况下，阻碍朝向半导体层sc2的光照射。另外，在图示的例子中，绝缘膜14与栅电极ml4相同地被图案化，但也可以与绝缘膜15相同地形成于整个面。

根据本变形例，半导体装置1能够抑制光漏电流所导致的薄膜晶体管tr2的性能降低。

接下来，通过图6～图8说明本实施方式的变形例。需要说明的是，在这些变形例中，也能够得到与上述相同的效果。

图6是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图5所示的结构例的不同之处在于，阻挡层hb的形状被图案化成岛状这一点。

在图示的例子中，阻挡层hb在与半导体sc2的整个面对置的区域形成为岛状。阻挡层hb不形成在除此以外的区域，例如不与半导体层sc1对置。图示的阻挡层hb的图案化能够通过将半导体层sc2用作掩膜而进行。需要说明的是，在以此方式将阻挡层hb形成为岛状的情况下，从抑制氢朝向半导体层sc2的侵入的观点出发，优选阻挡层hb的面积至少比半导体层sc2的面积大。

根据本变形例，由于阻挡层hb被图案化成岛状，因此能够减少位于各个tft之间的区域中的界面的数量。由此，本变形例能够提高tft间的区域的透过率。

图7是示出阻挡层的位置不同的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图5所示的结构例的不同之处在于，在阻挡层hb与半导体层sc2之间存在绝缘膜13这一点。

在图示的例子中，阻挡层hb位于绝缘膜12的上方，绝缘膜13位于阻挡层hb的上方，半导体层sc2位于绝缘膜13的上方。即，绝缘膜13分别与阻挡层hb的上表面hbb以及半导体层sc2的下表面sc2a接触。

在本变形例中，能够抑制氢从绝缘膜12朝向绝缘膜13的扩散。图8是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

本变形例与图7所示的变形例的不同之处在于，阻挡层hb的形状被图案化成岛状这一点。

在图示的例子中，阻挡层hb位于绝缘膜12的上方，在与半导体sc2的整个面对置的区域形成为岛状。阻挡层hb不形成在除此以外的区域，例如不与半导体层sc1对置。绝缘膜13位于绝缘膜12的上方，一部分位于形成为岛状的阻挡层hb的上方。即，绝缘膜13的一部分分别与阻挡层hb的上表面hbb以及半导体层sc2的下表面sc2a接触。

根据本变形例，能够得到与使用图6说明的变形例相同的效果。

接下来，说明向显示装置dsp应用半导体装置1的应用例。

图9是示出具备本实施方式所涉及的半导体装置的显示装置的结构的图。显示装置dsp例如是液晶显示装置，但也可以是有机电致发光(el)显示装置等其他显示装置。

显示面板pnl内置有半导体装置1。显示面板pnl具有显示图像的显示区域da、以及位于显示区域da的周围的非显示区域nda。显示装置dsp在非显示区域nda具备驱动电路dr、信号线驱动电路sd、扫描线驱动电路gd等。

显示面板pnl在显示区域da中具备多个像素px。另外，显示面板pnl在显示区域da中具备多条扫描线g(g1～gn)、多条信号线s(s1～sm)等。

扫描线g引出到显示区域da的外侧，与扫描线驱动电路gd连接。扫描线驱动电路gd具备互补型tft元件cc。信号线s引出到显示区域da的外侧，与信号线驱动电路sd连接。共用电极ce在多个像素px中被共用。共用电极ce引出到显示区域da的外侧，与驱动电路dr连接。各个驱动电路gd、sd、及dr控制经由扫描线g、信号线s、共用电极ce向显示区域da进行电信号的供给。

各像素px具备转换元件sw、像素电极pe、共用电极ce、液晶层lq等。转换元件sw例如由薄膜晶体管构成。转换元件sw与扫描线g以及信号线s电连接，控制像素px的亮度。像素电极pe与转换元件sw电连接。像素电极pe与共用电极ce对置。保持电容cs例如形成在共用电极ce与像素电极pe之间。

在图示的例子中，互补型tft元件cc由薄膜晶体管tr1构成，转换元件sw由薄膜晶体管tr2构成。薄膜晶体管tr1不限于用作互补型tft元件cc，也可以用作p型tft元件或者n型tft元件。薄膜晶体管tr1不限于配备于扫描线驱动电路gd，也可以配备于信号线驱动电路sd，也可以配备于驱动电路dr。另外，也可以由薄膜晶体管tr1构成转换元件sw，由薄膜晶体管tr2构成驱动电路dr、信号线驱动电路sd、扫描线驱动电路gd等周边驱动电路。

如上，显示装置dsp具备本实施方式所涉及的半导体装置1。薄膜晶体管tr1例如与薄膜晶体管tr2相比阈值电压的变动较小。另一方面，薄膜晶体管tr2例如与薄膜晶体管tr1相比截止电流较小。此时，显示装置dsp能够在周边电路配置可靠性高的薄膜晶体管tr1，在像素px配置能够抑制电荷的漏出的薄膜晶体管tr2。因此，根据本实施方式，能够提供可靠性高且消耗电力低的显示装置dsp。这样，由于半导体装置1在一个基板上具备特性不同的薄膜晶体管tr1及tr2，因此能够与tft的要求特性匹配地适当配置薄膜晶体管tr1及tr2。

如以上说明，根据本实施方式，能够提供可抑制可靠性降低的半导体装置。

虽然以上叙述了具体实施方式，但应当理解为上述实施方式仅是一例，对本发明不起限定性作用。实质上，在不脱离本发明主旨的范围内，上述实施方式能够以其他不同的变形方式加以实施，此外，进行了各种省略、替换以及变更的技术方案也包含于本发明。此外，本发明还包含与权利要求书等同的含义以及等同范围内的全部变更。