技术总结
本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括衬底基板以及设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，有源层包括源极区、漏极区和源极区和漏极区之间的沟道区，沟道区具有折曲式图案。本公开通过将沟道区设置成具有折曲式图案的结构，可以在不大幅度增加薄膜晶体管区域面积的情况下有效提高显示器件的长宽比，从而有效降低显示器件的关态电流，制备出高性能的显示装置。当有源层的材料为一维半导体性纳米材料时，将沟道区设置成具有折曲式图案的结构，降低显示器件的关态电流的效果尤其显著。
技术研发人员：李延钊;孟虎;毛德丰
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201710030672
技术研发日：2017.01.16
技术公布日：2017.06.09