1.一种DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S11、制备外延片:外延片采用波导和有源区结构;
步骤S12、制备基片:在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅,并对光栅进行掩埋生长;
步骤S13、制备脊型波导:对基片进行脊型控制腐蚀,制备多个脊型波导。
2.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,还包括:
步骤S14、制备芯片:将步骤S13制得的样品依次经脊型波导区域开孔、P面金属镀膜、物理研磨减薄、N面金属镀膜、合金后进行解离,然后在出光端面和背光端面蒸镀光学膜。
3.根据权利要求1或2所述的DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,步骤S11包括如下步骤:
在N-InP衬底上,通过MOCVD外延生长N-InP缓冲层;
在N-InP缓冲层生长禁带宽度和折射率渐变的InAlGaAs下波导层;
在InAlGaAs下波导层上生长AlGaInAs多量子阱有源层;
在AlGaInAs多量子阱有源层上生长InAlGaAs上波导层;
在InAlGaAs上波导层上依次生长低掺杂的P-InP过渡层和P-InGaAsP过渡层;
在P-InGaAsP过渡层上生长低掺杂P-InP空间层;
在P-InP空间层上依次生长InGaAsP光栅层和InP保护层,从而完成一次生长。
4.根据权利要求3所述的DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,步骤S12包括以下步骤:
采用部分光栅光刻板,将靠近出光端面和背光端面一段区域内的光刻胶去掉;
采用双光束全息方法制备均匀光栅,采用搅拌腐蚀方法形成周期均匀光栅;
对光栅表面进行清洗处理;
放入MOCVD外延炉中在光栅表面依次生长InP光栅覆盖层、P-InP过渡层和P-InGaAsP过渡层和P-InGaAs重掺杂层,从而完成二次生长。
5.根据权利要求4所述的DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,步骤S13包括以下步骤:
采用PECVD沉积SiO2介质层,光刻;
采用H2SO4:H2O2:H2O腐蚀液腐蚀基片表面的P-InGaAs重掺杂层和P-InGaAsP过渡层,接着采用H3PO4:HCl腐蚀至InP光栅覆盖层,形成多个脊型波导;
去除表面SiO2介质层,再次PECVD沉积SiO2钝化层。
6.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,所述多个脊型波导为四个脊型波导。
7.根据权利要求1所述的DFB半导体激光器制备方法,其特征在于,对每个脊型波导采用单独供电的方式进行供电。
8.一种根据如权利要求1至7中任一项所述的方法制得的DFB半导体激光器,其特征在于,所述DFB半导体激光器为包含多个激光器的单颗管芯,多个激光器各自的脊型波导相互独立,每个脊型波导由对应的激光器焊盘单独供电。
9.根据权利要求8所述的DFB半导体激光器,其特征在于,所述多个脊型波导位于管芯的中间位置。
10.根据权利要求8或9所述的DFB半导体激光器,其特征在于,所述管芯还包括金属覆盖区域,金属覆盖区域位于脊型波导的上表面。