技术特征：
技术总结
一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。其制备方法的步骤包括：（1）在排布有梯形台的图形衬底上依次生长下包层、有源层、上包层和接触层；（2）在接触层上方生长绝缘层；（3）在绝缘膜上形成条状电流注入区；（4）减薄衬底背面；在绝缘层上表面蒸镀上电极，在衬底下表面蒸镀下电极；（5）解理成巴条；（6）解理成管芯。本发明既能形成侧向折射率波导，降低阈值电流，又能形成非吸收窗口，提高腔面COD功率；简化了半导体激光器的芯片制程，降低了生产成本。
技术研发人员：朱振;张新;夏伟;徐现刚
受保护的技术使用者：山东华光光电子股份有限公司
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2018.07.27