技术特征：
技术总结
本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。
技术研发人员：小川和人;平井克典
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2014.08.26
技术公布日：2017.08.18