显示装置的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月12日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0016599号韩国专利申请、于2016年3月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0029690号韩国专利申请以及于2016年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0042416号韩国专利申请的权益，所述申请的公开内容通过引用的方式整体并入本文。

所描述的技术总体上涉及显示装置。

背景技术：

通常，显示装置包括基板上的显示单元。这种显示装置可以至少部分地弯曲，以便改善从多种角度的可视性或减小非显示区域的面积。

然而，在制造弯曲的显示装置时可能出现缺陷，或者显示装置的寿命可能减少。

技术实现要素：

一个发明方面涉及一种显示装置，其具有较长的使用寿命并且具有较少的缺陷(诸如在其制造过程期间的断开)。

另一方面是一种显示装置，其包括：基板，包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第一弯曲区域，并且第一弯曲区域围绕在第一方向上延伸的第一弯曲轴线弯曲；第一无机绝缘层，布置在基板之上并且包括与第一弯曲区域对应的第一开口或第一凹槽；有机材料层，填充第一开口或第一凹槽的至少一部分；以及第一导电层，跨第一弯曲区域从第一区域延伸到第二区域并且位于有机材料层之上。

第一开口或第一凹槽可以与第一弯曲区域重叠。第一开口或第一凹槽的面积可以大于第一弯曲区域的面积。

显示装置还可以包括位于基板的表面上的保护膜，其中，该表面可以与第一无机绝缘层相对，并且包括与第一弯曲区域对应的开口。开口的面积可以大于第一弯曲区域的面积。开口的面积可以大于第一弯曲区域的面积，并且小于第一开口或第一凹槽的面积。

有机材料层可以覆盖第一开口或第一凹槽的内侧表面。

有机材料层可以包括至少部分地在有机材料层的上表面中的不平坦表面。有机材料层可以仅在第一开口或第一凹槽中包括不平坦表面。有机材料层中的不平坦表面的面积可以大于第一弯曲区域的面积，并且小于第一开口或第一凹槽的面积。

有机材料层可以包括多个凹槽，该多个凹槽在有机材料层的上表面中在第一方向上延伸并且限定不平坦表面。

有机材料层上的第一导电层的上表面可以具有与有机材料层的上表面的形状对应的形状。

不平坦表面可以包括在与第一方向交叉的第二方向上的多个突起，并且在第一开口或第一凹槽的中心部分处的突起之间的距离可以小于在第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起之间的距离。

不平坦表面可以包括在与第一方向交叉的第二方向上的多个突起，并且从基板的上表面到第一开口或第一凹槽的中心部分处的突起的高度可以大于从基板的上表面到第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起的高度。

显示装置还可以包括位于第一导电层的上部部分上的应力中和层，其中应力中和层的上表面至少部分地具有与不平坦表面对应的形状。应力中和层的上表面可具有与不平坦表面的形状相同的形状。应力中和层的上表面上的所有突起可以与不平坦表面中的突起中的至少一些对应。

有机材料层可以包括不平坦表面，该不平坦表面具有至少部分地在与第一方向交叉的第二方向上位于上表面中的多个突起，并且在与第一开口或第一凹槽的内侧表面邻近的部分处的突起之间的距离可以小于在第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起之间的距离。

有机材料层可以包括不平坦表面，该不平坦表面具有至少部分地在与第一方向交叉的第二方向上位于上表面中的多个突起，并且从基板的上表面到与第一开口或第一凹槽的内侧表面邻近的部分处的突起的高度可以大于从基板的上表面到第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起的高度。

有机材料层可以包括多个岛，该多个岛在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。

位于岛上方的第一导电层的上表面可以具有与岛的上表面的形状对应的形状。

在第一开口或第一凹槽的中心部分处的岛之间的距离可以小于在第一开口或第一凹槽中的其他部分处的岛之间的距离。

从基板的上表面到第一开口或第一凹槽的中心部分处的岛的高度可以大于从基板的上表面到第一开口或第一凹槽中的其他部分处的岛的高度。

显示装置还可以包括：薄膜晶体管(tft)，布置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极；封装层，在第一区域上覆盖显示装置；以及位于封装层上的触摸感测层的触摸电极，其中，第一导电层可以包括与触摸电极的材料相同的材料。

显示装置还可以包括触摸保护层，该触摸保护层覆盖触摸电极和第一导电层。

显示装置还可以包括：封装层，包括第一无机封装层、第二无机封装层和布置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层，封装层配置为在第一区域上覆盖显示装置，其中，有机材料层可以包括与有机封装层的材料相同的材料。

显示装置还可以包括第二导电层，该第二导电层布置在第一区域或第二区域上并且位于与第一导电层所位于的层不同的层上，并且第二导电层可以电连接到第一导电层。

第一导电层的延伸率可以大于第二导电层的延伸率。

显示装置还可以包括：tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极，其中，第一导电层可以位于与源电极和漏电极相同的层上，并且第二导电层可以位于与栅电极相同的层上。

tft还可以包括半导体层，并且第一无机绝缘层可以布置在半导体层与栅电极之间。

第一无机绝缘层可以布置在tft与基板之间。tft还可以包括半导体层，并且有机材料层可以延伸为布置在半导体层与栅电极之间。

显示装置还可以包括：tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极；以及平坦化层，覆盖tft并且包括有机材料，其中，有机材料层可以包括与平坦化层的材料相同的材料。

有机材料层可以与层间绝缘层整体形成。

显示装置还可以包括：第一tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括第一半导体层、第一源电极、第一漏电极和第一栅电极；以及第二tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括第二半导体层、第二源电极、第二漏电极和第二栅电极，其中，第一栅电极位于其中的层与基板之间的距离可以小于第二栅电极位于其中的层与基板之间的距离，第一无机绝缘层可以布置在第一半导体层与第一栅电极之间以及在第二半导体层与第二栅电极之间，并且有机材料层可以延伸为布置在第一无机绝缘层与第二栅电极之间。显示装置还可以包括第二无机绝缘层，该第二无机绝缘层布置在有机材料层上并且包括与第一弯曲区域对应的第二开口或第二凹槽。

显示装置还可以包括：第二导电层，布置在第一区域或第二区域上，包括与第一栅电极的材料相同的材料并且电连接到第一导电层，其中，第一导电层可以包括与第二栅电极的材料相同的材料。

基板可以包括在第一区域内在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二弯曲区域，并且第二弯曲区域可以围绕在第二方向上延伸的第二弯曲轴线弯曲。

基板可以具有倒角的拐角，所述倒角的拐角最接近于第一弯曲轴线和第二弯曲轴线彼此交叉的点。

第一弯曲区域处的曲率半径可以小于第二弯曲区域处的曲率半径。第一无机绝缘层可以在第一区域内的包括第二弯曲区域的至少一个区上是连续的。

另一方面是一种显示装置，其包括：基板，包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第一弯曲区域，其中，第一弯曲区域围绕在第一方向上延伸的第一弯曲轴线弯曲；第一无机绝缘层，布置在基板上并且至少在第一弯曲区域中具有第一开口或第一凹槽；有机材料层，填充第一开口或第一凹槽的至少一部分；以及第一导电层，跨第一弯曲区域从第一区域延伸到第二区域并且位于有机材料层上。

在以上显示装置中，第一开口或第一凹槽与第一弯曲区域重叠。

在以上显示装置中，第一开口或第一凹槽具有比第一弯曲区域大的面积。

以上显示装置还包括位于基板表面上的保护膜，其中，该表面与第一无机绝缘层相对，并且其中保护膜至少在第一弯曲区域中具有保护膜开口。

在以上显示装置中，保护膜开口具有比第一弯曲区域大的面积。

在以上显示装置中，保护膜开口具有比第一弯曲区域大并且比第一开口或第一凹槽的面积小的面积。

在以上显示装置中，有机材料层覆盖第一开口或第一凹槽的内侧表面。

在以上显示装置中，有机材料层包括至少部分不平坦的上表面。

在以上显示装置中，有机材料层的上表面的不平坦部分仅设置在第一开口或第一凹槽中。

在以上显示装置中，有机材料层的不平坦部分具有比第一弯曲区域大并且比第一开口或第一凹槽的面积小的面积。

在以上显示装置中，有机材料层的上表面包括在第一方向上延伸的多个凹槽，并且其中凹槽限定上表面的不平坦部分。

在以上显示装置中，第一导电层的上表面具有与有机材料层的上表面的形状对应的形状。

在以上显示装置中，上表面的不平坦部分包括在与第一方向交叉的第二方向上的多个突起，其中，在第一开口或第一凹槽的中心部分处的突起之间的距离小于在第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起之间的距离。

在以上显示装置中，上表面的不平坦部分包括在与第一方向交叉的第二方向上的多个突起，并且其中从基板的上表面到第一开口或第一凹槽的中心部分处的突起的高度大于从基板的上表面到第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起的高度。

在以上显示装置中，还可以包括位于所述第一导电层的上部部分上的应力中和层，其中应力中和层的上表面至少部分地具有与有机材料层的上表面的不平坦部分对应的形状。

在以上显示装置中，应力中和层的上表面具有与不平坦部分的形状相同的形状。

在以上显示装置中，应力中和层的上表面上的所有突起与不平坦部分中的突起中的至少一些对应。

在以上显示装置中，有机材料层包括不平坦表面，该不平坦表面具有在与第一方向交叉的第二方向上的多个突起，其中在与第一开口或第一凹槽的内侧表面邻近的部分处的突起之间的距离小于在第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起之间的距离。

在以上显示装置中，有机材料层包括不平坦表面，该不平坦表面具有在与第一方向交叉的第二方向上的多个突起，并且其中从基板的上表面到与第一开口或第一凹槽的内侧表面邻近的部分处的突起的高度大于从基板的上表面到第一开口或第一凹槽中的其他部分处的突起的高度。

在以上显示装置中，有机材料层包括多个岛，该多个岛在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。

在以上显示装置中，位于岛上的第一导电层的上表面具有与岛对应的形状。

在以上显示装置中，在第一开口或第一凹槽的中心部分处的岛之间的距离小于在第一开口或第一凹槽中的其他部分处的岛之间的距离。

在以上显示装置中，从基板的上表面到第一开口或第一凹槽的中心部分处的岛的高度大于从基板的上表面到第一开口或第一凹槽中的其他部分处的岛的高度。

以上显示装置还包括：薄膜晶体管(tft)，布置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极；封装层，在第一区域上覆盖有机发光二极管(oled)；以及位于封装层上的触摸感测层的触摸电极，其中第一导电层和触摸电极由至少一种相同的材料形成。

以上显示装置还包括覆盖触摸电极和第一导电层的触摸保护层。

以上显示装置还包括在第二区域上的附加oled，其中封装层在第二区域上覆盖附加oled。

以上显示装置还包括封装层，该封装层包括第一无机封装层、第二无机封装层和布置在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层，其中封装层覆盖第一区域上的显示器件，并且其中有机材料层和有机封装层由至少一种相同的材料形成。

以上显示装置还包括第二导电层，第二导电层布置在第一区域或第二区域上并且位于与第一导电层位于其上的层不同的层上，其中第二导电层电连接到第一导电层。

在以上显示装置中，第一导电层的延伸率大于第二导电层的延伸率。

以上显示装置还包括：tft，设置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极，其中第一导电层位于与源电极和漏电极相同的层上，并且其中第二导电层位于与栅电极相同的层上。

在以上显示装置中，tft还包括半导体层，其中第一无机绝缘层布置在半导体层与栅电极之间。

在以上显示装置中，第一无机绝缘层布置在tft与基板之间。

在以上显示装置中，tft还包括半导体层，其中有机材料层延伸为插置在半导体层与栅电极之间。

以上显示装置还包括：tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极；以及平坦化层，覆盖tft并且由有机材料形成，其中有机材料层和平坦化层由至少一种相同的材料形成。

以上显示装置还包括：tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括源电极、漏电极和栅电极；以及层间绝缘层，布置在源电极与栅电极之间以及在漏电极与栅电极之间，其中有机材料层和层间绝缘层由至少一种相同的材料形成。

在以上显示装置中，有机材料层与层间绝缘层整体形成。

以上显示装置还包括：第一tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括第一半导体层、第一源电极、第一漏电极和第一栅电极；以及第二tft，布置在第一区域或第二区域上并且包括第二半导体层、第二源电极、第二漏电极和第二栅电极，其中第一栅电极位于其中的层与基板之间的距离小于第二栅电极位于其中的层与基板之间的距离，其中第一无机绝缘层布置在第一半导体层与第一栅电极之间以及在第二半导体层与第二栅电极之间，并且其中有机材料层延伸为插置在第一无机绝缘层与第二栅电极之间。

以上显示装置还包括第二无机绝缘层，该第二无机绝缘层布置在有机材料层上并且包括与第一弯曲区域对应的第二开口或第二凹槽。

以上显示装置还包括布置在第一区域或第二区域上的第二导电层，其中第二导电层和第一栅电极由至少一种相同的材料形成，其中第二导电层电连接到第一导电层，并且其中第一导电层和第二栅电极由至少一种相同的材料形成。

在以上显示装置中，基板包括在第一区域内在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二弯曲区域，并且其中第二弯曲区域围绕在第二方向上延伸的第二弯曲轴线弯曲。

在以上显示装置中，基板具有倒角的拐角，倒角的拐角最接近于第一弯曲轴线和第二弯曲轴线彼此交叉的点。

在以上显示装置中，第一弯曲区域处的曲率半径小于第二弯曲区域的曲率半径。

在以上显示装置中，第一无机绝缘层在第一区域内的包括第二弯曲区域的至少一个区上是连续的。

以上显示装置还包括附加无机绝缘层，附加无机绝缘层包括与第一弯曲区域对应并且与第一导电层重叠的附加开口。

在以上显示装置中，附加开口与第一弯曲区域重叠。

在以上显示装置中，附加开口具有比第一弯曲区域的面积大的面积。

在以上显示装置中，第一开口或第一凹槽与第一弯曲区域重叠。

在以上显示装置中，第一开口或第一凹槽大于第一弯曲区域的面积。

在以上显示装置中，附加开口具有比第一开口或第一凹槽的面积大的面积。

在以上显示装置中，附加开口与第一弯曲区域内的第一导电层对应。

在以上显示装置中，附加开口与第一弯曲区域内的第一导电层重叠。

在以上显示装置中，附加开口具有比第一弯曲区域内的第一导电层的上表面的面积大的面积。

在以上显示装置中，附加无机绝缘层至少部分地覆盖第一弯曲区域内的第一导电层的外部部分上的有机材料层的上表面。

另一方面是一种显示装置，其包括：基板，包括第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第一弯曲的区域，其中第一弯曲区域围绕在第一方向上延伸的第一弯曲轴线弯曲；第一无机绝缘层，布置在基板上并且具有至少位于第一弯曲的区域中的第一开口或第一凹槽；有机材料层，填充第一开口或第一凹槽的至少一部分；以及第一导电层，跨第一弯曲区域从第一区域延伸到第二区域并且位于有机材料层上。

附图说明

图1是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性立体图。

图2是部分地示出图1的显示装置的示意性剖视图。

图3是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图4是部分地示出根据比较示例的显示装置的示意性剖视图。

图5是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图6是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图7是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图8是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图9是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图10是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图11是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图12是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图13、图14和图15是示出制造图12的显示装置的过程的示意性剖视图。

图16是示出制造图12的显示装置的过程的示意性剖视图。

图17是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图18是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图19是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图20是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图21是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图22是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图23是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图24是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图25是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图26是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图27是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图28是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图29是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图30是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图31是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图32是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图33是沿第一弯曲区域中的第一弯曲轴线截取的图32的显示装置的示意性剖视图。

图34是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图35是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图36是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图37是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图38是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图39是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图40是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

图41是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性平面图。

图42是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性平面图。

图43是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性立体图。

图44是部分地示出图43的显示装置的示意性平面图。

图45是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性立体图。

图46是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性立体图。

具体实施方式

现将详细参考实施方式，这些实施方式的示例在附图中示出，其中，在所有附图中，相同的附图标记指代相同的元件。在此方面，本公开的实施方式可以具有不同的形式并且不应被解释为限制于在本文中阐述的描述。因此，这些实施方式仅是通过参考附图在下文描述以解释本发明的方面。如本文所使用的，用语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个”的表述在元件列表之后时，修饰整个元件列表，并且不修饰列表中的单个元件。

在下文中，将参考附图通过解释优选实施方式来详细描述所描述的技术。附图中相同的附图标记表示相同的元件。

为了便于说明，可能夸大附图中部件的尺寸。换言之，由于附图中部件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的，因此下文中的实施方式不限于此。

在下文的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示不彼此垂直的不同方向。在本公开中，用语“基本上”包括在一些应用下的以及根据本领域技术人员的完全、几乎完全或任何显著程度的含义。此外，“形成、设置或定位在...之上”也可以意指“形成、设置或定位在...上”。用语“连接”包括电连接。

图1是部分地示出根据实施方式的显示装置的示意性立体图，以及图2是部分地示出图1的显示装置的示意性剖视图。在显示装置中，作为显示装置的一部分的基板100被如图1所示地部分弯曲，并且因此，显示装置也由于弯曲的基板100而弯曲。然而，为了便于描述，图2示出了未弯曲的显示装置。为了便于描述，稍后将描述的根据一个或多个实施方式的其他剖视图和平面图也示出未弯曲的显示装置。

如图1和图2所示，包括在显示装置中的基板100包括在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲区域1ba。第一弯曲区域1ba在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1a与第二区域2a之间。另外，如图1所示，基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。基板100可以包括具有柔性或可弯曲特性的多种材料，例如聚合树脂，诸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)以及乙酸丙酸纤维素(cap)。

第一区域1a包括显示区域da。如图2所示，第一区域1a可以包括非显示区域的位于显示区域da的外部部分上的一部分以及显示区域da。第二区域2a还包括非显示区域。如果需要，第二区域2a还可以包括附加显示区域(未示出)。

如图2所示，除了显示器件300之外，显示器件300电连接至的薄膜晶体管(tft)210可以位于基板100的显示区域da上。在图2中，有机发光二极管(oled)作为显示器件300位于显示区域da上。如果第二区域2a包括附加显示区域，则oled可以位于附加显示区域上，tft也可以位于附加显示区域上。oled到tft210的这样的上述电连接可以表示像素电极310电连接到tft210。如果需要，可以在基板100的显示区域da外部的外围区域上布置tft(未示出)。位于外围区域上的tft可以是例如用于控制施加到显示区域da的电信号的电路单元的一部分。

tft210可以包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘性质，可以在半导体层211与栅电极213之间插入由诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料形成的栅绝缘层120。另外，由诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料形成的层间绝缘层130可以布置在栅电极213上，并且源电极215a和漏电极215b可以布置在层间绝缘层130上。如上所述，包含无机材料的绝缘层可以以化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)方法形成。这也适用于稍后将描述的一个或多个实施方式及其修改示例。

由诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料形成的缓冲层110可以布置在具有上述结构的tft210与基板100之间。缓冲层110可以改善基板100的上表面的平滑度，或者可以防止或减少杂质渗透到tft210的半导体层211中。

另外，平坦化层140可以布置在tft210上。例如，如图2所示，oled布置在tft210上，平坦化层140可以使覆盖tft210的保护层的上部部分平坦化。平坦化层140可以由例如苯并环丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料形成。在图2中，平坦化层140具有单层结构，但平坦化层140可以具有多层结构。另外，如图2所示，平坦化层140可以具有位于显示区域da的外部部分上的开口，使得平坦化层140的位于显示区域da上的一部分和平坦化层140的位于第二区域2a上的一部分可以物理分离。因此，来自外部的杂质可能不会穿过平坦化层140渗入显示区域da中。

在基板100的显示区域da中，oled可以位于平坦化层140上，其中，oled包括像素电极310、相对电极330和包括发射层并且布置在像素电极310与相对电极330之间的中间层320。如图2所示，像素电极310通过经由形成在平坦化层140中的开口与源电极215a和漏电极215b中的一个接触而电连接到tft210。

像素限定层150可以布置在平坦化层140上。像素限定层150具有与子像素中的每个对应的开口(即，暴露像素电极310的至少中心部分的开口)以限定像素。此外，在图2的示例中，像素限定层150增加像素电极310的边缘与位于像素电极310上方的相对电极330之间的距离，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧。像素限定层150可以包括例如有机材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)。

oled的中间层320可以由低分子量有机材料或聚合物有机材料形成。当中间层320由低分子量有机材料形成时，发射层可以以单层结构或多层结构包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)以及电子注入层(eil)，并且有机材料的示例可以包括铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-联苯胺(npb)和三-8-羟基喹啉铝(alq3)。低分子量有机材料可以通过真空沉积法沉积。

当中间层320由聚合物材料形成时，中间层320可以包括空穴传输层(htl)和发射层(eml)。在此，htl可以包括pedot，并且eml可以包括聚苯乙烯(ppv)基或聚芴基聚合物材料。这种上述中间层320可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(liti)法形成。

中间层320不限于以上示例，而是可以具有多种结构。另外，中间层320可以包括在多个像素电极310中整体形成的层，或者被图案化为与像素电极310中的每个对应的层。

相对电极330布置在显示区域da的上方，并且如图2所示可以覆盖显示区域da。也就是说，相对电极330可以相对于多个oled整体形成，以便对应于多个像素电极310。

由于oled可能容易被外部水分或氧气损坏，因此封装层400可以覆盖oled以保护oled。封装层400覆盖显示区域da，并且然后可以延伸到显示区域da的外部。如图2所示，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。

第一无机封装层410覆盖相对电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要，诸如封盖层的其他层可以布置在第一无机封装层410与相对电极330之间。由于第一无机封装层410根据布置在其下方的结构形成，因此第一无机封装层410可能具有不平坦的上表面。有机封装层420覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同，有机封装层420可以具有平坦的上表面。例如，有机封装层420可以在与显示区域da对应的部分处具有大致平坦的上表面。有机封装层420可以包含包括以下材料的至少一种材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯以及六甲基二硅氧烷。第二无机封装层430覆盖有机封装层420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层430可以通过其位于显示区域da的外部部分处的边缘来接触第一无机封装层410，以不将有机封装层420暴露于外部。

如上所述，由于封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，因此即使以上多层结构中的封装层400中存在裂缝，所述裂缝可以在第一无机封装层410与有机封装层420之间或在有机封装层420与第二无机封装层430之间断开。照此，可以防止或减少外部水分或氧可以通过其渗透到显示区域da中的路径的形成。

极化板520可以通过光学透明粘合剂(oca)510位于封装层400上。极化板520可以减少外部光的反射。例如，当通过极化板520的外部光被相对电极330的上表面反射然后再次通过极化板520时，外部光通过极化板520两次，并且外部光的相位可改变。因此，反射光的相位与进入极化板520的外部光的相位不同，使得发生相消干涉，并且因此，可以减少外部光的反射，并且可以改善可视性。如图2所示，oca510和极化板520可以覆盖平坦化层140中的开口。根据实施方式的显示装置可以基本上不包括极化板520，并且如果需要，可以省略极化板520或用其他部件替换。例如，可以省略极化板520，并且代替地，可以使用黑矩阵和滤色器来减少外部光的反射。

另外，包含无机材料的缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130可以被称为第一无机绝缘层。如图2所示，第一无机绝缘层可以包括与第一弯曲区域1ba对应的第一开口。也就是说，缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130可以分别包括与第一弯曲区域1ba对应的开口110a、120a和130a。第一开口与第一弯曲区域1ba对应可以表示第一开口与第一弯曲区域1ba重叠。在此，第一开口的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积。为此，在图2中，第一开口的宽度ow大于第一弯曲区域1ba的宽度。在此，第一开口的面积可以被定义为缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130的开口110a、120a和130a中具有最小面积的开口的面积。另外，在图2中，第一开口的面积被描述为由缓冲层110中的开口110a的面积限定。

在图2中，缓冲层110的开口110a的内表面和栅绝缘层120中的开口120a的内表面被描述为彼此齐平，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，如图3所示，图3为根据另一实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图，栅绝缘层120的开口120a的面积可以大于缓冲层110中的开口110a的面积。在这种情况下，第一开口的面积同样可以被定义为缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130的开口110a、120a和130a中具有最小面积的开口的面积。

显示装置可以包括填充第一无机绝缘层的第一开口的至少一部分的有机材料层160。在图2中，有机材料层160完全填充第一开口。另外，显示装置可以包括第一导电层215c，所述第一导电层215c从第一区域1a朝向第二区域2a延伸通过第一弯曲区域1ba以定位在有机材料层160上。第一导电层215c可以位于其上不存在有机材料层160的、诸如层间绝缘层130的无机绝缘层上。第一导电层215c可以通过使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时地或一同地形成。

如上所述，尽管图2示出了显示装置未弯曲以便于描述，但是显示装置实际上处于基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲的状态。为此，显示装置被制造成使得基板100如图2所示为平坦的，然后基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲，使得显示装置可以具有如图1所示的形状。在此，当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时，拉伸应力可以施加到第一导电层215c，但是显示装置可以防止或减少在弯曲过程期间第一导电层215c中的缺陷的出现。

如果包括缓冲层110、栅绝缘层120和/或层间绝缘层130的第一无机绝缘层在第一弯曲区域1ba处不包括开口，而是从第一区域1a到第二区域2a连续地形成，并且如果第一导电层215c位于第一无机绝缘层上，则当基板100弯曲时，大的拉伸应力施加到第一导电层215c。例如，第一无机绝缘层具有比有机材料层高的硬度，在第一弯曲区域1ba处更容易在第一无机绝缘层中出现裂缝，并且如果在第一无机绝缘层中出现裂缝，第一无机绝缘层上的第一导电层215c也可能具有裂缝，并且因此，存在在第一导电层215c中产生诸如断开的缺陷的高可能性。

然而，根据实施方式的显示装置，第一无机绝缘层如上所述在第一弯曲区域1ba处具有第一开口，并且第一导电层215c的与第一弯曲区域1ba对应的部分位于填充第一无机绝缘层的第一开口的至少一部分的有机材料层160上。由于第一无机绝缘层在第一弯曲区域1ba处具有第一开口，因此在第一无机绝缘层中产生裂缝的可能性非常低，并且由于包含在有机材料层160中的有机材料，有机材料层160具有产生裂缝的低可能性。因此，可以防止或减少第一导电层215c的一部分中的裂缝的出现，其中，第一导电层215c的一部分与第一弯曲区域1ba对应并且位于有机材料层160上。由于有机材料层160具有低于无机材料层的硬度的硬度，因此由于基板100的弯曲而产生的拉伸应力可以被有机材料层160吸收，使得拉伸应力在第一导电层215c上的集中可以被有效地减小。

除了第一导电层215c之外，显示装置可以包括第二导电层213a和213b。第二导电层213a和213b可以布置在第一区域1a或第二区域2a上，以位于与第一导电层215c的层级不同的层级处，并且可以电连接到第一导电层215c。在图2中，第二导电层213a和213b位于与tft210的栅电极213相同的层级处，即，位于栅绝缘层120上，并且包括与栅电极213相同的材料。另外，第一导电层215c经由形成在层间绝缘层130中的接触孔来接触第二导电层213a和213b。另外，第二导电层213a位于第一区域1a上，并且第二导电层213b位于第二区域2a上。

位于第一区域1a上的第二导电层213a可以电连接到显示区域da中的tft，并且因此，第一导电层215c可以经由第二导电层213a电连接到显示区域da中的tft。位于第二区域2a上的第二导电层213b也可以经由第一导电层215c电连接到显示区域da中的tft。如上所述，位于显示区域da的外部部分上的第二导电层213a和213b可以电连接到位于显示区域da中的部件，或者可以朝向显示区域da延伸，以至少部分地定位在显示区域da中。

如上所述，为了便于描述，图2示出了未弯曲的显示装置，但是显示装置处于基板100实际如图1所示在第一弯曲区域1ba处弯曲的状态。为此，显示装置被制造成这样的状态，在所述状态中基板100如图2所示是平坦的，然后，基板100可以在第一弯曲区域1ba处弯曲，使得显示装置可以具有如图1所示的形状。在此，当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时，拉伸应力可施加于位于第一弯曲区域1ba内的部件。

因此，跨第一弯曲区域1ba延伸的第一导电层215c可以包括具有高应变率的材料，并且因此，可以防止在第一导电层215c中出现裂缝或者第一导电层215c中的诸如断开的缺陷。另外，第二导电层213a和213b可以包括在第一区域1a或第二区域2a上的具有比第一导电层215c的应变率低的应变率以及第一导电层215c的电/物理特性的材料，并且因此，可以改善显示装置中传送电信号的效率，或者可以降低制造过程期间的缺陷率。例如，第二导电层213a和213b可以包括钼，并且第一导电层215c可以包括铝。如果需要，第一导电层215c以及第二导电层213a和213b可以包括多层结构。

与图2所示的示例不同，位于第二区域2a上的第二导电层213b的上表面可以不被平坦化层140至少部分地覆盖，而是暴露于外部，以便电连接到多种电子装置或印刷电路板。

如图2所示，有机材料层160可以覆盖第一无机绝缘层中的第一开口的内表面。如上所述，由于第一导电层215c可以具有与源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料，并且可以与源电极215a和漏电极215b同时形成，并且为此，导电层可以形成在基板100的整个表面上并被图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面，则导电材料可能不被去除，而是可能在对导电层进行图案化期间保留在缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120中的开口120a的内表面或者层间绝缘层130中的开口130a的内表面上。在这种情况下，保留在内层上的导电材料可能导致与其他导电层的电短路。

因此，当形成有机材料层160时，有机材料层160可以覆盖第一无机绝缘层中的第一开口的内表面。在图2中，有机材料层160被描述为具有恒定的厚度，但是有机材料层160可以具有根据位置而变化的厚度，使得有机材料层160可以具有围绕缓冲层110的开口110a的内表面、栅绝缘层120的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面具有平缓倾斜的上表面。因此，当为了形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c而对导电层进行图案化时，可以有效地防止应该被去除的导电材料的残留。

另外，如图2所示，有机材料层160可以在+z方向上的至少部分上表面上具有不平坦表面160a。由于有机材料层160包括不平坦表面160a，因此位于有机材料层160上的第一导电层215c可拥有具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状的上表面和/或下表面。

如上所述，由于在制造工艺中当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时拉伸应力可以施加至第一导电层215c，因此当第一导电层215c的上表面和/或下表面具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状时，施加到第一导电层215c的拉伸应力的量可以减小。也就是说，在弯曲过程期间产生的拉伸应力可以经由具有较小硬度的有机材料层160的形状的变形而减小。在此，至少在弯曲过程之前具有不平坦形状的第一导电层215c可以变形为与由于弯曲过程而变形的有机材料层160的形状对应，并且因此，可以防止在第一导电层215c中发生诸如断开的缺陷。

此外，不平坦表面160a至少部分地形成在有机材料层160的上表面上(在+z方向上)，第一开口中的有机材料层160的上表面的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面的表面面积可增加。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面上的大表面面积可以表示变形裕度大，从而减小由于基板100的弯曲引起的拉伸应力。

由于第一导电层215c位于有机材料层160上，因此第一导电层215c的下表面具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状。然而，第一导电层215c的上表面可以具有与有机材料层160的不平坦表面160a的形状无关的不平坦表面。

例如，在有机材料层160上形成导电材料层之后，光刻胶被施加在导电材料层上，并且在通过使用狭缝掩模或半色调掩模根据光刻胶的位置来变化曝光量时光刻胶显影。因此，由于光刻胶的显影而暴露的导电材料层被蚀刻，然后光刻胶被去除，并且然后，形成第一导电层215c。由于曝光量通过使用狭缝掩模或半色调掩模根据光刻胶的位置而变化，因此导电材料层的蚀刻程度可以根据导电材料层的位置而变化。因此，可以在第一导电层215c的上表面上人为地形成不平坦表面，并且在这种情况下，第一导电层215c的上表面可以具有与有机材料层160的不平坦表面160a无关的不平坦表面。这将适用于稍后将描述的一个或多个实施方式及其修改示例。即使在第一导电层215c的上表面上人为地形成不平坦表面的过程被如上所述地执行，第一导电层215c的上表面上的不平坦表面也可以与有机材料层160的不平坦表面160a对应。

有机材料层160的上表面(+z方向上)上的不平坦表面160a可以以多种方式形成。例如，当形成有机材料层160时使用光刻胶材料，并且曝光量通过使用狭缝掩模或半色调掩模根据有机材料层160的位置而变化(所述有机材料层160的上表面是平坦的)，使得特定部分可以比其他部分被蚀刻(去除)更多。在此，被更多蚀刻的部分可以是有机材料层160的上表面中的凹陷部分。在制造根据实施方式的显示装置时使用的方法不限于上述示例。例如，在形成具有平坦上表面的有机材料层160之后，通过干蚀刻方法去除某些部分，以及可以使用其他多种方法。

为了使有机材料层160在上表面(在+z方向上)上具有不平坦表面160a，有机材料层160可以在上表面(在+z方向上)上包括多个凹槽，其中所述凹槽在第一方向(+y方向)上延伸。在此，有机材料层160上的第一导电层215c的上表面的形状与有机材料层160的上表面的形状对应。

有机材料层160可以仅在第一无机绝缘层的第一开口内具有不平坦表面160a。在图2中，有机材料层160的不平坦表面160a的宽度uew小于第一无机绝缘层的第一开口的宽度ow。如果有机材料层160在第一无机绝缘层中的第一开口的整个内部和外部具有不平坦表面160a，则有机材料层160在缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面附近具有不平坦表面160a。

在这种情况下，如示出根据比较示例的显示装置的一部分的图4所示，有机材料层160在凹陷部分的厚度相对小于突出部分的厚度，并且因此，当凹陷部分位于缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面周围时，有机材料层160可能断开。因此，有机材料层160可以仅在第一无机绝缘层的第一开口内具有不平坦表面160a，可以防止缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120的开口120a的内表面或者层间绝缘层130中的开口130a的内表面周围的有机材料层160的断开。

如上所述，为了不在第一弯曲区域1ba处在第一导电层215c中产生断开，有机材料层160可以在第一弯曲区域1ba上具有不平坦表面160a。因此，有机材料层160的不平坦表面160a的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积，并且小于第一开口的面积。也就是说，如图2所示，有机材料层160的不平坦表面160a的宽度uew大于第一弯曲区域1ba的宽度，并且小于第一开口的宽度ow。

另外，如示出根据实施方式的显示装置的一部分的图6所示，即使有机材料层160在第一无机绝缘层的第一开口的整个内部和外部具有不平坦表面160a，有机材料层160中的突出部分可以位于缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面周围。在这种情况下，由于有机材料层160的突出部分比有机材料层160的凹陷部分相对更厚，因此可以防止缓冲层110中的开口110a的内表面、栅绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面周围的有机材料层160的断开。

另外，应力中和层(snl)600可以位于显示区域da的外部部分上。也就是说，snl600可以位于第一导电层215c上，以至少对应于第一弯曲区域1ba。

当堆叠结构弯曲时，在堆叠结构中存在应力中性面。如果没有snl600，则当基板100弯曲时，过大的拉伸应力可能施加于第一弯曲区域1ba中的第一导电层215c，因为第一导电层215c的位置可能不对应于应力中性面。然而，通过形成snl600并调整snl600的厚度和模量，可以调整包括基板100、第一导电层215c和snl600的结构中的应力中性面的位置。因此，可以经由snl600将应力中性面调整为位于第一导电层215c周围，因此，可以减小施加到第一导电层215c的拉伸应力。

与图2的示例不同，snl600可以延伸到显示装置中的基板100的端部。例如，在第二区域2a中，第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层和第二导电层的其他导电层至少部分地不被层间绝缘层130或平坦化层140覆盖，而是电连接到多种电子装置或印刷电路板。因此，第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层和第二导电层的其他导电层可以具有电连接到各种电子装置或印刷电路板的部分。在此，需要保护电连接部分免受外部杂质(例如，潮湿)的影响，并且因此，snl600可以覆盖电连接部分，以便也用作保护层。为此，snl600可以延伸到例如显示装置的基板100的端部。

另外，在图2中，snl600在朝向显示区域da的方向(-x方向)上的上表面与极化板520的(在+z方向上)上表面齐平，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，snl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部可以部分地覆盖极化板520的边缘处的上表面。另外，snl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部可不接触极化板520和/或oca510。在后一种情况下，在形成snl600期间或之后，可以防止由于从snl600产生并朝向显示区域da(-x方向)移动的气体导致的显示器件(例如，oled)的劣化。

如图2所示，如果snl600在朝向显示区域da的方向(-x方向)上的上表面与极化板520在+z方向上的上表面齐平，如果snl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部部分地覆盖极化板520的端部处的上表面，或者如果snl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部接触oca510，则snl600的靠近显示区域da(-x方向)的端部的厚度可以大于snl600中的其他部分的厚度。由于可以施加并硬化液相材料或糊状材料以形成snl600，因此snl600的体积可能通过硬化过程而减小。在此，如果snl600的靠近显示区域da(-x方向)的端部与极化板520和/或oca510接触，则snl600的所述端部被固定在这一位置处，并且因此，在snl600的其他部分中发生体积减小。因此，snl600的靠近显示区域da(-x方向)的端部的厚度可以大于snl600中的其他部分的厚度。

图6是示出根据实施方式的显示装置的一部分并且例如在第一无机绝缘层中的第一开口周围的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，如上所述，有机材料层160的不平坦表面160a在与第一方向(+y方向)交叉的第二方向(+x方向)上具有多个突起。在此，第一开口的中心部分处的突起中两个相邻突起之间的距离d1小于第一开口中的其他部分上的突起中两个相邻突起之间的距离d2。

如以上参考图1所述的，显示装置的基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。因此，基板100、有机材料层160和第一导电层215c在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且此时，最大的拉伸应力可能在第一弯曲区域1ba的中心部分(即，第一开口的中心部分)处被施加到第一导电层215c。因此，通过将第一开口的中心部分处的突起之间的距离d1减小为小于第一开口中的其他部分处的突起之间的距离d2，有机材料层160的上表面在第一开口的中心部分处的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在第一开口的中心部分处的表面面积可以相对大于第一开口中的其他部分的表面面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面上的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。在此，突起之间的距离d1改变为距离d2的点可以位于第一弯曲区域1ba内。

在第一开口的除了中心部分或与第一开口中的边缘相邻的部分之外的其他部分中，相邻突起之间的距离可以不同于距离d1或距离d2。此外，突起中的相邻突起之间的距离可以从第一开口的中心部分朝向第一开口的边缘逐渐增大。这将适用于后文将描述的其他实施方式及其修改示例。

图7是根据实施方式的显示装置的一部分并且例如在第一无机绝缘层中的第一开口周围的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，如上所述，有机材料层160的不平坦表面160a可以在与第一方向(+y方向)交叉的第二方向(+x方向)上具有多个突起。在此，从基板100的上表面到第一开口的中心部分处的突起的高度h1大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的高度h2。

如上文参考图1所述的，显示装置的基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。因此，基板100、有机材料层160和第一导电层215c在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且此时，最大的拉伸应力可在第一弯曲区域1ba的中心部分(即，第一开口的中心部分)处被施加到第一导电层215c。因此，通过将从基板100的上表面到第一开口的中心部分处的突起的高度h1增加成大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的高度h2，有机材料层160的上表面在第一开口的中心部分处的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在第一开口的中心部分处的表面面积可以相对大于第一开口中的其他部分的表面面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面上的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。在此，从基板100的上表面到突起的高度h1变为高度h2的点可以位于第一弯曲区域1ba内。

在第一开口的除了中心部分或与第一开口中的边缘相邻的部分之外的其他部分中，从基板100的上表面到突起的高度可以不同于高度h1或高度h2。此外，从基板100的上表面到突起的高度可以从第一开口的中心部分朝向第一开口的边缘逐渐减小。这将适用于后文将描述的其他实施方式及其修改示例。

如示意性地示出根据实施方式的显示装置的一部分的图8所示，图6和图7所示的示例可以同时应用于显示装置。

例如，第一开口的中心部分处的突起中相邻突起之间的距离d1小于第一开口中的其他部分处的突起之间的距离d2，并且同时，从基板100的上表面到第一开口的中心部分处的突起的高度h1可以大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的高度h2。由此，有机材料层160的上表面在第一开口的中心部分处的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在第一开口的中心部分处的表面面积的增加可以最大化，使得以上层在第一开口中的中心部分处的表面面积可以相对大于其他部分的表面面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面上的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。在这种情况下，突起的高度或突起之间的距离可以逐渐改变。在此，突起之间的距离d1改变为距离d2的点可以位于第一弯曲区域1ba内。

图9是根据实施方式的显示装置的一部分并且例如在第一无机绝缘层的第一开口周围的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，有机材料层160的不平坦表面160a可以在与第一方向(+y方向)交叉的第二方向(+x方向)上具有多个突起。在此，与第一开口的内侧表面相邻的突起中的相邻突起之间的距离d2可以小于第一开口中的其他部分处的相邻突起之间的距离d1。

如上文参考图1所述的，显示装置的基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。因此，基板100、有机材料层160和第一导电层215c在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且此时，拉伸应力可被施加到有机材料层160和第一导电层215c。例如，由于包含无机材料的被称为第一无机绝缘层的缓冲层110、栅绝缘层120和/或层间绝缘层130具有第一开口，因此第一无机绝缘层不存在于第一弯曲区域1ba中。然而，有机材料层160的与第一开口的内侧表面相邻的一部分与第一无机绝缘层接触或者与第一无机绝缘层相邻，并且因此，有机材料层160的该部分可能受到具有相对较大硬度的第一无机绝缘层的影响，并且因此可能由于拉伸应力而被损坏。

因此，通过将与第一开口的内侧表面相邻的部分处的突起之间的距离d2减小为小于第一开口中的其他部分处的突起之间的距离d1，有机材料层160的上表面在与第一开口的内侧表面相邻的部分处的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在与第一开口的内侧表面相邻的部分处的表面面积可以相对大于第一开口的其他部分处的表面面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。在此，突起之间的距离d1改变为距离d2的点可以位于第一弯曲区域1ba内。

在第一开口的除了中心部分或与第一开口中的边缘相邻的部分之外的其他部分中，相邻突起之间的距离可以不同于距离d1或距离d2。此外，突起中的相邻突起之间的距离可以从第一开口的中心部分朝向第一开口的边缘逐渐减小。

根据实施方式的显示装置可以具有图6和图9所示的示例均被应用的结构。例如，第一开口的中心部分处的相邻突起之间的距离和与第一开口的内侧表面相邻的部分处的相邻突起之间的距离可以小于第一开口中的其他部分处相邻突起之间的距离d2。

图10是根据实施方式的显示装置的一部分并且例如在第一无机绝缘层的第一开口周围的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，如上所述，有机材料层160的不平坦表面160a可以在与第一方向(+y方向)交叉的第二方向(+x方向)上具有多个突起。在此，从基板100的上表面到与第一开口的内侧表面相邻的部分处的多个突起的高度h2可以大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的高度h1。

如上文参考图1所述的，显示装置的基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。因此，基板100、有机材料层160和第一导电层215c在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且此时，拉伸应力可被施加到有机材料层160和第一导电层215c。例如，由于包含无机材料的被称为第一无机绝缘层的缓冲层110、栅绝缘层120和/或层间绝缘层130具有第一开口，因此第一无机绝缘层不存在于第一弯曲区域1ba中。然而，有机材料层160的与第一开口的内侧表面相邻的一部分与第一无机绝缘层接触或者与第一无机绝缘层相邻，并且因此，有机材料层160的该部分可能受到具有相对较大硬度的第一无机绝缘层的影响，并且因此可能由于拉伸应力而被损坏。

因此，通过将从基板100的上表面到与第一开口的内侧表面相邻的部分处的突起的距离h2设定为大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的距离h1，有机材料层160的上表面在与第一开口的内侧表面相邻的部分处的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在与第一开口的内侧表面相邻的部分处的表面面积可以相对大于第一开口的其他部分处的表面面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面上的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。在此，从基板100的上表面到突起的高度h1变为高度h2的点可以位于第一弯曲区域1ba内。

在第一开口的除了中心部分或与第一开口中的边缘相邻的部分之外的其他部分中，从基板100的上表面到突起的高度可以不同于高度h1或高度h2。此外，从基板100的上表面到突起的高度可以从第一开口的中心部分朝向第一开口的边缘逐渐增大。这将适用于后文将描述的其他实施方式及其修改示例。

根据实施方式的显示装置可以具有图7和图10所示的示例均被应用的结构。例如，从基板100的上表面到第一开口的中心部分处的突起的高度和从基板100的上表面到与第一开口的内侧表面相邻的部分处的突起的高度可以大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的高度。

另外，如示意性示出根据实施方式的显示装置的一部分的图11所示，可以应用图9和图10两者所示的结构。例如，与第一开口的内侧表面相邻的部分处的相邻突起之间的距离d2小于第一开口中的其他部分处的相邻突起之间的距离d1，并且此外，从基板100的上表面到与第一开口的内侧表面相邻的部分处的突起的高度h2可以大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的突起的高度h1。由此，有机材料层160的上表面在第一开口的中心部分处的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在与所述开口的内侧表面相邻的部分处的表面面积的增加可以最大化，使得以上层在与第一开口的内侧表面相邻的部分处的表面面积可以相对大于其他部分的表面面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。在这种情况下，突起的高度或突起之间的距离可以逐渐改变。

图12是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。如图12所示，snl600在其上表面的至少一部分上包括不平坦表面600a。不平坦表面600a可以至少对应于第一弯曲区域1ba，或者可以具有比第一弯曲区域1ba更大的面积。在此，snl600的不平坦表面600a可以具有与有机材料层160的不平坦表面160a的形状对应的形状。

如上文所述，snl600可以调整包括基板100、第一导电层215c和snl600的堆叠结构中的应力中性面的位置。因此，snl600可以允许应力中性面定位在第一导电层215c周围，以便减小施加到第一导电层215c的拉伸应力。在此，如图12所示，由于snl600的不平坦表面600a具有与有机材料层160的不平坦表面160a的形状对应的形状，因此应力中性面可以精确地位于具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状的第一导电层215c上。由此，当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时施加到第一导电层215c的拉伸应力可以减小，以便防止或减少第一导电层215c中的缺陷的出现。

snl600由有机材料形成，并且可以通过多种方法形成。

例如，如图13所示，在y轴方向上与基板100的边缘一起延伸以与作为有机材料层160的不平坦表面160a上的突起中的一个的第一突起对应的第一部分601通过喷墨印刷法、喷射法或打点法(dottingmethod)形成，并且然后将紫外(uv)射线照射到第一部分601上以使第一部分601硬化。另外，如图14所示，在y轴方向上与基板100的边缘一起延伸以与有机材料层160的不平坦表面160a的突起中的第二突起(与第一突起相邻)对应的第二部分602被形成，并且然后可以将uv射线照射到第二部分602以使第二部分602硬化。在此，第一部分601与第二部分602之间的接触部分是凹部，并且第一部分601和第二部分602在其中心部分处具有凸部。当形成第一部分601和第二部分602时，由于第一部分601和第二部分602中所包括的有机材料的特性，第一部分601和第二部分602的中心部分是凸起的。通过重复执行以上过程，如图15所示，snl600的不平坦表面600a可以与有机材料层160的不平坦表面160a对应。然而，与图15所示的示例不同，由于第一部分和第二部分通过使用相同的有机材料形成，所以在第一部分与第二部分之间可以没有边界。

另外，用于形成snl600的有机材料位于第一导电层215c上以至少对应于第一弯曲区域1ba，并且如图16所示，具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的下表面的模具m可以接触用于形成snl600的有机材料。在以上状态下，将uv射线照射到用于形成snl600的有机材料以使有机材料硬化，并且然后，去除模具m。从而，snl600的不平坦表面600a可以与有机材料层160的不平坦表面160a对应。如果需要，在将模具m与用于形成snl600的有机材料接触之前，将uv射线照射到用于形成snl600的有机材料上以第一次使有机材料硬化，并且在这之后，模具m的下表面接触用于形成snl600的有机材料。然后，再次将uv射线照射到用于形成snl600的有机材料以第二次使有机材料硬化，并且然后，去除模具m。

图13至图16以及图12示意性地示出根据实施方式的显示装置，并且因此，为了描述的方便，可能夸大或简化部件的厚度，并且这在后文描述的一个或多个实施方式及其修改示例中是相同的。

尽管如图12所示snl600的不平坦表面600a可以精确地与有机材料层160的不平坦表面160a对应，但是如图17所示snl600的不平坦表面600a可以大致与有机材料层160的不平坦表面160a对应，其中，图17是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

例如，如图17所示，snl600的不平坦表面600a上的突起之间的间隔可以比有机材料层160的不平坦表面160a的突起之间的间隔大整数倍，例如两倍。在这种情况下，snl600的不平坦表面600a上的所有突起与有机材料层160的不平坦表面160a上的至少一些突起对应，并且因此，在第一弯曲区域1ba处弯曲基板100期间施加到第一导电层215c的拉伸应力可以减小。因此，可以减少或防止第一导电层215c中的缺陷的出现。相反，有机材料层160的不平坦表面160a上的突起之间的间隔可以比snl600的不平坦表面600a上的突起之间的间隔大整数倍。在这种情况下，有机材料层160的不平坦表面160a上的所有突起与snl600的不平坦表面600a上的至少一些突起对应，并且因此，在第一弯曲区域1ba处弯曲基板100期间施加到第一导电层215c的拉伸应力可以减小。因此，可以减少或防止第一导电层215c中的缺陷的出现。

另外，如图12所示，平坦化层140的上表面可以是平坦的，或者可以具有如图18所示的不平坦表面140a，图18是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。在平坦化层140的上表面上形成不平坦表面140a的方法可以与在有机材料层160的上表面上形成不平坦表面160a的方法相同/类似。

上文参考图12至图18描述的snl600的结构可以应用于根据上述实施方式和以下将描述的其他实施方式的显示装置。

到目前为止，第一无机绝缘层被描述为具有开口，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，第一无机绝缘层可以不包括完全穿透第一无机绝缘层的第一开口，而是可以在与第一弯曲区域1ba对应的位置处包括第一凹槽。图19是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。

如图19所示，缓冲层110可以在全部第一区域1a、第一弯曲区域1ba和第二区域2a中连续地形成。另外，栅绝缘层120包括与第一弯曲区域1ba对应的开口120a，并且层间绝缘层130同样包括与第一弯曲区域1ba对应的开口130a。因此，包括缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130的第一无机绝缘层可以被描述为具有与第一弯曲区域1ba对应的第一凹槽。第一无机绝缘层可以包括不同类型的第一凹槽。例如，可以部分地去除缓冲层110的上表面(在+z方向上)，或者可以不去除栅绝缘层120的下表面(在-z方向上)。

第一凹槽与第一弯曲区域1ba对应可以表示第一凹槽与第一弯曲区域1ba重叠。在此，第一凹槽的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积。为此，第一凹槽的宽度gw被示出为大于图19中的第一弯曲区域1ba的宽度。在此，第一凹槽的面积可以被限定为栅绝缘层120的开口120a与层间绝缘层130的开口130a之中具有最小面积的开口的面积。在图20中，第一凹槽的面积由栅绝缘层120中的开口120a的面积限定。

在显示装置中，有机材料层160可以至少部分地填充第一凹槽。另外，第一导电层215c在形成有机材料层160的区域中位于有机材料层160上。

在图19中，为了便于描述，显示装置未处于弯曲状态，但是根据实施方式的显示装置中的基板100实际上如图1所示在第一弯曲区域1ba处弯曲。为此，其中基板100是平坦的显示装置被制造为如图19所示，并且在这之后，基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲，使得显示装置可处于图1所示的状态。在此，当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时，拉伸应力可以施加到第一导电层215c，但是在显示装置中，第一无机绝缘层包括与第一弯曲区域1ba对应的第一凹槽，并且第一导电层215c的与第一弯曲区域1ba对应的部分位于至少部分地填充第一无机绝缘层的第一凹槽的有机材料层160上。因此，可以防止第一导电层215c的位于有机材料层160上的部分(该部分与第一弯曲区域1ba对应)中的出现裂缝，或者可以减少产生裂缝的可能性。

此外，关于第一无机绝缘层包括第一开口的情况的上文描述可以应用于第一无机绝缘层具有第一凹槽的情况。例如，有机材料层160可以覆盖第一凹槽的内侧表面。另外，有机材料层160可以在第一凹槽内具有至少部分地位于其上表面上的不平坦表面160a。另外，有机材料层160中的不平坦表面160a的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积，并且可以小于第一凹槽的面积。参考图6至图10的关于有机材料层160的不平坦表面160a上的突起的间距或高度的上文描述也可以应用于第一无机绝缘层包括第一凹槽的情况。另外，为了便于描述，下文将描述第一无机绝缘层包括第一开口的情况，但是下文的描述可以应用于第一无机绝缘层包括第一凹槽的情况。

图20是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，有机材料层160包括多个岛160b。岛160b在第一方向(+y方向)上延伸，并且在第二方向(+x方向)上彼此间隔开。第一导电层215c覆盖岛160b，并且因此，位于岛160b上的第一导电层215c具有与岛160b的形状对应的上表面。因此，第一导电层215c的上表面(+z方向)的表面面积增加。

在制造过程期间，基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且然后，拉伸应力可以施加到第一导电层215c。因此，当第一导电层215c的上表面和/或下表面可具有与有机材料层160的岛160b对应的形状时，可以减小施加到第一导电层215c的拉伸应力的量。也就是说，可以通过有机材料层160的具有相对较小强度的岛160b的变形来减小可能在弯曲过程期间产生的拉伸应力。在此，至少在弯曲过程之前具有不平坦形状的第一导电层215c的形状变形为与已经由于弯曲过程而变形的有机材料层160的形状对应，并且因此，可以有效地防止在第一导电层215c中出现诸如断开的缺陷。

由于第一导电层215c位于有机材料层160上，因此第一导电层215c的下表面与有机材料层160的岛160b对应。然而，第一导电层215c的上表面可以具有不平坦表面，但是不平坦表面可以与有机材料层160的岛160b无关地形成。

例如，导电材料层形成在有机材料层160上，并且将光刻胶应用到导电材料层上。然后，光刻胶显影，从而通过使用狭缝掩模或半色调掩模根据光刻胶的位置而改变曝光量，并且因此，暴露的导电材料层被蚀刻，并去除光刻胶，以形成第一导电层215c。由于曝光量通过使用狭缝掩模或半色调掩模根据光刻胶的位置而变化，因此导电材料层具有根据其位置而变化的蚀刻程度。因此，可以以上述方式在第一导电层215c的上表面上人为地形成不平坦表面，并且在这种情况下，第一导电层215c的上表面的不平坦表面可以具有不与有机材料层160的岛160b对应的形状。这将适用于下文将描述的实施方式及其修改示例。然而，即使执行在第一导电层215c的上表面中人为地形成不平坦表面的过程，第一导电层215c的不平坦表面也可以与有机材料层160的岛160b对应。

图21是根据实施方式的显示装置的一部分并且例如在第一无机绝缘层的第一开口周围的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，有机材料层160的岛160b如上所述在第二方向(+x方向)上彼此间隔开。在此，第一开口中心部分处的岛160b中的相邻岛160b之间的距离d1小于第一开口中其他部分处的岛160b中的相邻岛160b之间的距离d2。

如上文参考图1所述的，显示装置的基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。因此，基板100、有机材料层160和第一导电层215c在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且此时，最大的拉伸应力可在第一弯曲区域1ba的中心部分(即，第一开口的中心部分)处被施加到第一导电层215c。因此，当第一开口的中心部分处的岛160b之间的距离d1小于第一开口的其他部分处的岛160b之间的距离d2时，第一开口的中心部分处的岛160b的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在第一开口的中心部分处的表面面积可以相对大于第一开口中的其他部分的表面面积。岛160b以及第一导电层215c的上表面和下表面的大表面面积可以表示用于减小由基板100的弯曲引起的拉伸应力的大变形裕度。

图22是根据实施方式的显示装置的一部分并且例如在第一无机绝缘层的第一开口周围的一部分的示意性剖视图。在显示装置中，从基板100的上表面到第一开口的中心部分处的岛160b的高度h1大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的多个岛160b的高度h2。

如上文参考图1所述的，显示装置的基板100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲。因此，基板100、有机材料层160和第一导电层215c在第一弯曲区域1ba处弯曲，并且此时，最大的拉伸应力可以在第一弯曲区域1ba的中心部分(即，第一开口的中心部分)处被施加到第一导电层215c。因此，当从基板100的上表面到第一开口的中心部分处的岛160b的高度h1大于从基板100的上表面到第一开口中的其他部分处的岛160b的高度h2时，第一开口的中心部分处的岛160b的表面面积以及第一导电层215c的上表面和下表面在第一开口的中心部分处的表面面积可以相对大于第一开口中的其他部分的表面面积。

另外，如图23所示，图23为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图，显示装置还可以包括用于保护基板100的保护膜170。保护膜170是用于保护基板100的下表面的下保护膜，并且如图23所示，保护膜170可以包括开口170op。开口170op与第一弯曲区域1ba对应，并且开口170op的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积。在图23中，开口170op的宽度大于第一弯曲区域1ba的宽度。

由于保护膜170保护基板100的下表面，因此保护膜170可以自身具有强度。因此，如果保护膜170具有低水平的柔性，则当基板100弯曲时，保护膜170可能与基板100分离。因此，如图23所示，当保护膜170包括与第一弯曲区域1ba对应的开口170op时，可以有效地防止保护膜170与基板100之间的分离的发生。为此，如上所述，保护膜170的开口170op的面积需要大于第一弯曲区域1ba的面积。

然而，考虑到保护膜170必须尽可能地保护基板100的下表面，需要减小保护膜170的开口170op的面积。因此，保护膜170中的开口170op的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积，并且同时可以小于第一无机绝缘层中的第一开口的面积。此外，保护膜170中的开口170op的面积可以小于有机材料层160的不平坦表面160a的面积。因此，在图23中，开口170op的宽度大于第一弯曲区域1ba的宽度，而开口170op的宽度小于第一无机绝缘层中的第一开口的宽度ow和有机材料层160的不平坦表面160a的宽度uew。具有上述形状的保护膜170可以应用于根据前述实施方式和后文将描述的其他实施方式的显示装置。

如果需要，与图23所示的保护膜170不同，保护膜170可以不覆盖基板100的边缘。也就是说，保护膜170可以不存在于第二区域2a上。

到目前为止，上文描述了其中第一导电层215c与tft210中的源电极215a或漏电极215b由相同的材料形成且同时形成的示例，但是一个或多个实施方式不限于此。

例如，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图24所示，具有多种图案的触摸电极710可以位于用于实现触摸感测功能的封装层400上。也就是说，触摸电极710可以是触摸感测层的一部分。当形成触摸电极710时，可以通过使用与触摸电极710的材料相同的材料同时形成第一导电层215c。此外，当形成用于保护触摸电极710的触摸保护层720时，可以同时形成覆盖第一导电层215c的保护层。如果需要，如图24所示，触摸保护层720可以从显示区域da整体地延伸到至少第一弯曲区域1ba。如上所述，与触摸电极710同时形成第一导电层215c的结构可以应用于上文描述的或后文将描述的显示装置。与以上示例不同，第一导电层215c可以通过使用与相对电极330的材料相同的材料与相对电极330同时形成。

另外，有机材料层160可以通过使用与平坦化层140的材料相同的材料与平坦化层140同时形成。如果需要，有机材料层160可以在单独的过程中形成，而不考虑平坦化层140。另外，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图25所示，有机材料层160可以通过使用与封装层400中的有机封装层420相同的材料与有机封装层420同时形成。

有机材料层160可以与除平坦化层140之外的其他层通过使用相同的材料同时形成。例如，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图26所示，当层间绝缘层130包括有机绝缘材料时，有机材料层160可以通过使用与层间绝缘层130相同的材料与层间绝缘层130同时形成。由于图26是剖视图，因此层间绝缘层130和有机材料层160由于接触孔而被示出为彼此分离的层，其中，第一导电层215c通过所述接触孔连接到第二导电层213a和213b。然而，除了形成接触孔的区域之外，层间绝缘层130和有机材料层160可以彼此整体形成。

如上所述，当层间绝缘层130由有机材料形成时，其中有机材料层160与层间绝缘层130同时形成的结构可以应用于上文描述的或后文将要描述的其他显示装置。在此，如图26所示，第一导电层215c可以通过使用与触摸电极710的材料相同的材料与触摸电极710同时形成。在这种情况下，如图26所示，触摸保护层720可以覆盖第一导电层215c。另外，除了触摸保护层720之外的有机绝缘层可能对于实现触摸感测功能是必要的。例如，可以形成除了触摸电极710之外的附加触摸电极，并且可以在触摸电极710与附加触摸电极之间插入有机绝缘层。在这种情况下，有机绝缘层可以延伸为覆盖第一导电层215c，或者通过使用与有机绝缘层相同的材料与有机绝缘层同时形成的层可以覆盖第一导电层215c。

第一导电层215c可以以不同的方式修改，例如，第一导电层215c可以与源电极215a或漏电极215b同时形成，而不与触摸电极710同时形成。另外，在这种情况下，第一导电层215c可以被平坦化层140或另一绝缘层覆盖。

到目前为止，描述了第一无机绝缘层包括插入在半导体层211与栅电极213之间的栅绝缘层120的情况，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图27所示，第一无机绝缘层可以仅包括布置在tft210与基板100之间的缓冲层110。在这种情况下，缓冲层110包括可以被称为第一开口的开口110a。另外，栅绝缘层120可以用作前述实施方式中所描述的有机材料层160。也就是说，栅绝缘层120可以包括绝缘有机材料。

在这种情况下，如图27所示，栅绝缘层120可以在第一开口内在其上表面的至少一部分中具有不平坦表面120b。栅绝缘层120的不平坦表面120b的形状以及不平坦表面120b中所包括的多个突起的间距或高度可以采用参考图6至图10的关于有机材料层160的不平坦表面160a的形状、不平坦表面160a中突起的间距和高度的描述。此外，类似于包括如图20所示的彼此间隔开的岛160b的有机材料层160，栅绝缘层120可以包括彼此间隔开的多个岛，这不同于图27所示的示例。在这种情况下，关于上文参考图21和图22描述的岛160b的间距或高度的描述可以应用于栅绝缘层120的岛。

如上所述，如图27所示，当栅绝缘层120用作有机材料层时，第一导电层215c可以通过使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成。如参考图24至图26所示，如果具有多种图案的触摸电极710位于覆盖oled300的封装层400上以用于实现触摸感测功能，则第一导电层215c可以通过使用与触摸电极710相同的材料与触摸电极710形成。

图28是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。除了tft210之外，显示装置可以包括位于显示区域da上的tft210'。tft210'可以包括半导体层211'、源电极215a'、漏电极215b'和栅电极213'。在此，半导体层211'可以包括与半导体层211相同的材料，并且可以位于与半导体层211相同的层级处。源电极215a'和漏电极215b'也可以包括与源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料，并且可以位于与源电极215a和漏电极215b的层级相同的层级处。然而，栅电极213'可以位于与栅电极213的层级不同的层级处。

例如，栅绝缘层120'位于栅绝缘层120上，并且源电极215a、漏电极215b、源电极215a'以及漏电极215b'可以位于覆盖栅绝缘层120'的层间绝缘层130上。另外，栅电极213位于栅绝缘层120上，栅绝缘层120'覆盖栅电极213，并且栅电极213'可以位于栅绝缘层120'上。在此，缓冲层110和栅绝缘层120分别包括开口110a和开口120a，并且栅绝缘层120'可以用作上文参考前述实施方式描述的有机材料层160。也就是说，栅绝缘层120'可以包括绝缘有机材料。

在这种情况下，如图28所示，栅绝缘层120'可以在第一开口内至少一部分地在其上表面中具有不平坦表面120'a。栅绝缘层120'的不平坦表面120'a的形状以及不平坦表面120'a中的多个突起的间距或高度可以采用上文参考图6至图10描述的关于有机材料层160的不平坦表面160a的形状以及不平坦表面160a中的突起的间距或高度的描述。另外，类似于如图20所示的在有机材料层160中彼此间隔开的岛160b，栅绝缘层120'可以包括彼此间隔开的多个岛，这不同于图28所示的示例。在这种情况下，上文关于参考图21和图22的岛160b的间距或高度的描述可以应用于栅绝缘层120'的岛。

在上述结构中，如图28所示，当形成源电极215a或漏电极215b时，可以同时形成第一导电层215c。然而，一个或多个实施方式不限于此，并且第一导电层215c可以通过使用与栅电极213'相同的材料与栅电极213'同时形成。此外，如上文参考图24至图26所描述的，当用于实现触摸感测功能的多种图案的触摸电极710位于覆盖oled300的封装层400上时，第一导电层215c可以通过使用与触摸电极710相同的材料与触摸电极710同时形成。

在图28所示的实施方式中，层间绝缘层130位于用作有机材料层的栅绝缘层120'上，并且因此，层间绝缘层130包括与包括缓冲层110和栅绝缘层120的第一无机绝缘层的第一开口对应的开口130a。这种上述层间绝缘层可以被定义为第二无机绝缘层，并且开口130a可以被定义为第二无机绝缘层的第二开口。

图29是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。该显示装置与图28所示的显示装置的不同之处在于，第一导电层215c通过使用与栅电极213'相同的材料而不是与源电极215a或漏电极215b相同的材料来与栅电极213'同时形成。

由于栅电极213'位于覆盖栅电极213的栅绝缘层120'上，因此通过使用与栅电极213'相同的材料与栅电极213'同时形成的第一导电层215c位于第二导电层213a和213b以及包含有机材料的栅绝缘层120'的不平坦表面120'a上，其中，第二导电层213a和213b通过使用与栅电极213相同的材料与栅电极213同时形成。在此，如果需要，层间绝缘层130可以覆盖第一导电层215c的一部分。层间绝缘层130包括与缓冲层110的开口110a和栅绝缘层120的开口120a对应的开口130a，使得可以容易地在第一弯曲区域1ba上进行弯曲。

如上所述，可以以不同的方式修改形成第一导电层215c的位置、材料和方法。

图30是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。鉴于在第一导电层215c上还包括附加导电层215d，该实施方式的显示装置与上文参考图29描述的显示装置不同。如上所述，当第一导电层215c通过使用与栅电极213'的材料相同的材料与栅电极213'同时形成时，附加导电层215d可以通过使用与源电极215a或漏电极215b相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成。附加导电层215d可以位于第一弯曲区域1ba中的第一导电层215c上，以便电连接到第一导电层215c。

在显示装置中，由于第一导电层215c和附加导电层215d存在于第一弯曲区域1ba上，因此在第一弯曲区域1ba上形成多层导电层结构。因此，即使当在第一弯曲区域1ba上的第一导电层215c中出现诸如裂缝的缺陷时，电信号也可以经由附加导电层215d传送到显示区域da。此外，即使在附加导电层215d中出现诸如裂缝的缺陷，电信号也可以经由第一导电层215c传送到显示区域da。

根据上文描述，有机材料层160被描述为与栅绝缘层120、栅绝缘层120'、层间绝缘层130和/或平坦化层140同时形成。然而，一个或多个实施方式不限于此。例如，有机材料层160可以通过与形成栅绝缘层120、栅绝缘层120'、层间绝缘层130和/或平坦化层140的过程分开的过程形成。此外，即使当栅绝缘层120、栅绝缘层120'、层间绝缘层130和/或平坦化层140包括有机材料时，有机材料层160也可以包括与栅绝缘层120、栅绝缘层120'、层间绝缘层130和/或平坦化层140的材料不同的材料。

图31是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。根据实施方式的显示装置与上文参考图30描述的显示装置的不同之处在于，层间绝缘层130布置在第一导电层215c与附加导电层215d之间。在此，由于层间绝缘层130包括绝缘有机材料，因此，即使当层间绝缘层130存在于第一弯曲区域1ba中时，也可以防止由于弯曲过程而造成的层间绝缘层130、第一导电层215c和/或附加导电层215d上的损伤。

另外，层间绝缘层130上的附加导电层215d经由层间绝缘层130中的接触孔电连接到层间绝缘层130下面的第一导电层215c，其中接触孔形成在第一弯曲区域1ba的外部部分上。因此，即使在第一弯曲区域1ba上的第一导电层215c中出现诸如裂缝的缺陷，电信号也可以经由附加导电层215d传送到显示区域da。此外，即使在附加导电层215d中出现诸如裂缝的缺陷，电信号也可以经由第一导电层215c传送到显示区域da。另外，由于层间绝缘层130布置在第一导电层215c与附加导电层215d之间，因此可以有效地防止第一导电层215c和附加导电层215d中的一个中出现的裂缝生长到另一个层。

在参考图30和图31说明的结构中，在第一方向(+y方向)上的第一导电层215c的宽度和附加导电层215d的宽度可以彼此不同。例如，第一导电层215c和附加导电层215d可以包括彼此不同的材料，并且因此，形成第一导电层215c的材料的柔性(延伸率)和形成附加导电层215d的材料的柔性(延伸率)可以彼此不同。较大的柔性(延伸率)可以表示即使当施加拉伸应力时产生断开的可能性也较小。因此，在第一导电层215c与附加导电层215d之中，包括具有比另一个相对更大柔性(延伸率)的材料的一者可以具有比另一个小的宽度。

图32是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。鉴于还包括覆盖tft210的保护层180，根据实施方式的显示装置与上文参考图2描述的显示装置不同。保护层180可以在不存在tft210的部分上覆盖位于保护层180之下的下部层，例如，层间绝缘层130。保护层180可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。如上所述，由于包括无机材料的缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130可以被称为无机绝缘层，因此包括无机材料的保护层180可以被称为附加无机绝缘层。

如上所述，保护层180(例如，附加无机绝缘层)可以覆盖基板100上的第一区域1a和第二区域2a的大部分，并且包括与第一弯曲区域1ba对应的附加开口180a。在此，附加开口180a与第一弯曲区域1ba对应可以表示附加开口180a与第一弯曲区域1ba重叠。在此，附加开口180a的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积。为此，在图32中，附加开口180a的宽度被示出为大于第一弯曲区域1ba的宽度。

如上所述，图32所示的显示装置未处于弯曲状态，但是显示装置实际上是弯曲的，即，基板100如图1所示在第一弯曲区域1ba处弯曲。为此，显示装置被制造成使得基板100如图32所示是平坦的，在这之后，基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲，使得显示装置具有图1所示的形状。

如果保护层180不包括附加开口180a并且位于第一弯曲区域1ba中的第一导电层215c上，则在第一弯曲区域1ba处弯曲基板100期间，拉伸应力可施加至第一弯曲区域1ba中的保护层180，并且然后，保护层180中可能出现裂缝。当在保护层180中出现裂缝时，裂缝可能延伸到被保护层180覆盖的第一导电层215c，并且因此，可能大大增加在第一导电层215c中出现诸如断开的缺陷的可能性。

然而，根据实施方式的显示装置，保护层180(即，附加无机绝缘层)包括与第一弯曲区域1ba对应的附加开口180a。因此，可以防止或减少对第一导电层215c的损伤。

图33是沿第一弯曲区域1ba中的第一弯曲轴线1bax截取的图32的显示装置的示意性截面。基于图1，图33可以理解为示出了沿与xy平面平行并且包括第一弯曲轴线1bax的平面截取的显示装置在第一弯曲区域1ba上的截面的一部分。如图33所示，保护层180可以不存在于第一弯曲区域1ba内。在图33中，存在多个第一导电层215c，并且因此，显示装置可以包括作为在一个方向上延伸的布线的多个第一导电层215c。如上所述，保护层180可以不存在于第一弯曲区域1ba中，但不限于此。

例如，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图34所示，保护层180可以形成在第一弯曲区域1ba中。也就是说，保护层180(例如，附加无机绝缘层)具有与第一弯曲区域1ba对应的附加开口180a表示附加开口180a与第一弯曲区域1ba对应，并且其不限于保护层180不应该存在于第一弯曲区域1ba上。

在此，如图34所示，附加开口180a可以与第一弯曲区域1ba内的第一导电层215c对应。例如，附加开口180a可以与第一弯曲区域1ba中的第一导电层215c重叠。在图34中，附加开口180a与第一导电层215c上表面的大部分重叠，使得保护层180可以覆盖第一导电层215c的边缘。

在根据实施方式的显示装置中，第一导电层215c上表面的大部分可以不被保护层180覆盖。因此，即使当在基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲期间拉伸应力施加至第一弯曲区域1ba中的保护层180并且在保护层180中可能出现裂缝时，也可以减小裂缝延伸到第一导电层215c并导致第一导电层215c损坏的可能性。在第一弯曲区域1ba中，有机材料层160位于保护层180下方，并且包括有机材料的平坦化层140位于保护层180上。因此，即使在第一弯曲区域1ba中的保护层180中出现裂缝，也可以防止裂缝朝保护层180的上部部分和/或下部部分延伸。

一个或多个实施方式不限于上述示例，即，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图35所示，附加开口180a的面积可以大于第一弯曲区域1ba内的第一导电层215c的上表面的面积，使得第一导电层215c可以在第一弯曲区域1ba内不被保护层180覆盖。在这种情况下，如图35所示，在第一弯曲区域1ba内，保护层180可以在第一导电层215c的外部部分上至少部分地覆盖有机材料层160的上表面。

如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图36所示，位于与第一导电层215c不同层级处的上导电层215c'可以存在于第一弯曲区域1ba中。上导电层215c'可以是在与第一导电层215c的方向相同或相似的方向上延伸的布线。另外，保护层可以具有双层结构，该双层结构包括包含无机材料的第一保护层181和包含无机材料的第二保护层182。第一保护层181和第二保护层182包括与保护层180的材料相同的材料。在图36中，第一导电层215c和第一保护层181由第一平坦化层141覆盖，并且上导电层215c'和第二保护层182位于第一平坦化层141上。此外，上导电层215c'和第二保护层182由第二平坦化层142覆盖。

在根据实施方式的显示装置中，在第一弯曲区域1ba中，第一保护层181不覆盖第一导电层215c，并且第二保护层182不覆盖的上导电层215c'，并且因此可以防止或减少由于弯曲导致的第一导电层215c和/或上导电层215c'的损坏。然而，类似于上文参考图34的描述，第一保护层181可以覆盖第一导电层215c的边缘，并且第二保护层182可以覆盖上导电层215c'的边缘。另外，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图37所示，第一保护层181和第二保护层182可以不存在于第一弯曲区域1ba内。

另外，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图38所示，作为附加无机绝缘层的保护层180的附加开口180a不仅与第一弯曲区域1ba对应，而且也可以具有比无机绝缘层中第一开口的面积大的面积。在图38中，附加开口180a的宽度aow大于第一开口的宽度ow。如上所述，虽然图38的显示装置被描述为未弯曲，但是根据实施方式的显示装置实际上是弯曲的，即，基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲。当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时，相对较大的拉伸应力可被施加至位于比位于较低水平处的无机绝缘层更高的水平处的无机绝缘层。因此，当保护层180的附加开口180a的面积充分大于无机绝缘层中的第一开口的面积时，可以防止或减少对位于无机绝缘层上方的保护层180的损坏。然而，一个或多个实施方式不限于此，即，如果需要，如图32所示，保护层180的附加开口180a的面积可以小于无机绝缘层中的第一开口的面积。

在图32和图38中，缓冲层110中的开口110a的内侧表面和栅绝缘层120中的开口120a的内侧表面彼此对应，但是不限于此。例如，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图的图39所示，缓冲层110中的开口110a可以具有比栅绝缘层120中开口120a的面积小的面积。在这种情况下，第一开口的面积可以被定义为缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130的开口110a、120a和130a中具有最小面积的开口的面积。与图39所示的示例不同，栅绝缘层120中的开口120a的内侧表面和层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面可以彼此齐平。

到目前为止，无机绝缘层被描述为具有开口，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，无机绝缘层可以不包括在与第一弯曲区域1ba对应的部分处完全穿透无机绝缘层的第一开口，而可以包括与第一弯曲区域1ba对应的第一凹槽。图40是根据实施方式(即，示出以上示例的实施方式)的显示装置的一部分的示意性剖视图。

如图40所示，缓冲层110可以在全部第一区域1a、第一弯曲区域1ba和第二区域2a中连续地形成。另外，栅绝缘层120可以具有与第一弯曲区域1ba对应的开口120a，并且层间绝缘层130可以具有与第一弯曲区域1ba对应的开口130a。因此，包括缓冲层110、栅绝缘层120和层间绝缘层130的无机绝缘层可以被理解为具有与第一弯曲区域1ba对应的第一凹槽。无机绝缘层可以包括多种形状的第一凹槽。例如，可以部分地去除缓冲层110的上表面(在+z方向上)，但可以不去除栅绝缘层120的下表面(在-z方向上)。

第一凹槽与第一弯曲区域1ba对应可以表示第一凹槽可以与第一弯曲区域1ba重叠。在此，第一凹槽的面积可以大于第一弯曲区域1ba的面积。为此，在图40中，第一凹槽的宽度gw被示出为大于第一弯曲区域1ba的宽度。在此，第一凹槽的面积可以被限定为栅绝缘层120的开口120a与层间绝缘层130的开口130a之中具有较小面积的开口的面积。在图40中，第一凹槽的面积由栅绝缘层120的开口120a的面积限定。

在根据实施方式的显示装置中，有机材料层160可以填充第一凹槽的至少一部分。此外，在存在有机材料层160的区域中，第一导电层215c位于有机材料层160上。另外，保护层180(即，附加无机绝缘层)包括与第一弯曲区域1ba对应的附加开口180a，并且覆盖第一导电层215c。

在图40中，为了便于描述，显示装置未弯曲，但是在根据实施方式的显示装置中，基板100实际上如图1所示在第一弯曲区域1ba处弯曲。为此，显示装置被制造成如图40所示处于基板100是平坦的状态，并且在这之后，基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲，使得显示装置可以处于图1所示的状态。

在此，当基板100在第一弯曲区域1ba处弯曲时，拉伸应力可以施加到第一导电层215c，但是在显示装置中，无机绝缘层包括在第一弯曲区域1ba上的第一凹槽，并且第一导电层215c的部分(其中，该部分与第一弯曲区域1ba对应)位于填充无机绝缘层中的第一凹槽的至少一部分的有机材料层160上。因此，可以防止在与第一弯曲区域1ba对应并且位于有机材料层160上的第一导电层215c中出现裂缝，或者可以减小产生裂缝的可能性。另外，由于保护层180(即，附加无机绝缘层)包括与第一弯曲区域1ba对应的附加开口180a，因此可以防止或减少在位于有机材料层160上并且与第一弯曲区域1ba对应的第一导电层215c中出现裂缝。另外，由于保护层180(即，附加无机绝缘层)包括与第一弯曲区域1ba对应的附加开口180a，因此可以防止在保护层180中出现裂缝，或者即使当在保护层180中出现裂缝时，也可以有效地防止将裂缝转移到第一导电层215c并有效地防止在第一导电层215c中产生缺陷。

关于无机绝缘层包括第一开口的情况的上文描述可以全部应用于无机绝缘层包括第一凹槽的情况。例如，上文参考图33至图37描述的结构可以应用于图40所示的结构。在下文中，为了便于描述，下文将描述无机绝缘层包括第一开口的情况，但是下文的描述也可以应用于无机绝缘层包括第一凹槽的情况。

在上述实施方式中，第一导电层215c在第二方向(+x方向)上延伸并且与有机材料层160的上表面中的不平坦表面160a延伸的第一方向(+y方向)交叉。交叉角可以如图41所示为90°(图41为根据实施方式的显示装置的一部分的平面图)，或者可以如图42所示为除了90°之外的角度。在图41和图42中，附图标记gd表示有机材料层160上表面中的不平坦表面160a延伸的方向。当与图41进行比较时，图42示出有机材料层160上表面中的不平坦表面160a延伸的方向朝向第二方向(+x方向)倾斜，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，有机材料层160的上表面中的不平坦表面160a在第一方向(+y方向)上延伸，并且第一导电层215c在相对于第二方向(+x方向)倾斜的方向(例如，与第二方向(+x方向)成45°角的方向)而不是在第二方向(+x方向)上延伸。如果存在多个第一导电层215c，则第一导电层215c中的一些延伸的方向与第二方向(+x方向)形成的角度可以与第一导电层215c中的一些其他者延伸的方向与第二方向(+x方向)形成的角度不同。

另外，图41和图42示出了第一导电层215c在第二方向(+x方向)上笔直地延伸，但是一个或多个实施方式不限于此。例如，第一导电层215c在第二方向(+x方向)上笔直地延伸，并且同时可以包括在+z方向上延伸的多个通孔。也就是说，第一导电层215c的至少一部分可以具有跨第一方向(+y方向)和第二方向(+x方向)的平面(xy平面)，其中该平面具有蜂窝形状。另外，第一导电层215c可以不在第二方向(+x方向)上笔直地延伸，而是可以在跨第一方向(+y方向)和第二方向(+x方向)的平面(xy平面)上具有z字形或波形。

另外，如图41和图42所示，可以存在在第二方向(+x方向)上延伸的多个第一导电层215c。在此，不同于图41和图42所示的示例，第一弯曲区域1ba中的第一导电层215c中的中心之间的距离可以大于除了第一弯曲区域1ba之外的至少一个区域中的第一导电层215c的中心之间的距离。因此，第一弯曲区域1ba中的每个第一导电层215c在第一方向(+y方向)上的宽度可以大于除了第一弯曲区域1ba之外的至少一个区域上的每个第一导电层215c在第一方向(+y方向)上的宽度。如上所述，当第一弯曲区域1ba中的第一导电层215c的宽度增加时，由于在第一弯曲区域1ba处的弯曲引起的应力而在第一导电层215c中产生断开的可能性可以大大地减小。

第一弯曲区域1ba上的第一导电层215c之间的距离和除了第一弯曲区域1ba之外的至少一个区域上的第一导电层215c之间的距离可以基本上彼此相等。在这种情况下，第一弯曲区域1ba上的第一导电层215c在第一方向(+y方向)上的宽度可以形成为大于除了第一弯曲区域1ba之外的至少一个区域上的第一导电层215c在第一方向(+y方向)上的宽度，并且因此，可以大大减小由于在第一弯曲区域1ba处的弯曲引起的应力而在第一导电层215c中产生断开的可能性。

图43是根据实施方式的显示装置的一部分(例如，基板100)的示意性立体图。另外，图44是图43的基板100在弯曲之前的示意性平面图。

不同于参考图1所示的示例，除了第一弯曲区域1ba之外，显示装置还包括第二弯曲区域2ba。第二弯曲区域2ba位于第一区域1a内。当基板100在第一弯曲区域1ba处围绕沿第一方向(+y方向)上延伸的第一弯曲轴线1bax弯曲时，基板100也围绕在第二方向(+x方向)上延伸的第二弯曲轴线2bax弯曲。在此，基板100的拐角被倒角，其中拐角最接近第一弯曲轴线1bax和第二弯曲轴线2bax彼此交叉的部分，并且因此，基板100具有倒角部分cp。由于存在倒角部分cp，因此基板100不仅可以围绕第一弯曲轴线1bax弯曲，而且同时也可以围绕第二弯曲轴线2bax弯曲。

在此，第一弯曲区域1ba的曲率半径r1可以小于第二弯曲区域2ba的曲率半径r2。可以理解，基板100在第二弯曲区域2ba处比在第一弯曲区域1ba处更缓和地弯曲。因此，在基板100缓和弯曲的第二弯曲区域2ba中，施加到显示装置的部件的拉伸应力可以比施加到第一弯曲区域1ba的部件的拉伸应力相对更小。如上文所述的显示装置中的第一无机绝缘层在第一弯曲区域1ba中包括第一开口或第一凹槽，但是可以在第一区域1a中的包括第二弯曲区域2ba的至少一个区域上连续地形成。在此，第一无机绝缘层在至少一个区域上连续形成的原因在于，第一无机绝缘层可以包括用于在第一区域1a中电连接位于其上部部分和下部部分上的导电层的接触孔。接触孔在平面图中可以具有圆形形状、椭圆形形状、正方形形状等，并且第一开口或第一凹槽可以被示出为在平面图中具有非常大的纵横比的矩形形状。

尽管在第一弯曲区域1ba内不存在显示器件，但是显示器件可以形成在第一区域1a中所包括的第二弯曲区域2ba上。因此，可以实现具有至少弯曲部分的显示装置。此外，由于显示装置在第二弯曲区域2ba处弯曲，因此当用户观看图像的显示表面时，用户可以识别出，周边区域好像具有减小的面积，其中，图像不显示在周边区域上，并且焊盘位于周边区域上。

另外，如上所述，由于形成倒角部分cp，因此基板100可以同时围绕与第一弯曲轴线1bax交叉的第二弯曲轴线2bax以及围绕第一轴1bax弯曲。在此，倒角部分cp可以是圆形的，使得可以不朝向基板100的中心部分形成锐角，如图44所示。

如图43所示，第一弯曲区域1ba围绕第一弯曲轴线1bax弯曲，并且第二弯曲区域2ba围绕第二弯曲轴线2bax弯曲，应力在倒角部分cp中朝向基板100的中心部分施加至拐角cn，并且因此，基板100可能被撕裂或损坏。因此，为了防止产生缺陷，倒角部分cp可以具有如图44所示的朝向基板100的中心部分倒圆角的拐角cn。在此，朝向基板100的中心部分的拐角cn处的曲率半径可以是第一弯曲区域1ba处的曲率半径的大约1/20至大约1/5，例如为1/10。

另外，为了防止在第一弯曲区域1ba围绕第一弯曲轴线1bax弯曲并且第二弯曲区域2ba围绕第二弯曲轴线2bax弯曲时大应力朝向基板100的中心部分施加到拐角cn，第一弯曲区域1ba的朝向第一区域1a的端部可以比倒角部分cp的第一切割线1cl的延长线更靠近基板100的边缘。例如，第一弯曲区域1ba的朝向第一区域1a的端部与第一切割线1cl的延长线之间的距离可以是大约500μm。

第二弯曲区域2ba的朝向基板100的中心部分的端部可以比倒角部分cp的第二切割线2cl的延长线更靠近基板100的边缘。在此，如上所述，由于第二弯曲区域2ba处的曲率半径r2大于第一弯曲区域1ba处的曲率半径r1，因此由于第二弯曲区域2ba处的弯曲而施加到倒角部分cp的拐角cn的应力小于由于第一弯曲区域1ba处的弯曲而施加到倒角部分cp的拐角cn的应力。因此，第二弯曲区域2ba的朝向基板100的中心部分的端部与第二切割线2cl的延长线之间的距离可以短于第一弯曲区域1ba的朝向第一区域1a的端部与第一切割线1cl的延伸线之间的距离。

以上关于倒角部分cp的拐角cn的描述可以应用于其他实施方式或其修改示例。

在图43中，除了第一弯曲区域1ba之外，显示装置被描述为包括第二弯曲区域2ba，但是不限于此。例如，如作为根据实施方式的显示装置的一部分的示意性立体图的图45所示，除了第一弯曲区域1ba或第二弯曲区域2ba之外，可以设置第三弯曲区域3ba和第四弯曲区域4ba。在上述显示装置中，可以理解的是，显示装置的四个边缘都弯曲。在此，第三弯曲区域3ba和第四弯曲区域4ba可以具有与第二弯曲区域2ba相同/相似的结构。

显示器件可以存在于包括在第一区域1a中的第二弯曲区域2ba、第三弯曲区域3ba和第四弯曲区域4ba中。因此，可以实现具有四个弯曲边缘的显示装置。另外，由于显示装置在第二弯曲区域2ba至第四弯曲区域4ba处弯曲，因此当用户观看显示装置时，用户可以识别出周边区域好像缩小了，其中，图像不显示在周边区域上并且焊盘位于周边区域上。

图46是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性立体图。不同于图45所示的示例，第一弯曲区域1ba和第二区域2a可以在第二方向(+x方向)和相反方向(-x方向)上设置。类似于存在于第二方向(+x方向)上的第二区域2a，多种电子装置可以位于第二区域2a中，或者印刷电路板可以电连接到第二区域2a。

如上文关于根据一个或多个实施方式的显示装置的所述内容，至少两个实施方式可以应用于一个显示装置，除非它们彼此矛盾。例如，根据参考图23所示的实施方式的显示装置的保护膜170可以应用于根据参考图32所示的实施方式的显示装置。

上述弯曲区域可以理解为包括能够弯曲的区域和弯曲的区域，因为基板能够在所述区域中弯曲。然而，本发明不限于此，并且因此可以应用于具有弯曲区域的柔性或可弯曲显示器。

根据一个或多个实施方式，可以保证显示装置的较长寿命，并且可以在制造显示装置期间减少缺陷的产生。

应理解，在此描述的实施方式应视为仅具有描述意义而不是用于限制目的。每个实施方式中特征或方面的描述应典型地被认为可以适用于其他实施方式中的其他相似特征或方面。

虽然已经参考附图描述了发明技术，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。